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一種Fe2O3納米棒陣列電極原位硫化及碳包覆的制備方法及其應用與流程

文檔序號:12682617閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了Fe2O3納米棒陣列電極原位硫化及碳包覆的制備方法及應用。首先,以鈦片為基底,氯化鐵為鐵源,硫酸鈉為沉淀劑,水熱合成法,燒結(jié)制得納米棒狀Fe2O3陣列,再以硫脲或硫代乙酰胺為硫化劑,采用溶劑熱法對三氧化二鐵進行硫化,即可得到Fe2O3?S,采用等離子增強化學氣相沉積法對Fe2O3?S進行碳包覆,得到Fe2O3?S@C。在1?M?KOH電解液中,原始Fe2O3電極的最大容量僅為13.67?mAh/g,硫化之后提高至214.3?mAh/g,而進一步碳包覆優(yōu)化可達768.3?mAh/g;100次循環(huán)后,F(xiàn)e2O3?S的容量保持率僅為7.95%,F(xiàn)e2O3?S@C的容量保持率可達92.13%。

技術(shù)研發(fā)人員:肖婷;李錦;譚新玉;向鵬;姜禮華
受保護的技術(shù)使用者:三峽大學
文檔號碼:201710142202
技術(shù)研發(fā)日:2017.03.10
技術(shù)公布日:2017.06.13

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