1.一種基于氧化鋅透明電極的異面型光導(dǎo)開關(guān)，包括摻釩碳化硅襯底(1)、上歐姆接觸電極(2)、下歐姆接觸電極(3)、上薄膜電極(4)和下薄膜電極(5)，上歐姆接觸電極(2)和下歐姆接觸電極(3)分別淀積在摻釩碳化硅襯底(1)的正面和背面，上薄膜電極(4)淀積在摻釩碳化硅襯底(1)的正面及上歐姆接觸電極(2)的表面，下薄膜電極(5)淀積在摻釩碳化硅襯底(1)的背面及下歐姆接觸電極(3)的表面，其特征在于：
上薄膜電極(4)和下薄膜電極(5)均采用透明氧化鋅材料，以使器件可以在電極面光照下導(dǎo)通，增加器件的受光面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光導(dǎo)開關(guān)，其特征在于摻釩碳化硅襯底(1)形狀為長方體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光導(dǎo)開關(guān)，其特征在于上歐姆接觸電極(2)和下歐姆接觸電極(3)的橫向?qū)挾萀、縱向?qū)挾萕均為6～8mm，厚度h均為0.5～2μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光導(dǎo)開關(guān)，其特征在于上薄膜電極(4)和下薄膜電極(5)的底面直徑d均為6～7mm，厚度n均為1～2μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光導(dǎo)開關(guān)，其特征在于上歐姆接觸電極(2)和下歐姆接觸電極(3)的電極邊緣均為設(shè)有1/4的圓弧倒角。
6.一種制作基于氧化鋅透明電極的異面型光導(dǎo)開關(guān)的方法，包括如下步驟：
(1)清洗襯底：將電阻率大于1010Ω·cm的釩補(bǔ)償?shù)奶蓟璋虢^緣襯底樣片進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)清洗；
(2)淀積阻擋層：采用PECVD的方法在摻釩碳化硅襯底樣片的正面和背面分別淀積厚度為1～5μm的二氧化硅，作為襯底正面和背面離子注入的阻擋層；
(3)光刻：分別在襯底正面和背面的阻擋層上涂膠，用光刻板在涂膠后的阻擋層上刻蝕出離子注入窗口，并用濃度為5％的HF酸腐蝕掉窗口位置下的阻擋層，并去膠清洗；
(4)淀積犧牲層：采用PECVD的方法在阻擋層開窗后的樣片正面和背面分別淀積厚度為50～80nm的二氧化硅作為離子注入的犧牲層；
(5)離子注入：在淀積犧牲層后的樣片正面和背面分別進(jìn)行多次磷離子注入，使摻釩碳化硅襯底正面和背面表面的雜質(zhì)濃度均為1×1020cm-3；
(6)去除阻擋層：離子注入完成后腐蝕掉樣片正面和背面剩余的阻擋層，清洗掉樣品表面的殘留物；
(7)退火：在清洗殘留物后的樣片正面和背面涂負(fù)膠，將該樣片置于300～400℃溫度環(huán)境中加熱90分鐘進(jìn)行碳膜濺射；再在1550～1750℃溫度范圍內(nèi)退火10分鐘，以在樣片表面形成厚度為150nm的良好歐姆接觸；然后在900～1100℃溫度范圍內(nèi)干氧氧化15分鐘，以去除樣片正面和背面的碳膜；
(8)淀積金屬電極：
8a：在去除碳膜的樣片正面和背面旋涂光刻膠，利用金屬層的掩膜版光刻出金屬圖形；通過磁控濺射法在樣片的正面和背面的對應(yīng)金屬電極位置淀積厚度為80～100nm的金屬Ni，并通過超聲波剝離掉光刻膠，再在Ar氣環(huán)境中升溫至900～1100℃，保存10分鐘后冷卻至室溫；
8b：在冷卻至室溫的樣片正面和背面涂膠，使用金屬層掩膜版光刻出金屬圖形，通過磁控濺射法分別在正面和背面的Ni膜上淀積厚度為50～100nm的金屬Ti和0.5～1.5μm的Au；通過超聲波剝離形成金屬電極，在樣片的正面和背面分別形成橫向?qū)挾萀、縱向?qū)挾萕均為6～8mm，厚度h均為0.5～2μm的上歐姆接觸電極和下歐姆接觸電極，再在Ar氣環(huán)境中升溫至450～600℃范圍，保持5分鐘后冷卻至室溫；
(9)淀積透明氧化鋅電極：通過磁控濺射法在冷卻至室溫的樣片正面和背面分別淀積厚度為1～2μm的氧化鋅透明薄膜，并分別在正面和背面的氧化鋅透明薄膜上涂膠，使用金屬層掩膜版光刻出所需窗口圖形，再采用稀鹽酸進(jìn)行濕法刻蝕得到透明電極，完成整個(gè)器件的制作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的方法，其特征在于步驟5)中每次磷離子注入的能量為180KeV、125KeV、80KeV、60KeV，對應(yīng)的注入的劑量為9.5×1014cm-2、5.8×1014cm-2、3.0×1014cm-2、2.6×1014cm-2。