本文涉及但不限于顯示技術，尤指一種陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管、膜層圖形的制備方法。

背景技術：

剝離(Lift Off)工藝是一種有別于傳統(tǒng)刻蝕工藝，可在納米至厘米尺度范圍形成微觀結構圖形的技術。Lift Off工藝主要用在所需沉積的兩層薄膜刻蝕選擇比較低、以及刻蝕過程會損傷下方膜層的情況。圖1(a)為相關技術中剝離工藝第一示意圖，如圖1(a)所示，首先利用曝光技術在基底1上形成用于刻蝕操作的光刻(PR)膠圖案2，將薄膜3沉積在PR膠上。圖1(b)為相關技術中剝離工藝的第二示意圖，如圖1(b)所示，當剝離PR膠時，PR膠被溶解，PR膠上的薄膜層隨之被除去。而沒有PR膠的地方，沉積的薄膜留了下來，圖案得以形成。

PR膠被溶解后，PR膠上薄膜層在移動過程中被打散為細小的顆粒，這些顆粒就像雜質粒子(particle)一樣，易吸附在形成的圖案上，剝離過程不易除去，最終影響膜層的良率。另外，部分PR的側壁上也會沉積一定的薄膜，當需要除去的薄膜被處理完成時，側壁上的薄膜還可能殘留在側壁上，也將影響膜層的良率。

技術實現(xiàn)要素：

以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管及膜層圖形的制備方法，能夠避免薄膜的吸附和沉積，提升生成膜層的良率。

本發(fā)明實施例提供了一種膜層圖形的制備方法，包括：

在襯底上形成光刻膠層；

對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；

形成第一膜層，所述第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；

在所述第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；

去除所述光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的所述第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。

可選的，所述形成粘附層具體包括：

在所述第一膜層上形成粘附層薄膜，進行曝光顯影，以形成所述粘附層。

可選的，所述光刻膠層為負性光刻膠。

可選的，所述光刻膠圖形在垂直于所述襯底方向的截面為兩個或兩個以上倒梯形結構。

可選的，所述粘附層材料包括有機樹脂膠。

另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管，包括：采用上述制備方法制備。

可選的，所述第一膜層為：柵極層或源漏極層。

再一方面，本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括采用上述薄膜晶體管。

還一方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括采用上述陣列基板。

與相關技術相比，本申請技術方案包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本發(fā)明實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術方案的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發(fā)明的技術方案，并不構成對本發(fā)明技術方案的限制。

圖1(a)為相關技術中剝離工藝第一示意圖；

圖1(b)為相關技術中剝離工藝的第二示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例膜層圖形的制備方法的流程圖；

圖3(a)為本發(fā)明實施例形成粘附層時的膜層結構示意圖；

圖3(b)為本發(fā)明實施例剝離過程示意圖；

如圖4(a)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第一示意圖；

如圖4(b)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第二示意圖；

如圖4(c)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第三示意圖；

如圖4(d)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第四示意圖；

如圖4(e)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第五示意圖；

如圖4(f)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第六示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，下文中將結合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。

圖2為本發(fā)明實施例膜層圖形的制備方法的流程圖，如圖2所示，包括：

步驟200、在襯底上形成光刻膠層5；

步驟201、對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；

這里，光刻膠指光刻膠層中的光刻膠。

步驟202、形成第一膜層3；這里，第一膜層3包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分3-1和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分3-2；

步驟203、在第一膜層的第一部分3-1上面，形成粘附層4；

可選的，本發(fā)明實施例形成粘附層具體包括：

在第一膜層上形成粘附層薄膜，對形成的粘附層薄膜進行曝光顯影，以形成粘附層。

需要說明的是，本發(fā)明實施例粘附層可以采用沉積、懸涂、刮涂等方式添加到本發(fā)明實施例的薄膜層上?？梢杂杀绢I域技術人員根據(jù)工藝要求、成本、及材料進行分析確定。粘附層可以增大剝離過程中膜層碎片的尺寸，避免需要剝離的膜層被吸附。

步驟204、去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層3的第一部分3-1，以形成第一膜層圖形。

圖3(a)為本發(fā)明實施例形成粘附層時的膜層結構示意圖，如圖3(a)所示，光刻膠圖形為倒梯形結構，粘附層為本發(fā)明實施例新增的圖層；圖3(b)為本發(fā)明實施例剝離過程示意圖，如圖3(b)所示，粘附層粘附第一膜層的第一部分3-1，側壁部分在剝離過程中被剝離且體積較大。避免了沉積和吸附。

可選的，本發(fā)明實施例光刻膠層為負性光刻膠。

需要說明的是，本發(fā)明實施例負性光刻膠可以包括：AZ-CTP-100、KMT-T456；上述材料為本領域技術人員公知的材料代碼，在此不作贅述。

可選的，本發(fā)明實施例光刻膠圖形在垂直于襯底方向的截面為兩個或兩個以上倒梯形結構。

需要說明的是，倒梯形結構可以避免膜層在側壁的沉積，提升膜層生成的良率。本發(fā)明實施例還可以采用其他種類的光刻膠，用于實現(xiàn)本發(fā)明實施例的倒梯形結構。另外，倒梯形結構尺寸可以參照相關技術中矩形光刻膠的尺寸由本領域技術人員進行分析確定，一般設置倒梯形結構的上邊長與相關技術中矩形光刻膠的邊長相同。

可選的，本發(fā)明實施例粘附層材料包括有機樹脂膠。

可選的，本發(fā)明實施例粘附層由在剝離液中不溶解的有機樹脂膠構成。

可選的，本發(fā)明實施例粘附層可以由以下材料之一構成：DL-1001-C、JM608-SS、JM549、JM548，上述材料為本領域技術人員公知的材料代碼，在此不作贅述。

與相關技術相比，本申請技術方案包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本發(fā)明實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。

本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管，薄膜晶體管中膜層圖形的制備方法包括：

在襯底上形成光刻膠層；

對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；

這里，光刻膠指光刻膠層中的光刻膠。

形成第一膜層；這里，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；

在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；

可選的，本發(fā)明實施例形成粘附層具體包括：

在第一膜層上形成粘附層薄膜，對形成的粘附層薄膜進行曝光顯影，以形成粘附層。

需要說明的是，本發(fā)明實施例粘附層可以采用沉積、懸涂、刮涂等方式添加到本發(fā)明實施例的薄膜層上?？梢杂杀绢I域技術人員根據(jù)工藝要求、成本、及材料進行分析確定。粘附層可以增大剝離過程中膜層碎片的尺寸，避免需要剝離的膜層被吸附。

去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。

可選的，本發(fā)明實施例光刻膠層為負性光刻膠。

需要說明的是，本發(fā)明實施例負性光刻膠可以包括：AZ-CTP-100、KMT-T456；上述材料為本領域技術人員公知的材料代碼，在此不作贅述。

可選的，本發(fā)明實施例光刻膠圖形在垂直于襯底方向的截面為兩個或兩個以上倒梯形結構。

需要說明的是，倒梯形結構可以避免膜層在側壁的沉積，提升膜層生成的良率。本發(fā)明實施例還可以采用其他種類的光刻膠，用于實現(xiàn)本發(fā)明實施例的倒梯形結構。另外，倒梯形結構尺寸可以參照相關技術中矩形光刻膠的尺寸由本領域技術人員進行分析確定，一般設置倒梯形結構的上邊長與相關技術中矩形光刻膠的邊長相同。

可選的，本發(fā)明實施例粘附層材料包括有機樹脂膠。

可選的，本發(fā)明實施例粘附層由在剝離液中不溶解的有機樹脂膠構成。

可選的，本發(fā)明實施例粘附層可以由以下材料之一構成：DL-1001-C、JM608-SS、JM549、JM548，上述材料為本領域技術人員公知的材料代碼，在此不作贅述。

如圖4(a)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第一示意圖，如圖4(a)所示，依次在基底上從下至上形成金屬層(Gate)、柵極絕緣層(GI)和半導體層(Active)(IGZO 700)，并完成形成刻蝕圖案。

如圖4(b)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第二示意圖，如圖4(b)所示，在半導體上沉積負性光刻膠，形成光刻膠層5(可以是1.2微米(μm))并曝光顯影；最終只保留溝道上方的負性光刻膠；

如圖4(c)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第三示意圖，如圖4(c)所示，在負性光刻膠上沉積第一膜層3，第一膜層3可以是柵極層或源漏極層，包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分3-1和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分3-2；

如圖4(d)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第四示意圖，如圖4(d)所示，第一膜層3上形成粘附層4；

如圖4(e)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第五示意圖，如圖4(e)所示，對粘附層4進行曝光顯影處理形成圖案，最終只有溝道上方有粘附膠。

如圖4(f)為本發(fā)明實施例制備薄膜晶體管的第六示意圖，如圖4(f)所示，進行剝離處理，粘附層上的粘附膠順利帶走預除去第一膜層3的設置在光刻膠圖形上面的第一部分3-1。

與相關技術相比，本申請技術方案包括：形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本發(fā)明實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括采用上述薄膜晶體管的制備方法制備的的薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括采用上述陣列基板。

本領域普通技術人員可以理解上述方法中的全部或部分步驟可通過程序來指令相關硬件(例如處理器)完成，所述程序可以存儲于計算機可讀存儲介質中，如只讀存儲器、磁盤或光盤等。可選地，上述實施例的全部或部分步驟也可以使用一個或多個集成電路來實現(xiàn)。相應地，上述實施例中的每個模塊/單元可以采用硬件的形式實現(xiàn)，例如通過集成電路來實現(xiàn)其相應功能，也可以采用軟件功能模塊的形式實現(xiàn)，例如通過處理器執(zhí)行存儲于存儲器中的程序/指令來實現(xiàn)其相應功能。本發(fā)明不限制于任何特定形式的硬件和軟件的結合。

雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領域內的技術人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式及細節(jié)上進行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。