1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
襯底基板；
多個第一薄膜晶體管和多個第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管形成于所述襯底基板的上方；所述第一薄膜晶體管的有源層為低溫多晶硅，所述第二薄膜晶體管的有源層為氧化物半導(dǎo)體；所述第一薄膜晶體管位于所述陣列基板的周邊電路區(qū)，所述第二薄膜晶體管位于所述陣列基板的顯示區(qū)；
所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極位于不同層，且所述第一薄膜晶體管的源漏電極和所述第二薄膜晶體管的源漏電極位于同層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
多個電容結(jié)構(gòu)；
其中，所述電容結(jié)構(gòu)的第一電極與所述第一薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置，所述電容結(jié)構(gòu)的第二電極與所述第二薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板上依次設(shè)置有緩沖層、所述第一薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層、所述第一薄膜晶體管的柵極、第二絕緣層、所述第二薄膜晶體管的柵極、第三絕緣層、所述第二薄膜晶體管的有源層、所述第一薄膜晶體管的源漏電極以及所述第二薄膜晶體管的源漏電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第三絕緣層包括疊層設(shè)置的氮化硅層和氧化硅層；其中所述第三絕緣層包括的氧化硅層與所述第二薄膜晶體管的有源層接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的源漏電極之間設(shè)置有刻蝕阻擋層；
所述刻蝕阻擋層設(shè)置有過孔，所述第二薄膜晶體管的源漏電極通過所述過孔與所述第二薄膜晶體管的有源層連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶體管的有源層上設(shè)置有刻蝕阻擋層；
所述第二薄膜晶體管的源漏電極的部分區(qū)域與所述第二薄膜晶體管的有源層直接接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料包括氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的源漏電極以及所述第二薄膜晶體管的源漏電極上設(shè)置有保護鈍化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述保護鈍化層的材料包括氧化硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述保護鈍化層包括疊層設(shè)置的氮化硅層和氧化硅層；其中所述氧化硅層與所述第一薄膜晶體管的源漏電極以及所述第二薄膜晶體管的源漏電極接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，
所述第三絕緣層中所述氮化硅層的厚度范圍為50～400nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，
所述第三絕緣層中所述氧化硅層的厚度范圍為30～200nm。
13.根據(jù)權(quán)力要求1所述的陣列基板，其特征在于，
所述第二薄膜晶體管的有源層的厚度為20～100nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的陣列基板，其特征在于，
所述刻蝕阻擋層的厚度為50～250nm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述第二薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)；或者所述第一薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述第二薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)；或者所述第一薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)，所述第二薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)。
16.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-15中任一項所述的陣列基板。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括有機發(fā)光顯示面板或液晶顯示面板。
18.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底基板的上方形成多個第一薄膜晶體管和多個第二薄膜晶體管；
其中，所述第一薄膜晶體管的有源層為低溫多晶硅，所述第二薄膜晶體管的有源層為氧化物半導(dǎo)體；所述第一薄膜晶體管位于所述陣列基板的周邊電路區(qū)，所述第二薄膜晶體管位于所述陣列基板的顯示區(qū)；
所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極位于不同層，且所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的源漏電極位于同層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板的上方形成多個第一薄膜晶體管和多個第二薄膜晶體管的同時，還包括：
形成多個電容結(jié)構(gòu)；
其中，在形成所述第一薄膜晶體管的柵極的同時形成所述電容結(jié)構(gòu)的第一電極；在形成所述第二薄膜晶體管的柵極的同時形成所述電容結(jié)構(gòu)的第二電極；在形成第一薄膜晶體管的源漏電極的同時形成所述第二薄膜晶體管的源漏電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板的上方形成多個第一薄膜晶體管和多個第二薄膜晶體管包括：
在所述襯底基板上形成緩沖層；
在所述緩沖層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的有源層；
在所述第一薄膜晶體管的有源層所在膜層上方形成第一絕緣層；
在所述第一絕緣層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的柵極；
在所述第一薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第二絕緣層；
在所述第二絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的柵極；
在所述第二薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第三絕緣層；
在所述第三絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的有源層；
在所述第二薄膜晶體管的有源層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的源漏電極以及所述第二薄膜晶體管的源漏電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制作方法，其特征在于，在所述第二薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第三絕緣層之后，在所述第三絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的有源層之前，還包括：
進行氫化處理。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的制作方法，其特征在于，
所述氫化處理的溫度大于300℃。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制作方法，其特征在于，
在所述第三絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的有源層之后的制作方法中的制作溫度小于或者等于350℃。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在襯底基板的上方形成多個第一薄膜晶體管和多個第二薄膜晶體管包括：
所述第一薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述第二薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)；
在所述襯底基板上形成緩沖層；
在所述緩沖層所述膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的柵極；
在所述第一薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第四絕緣層；
在所述第四絕緣層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管30的有源層；
在所述第一薄膜晶體管的有源層所在膜層上方形成第五絕緣層；
在所述第五絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的柵極；
在所述第二薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成所述第六絕緣層；
在所述第六絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的有源層；
在所述第二薄膜晶體管的有源層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的源漏電極以及所述第二薄膜晶體管的源漏電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在襯底基板的上方形成多個第一薄膜晶體管和多個第二薄膜晶體管包括：
所述第一薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述第二薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)；
在所述襯底基板上形成緩沖層；
在所述緩沖層所述膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的柵極；
在所述第一薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第七絕緣層；
在所述第七絕緣層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管30的有源層；
在所述第一薄膜晶體管的有源層所在膜層上方形成第八絕緣層；
在所述第八絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的有源層；
在所述第二薄膜晶體管的有源層的所在膜層上方形成第九絕緣層；
在所述第二薄膜晶體管的第九絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的柵極；
在所述第二薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第十絕緣層；
在所述第十絕緣層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的源漏電極33以及所述第二薄膜晶體管的源漏電極。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在襯底基板的上方形成多個第一薄膜晶體管和多個第二薄膜晶體管包括：
所述第一薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)，所述第二薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)；
在所述襯底基板上形成緩沖層；
在所述緩沖層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的有源層；
在所述第一薄膜晶體管的有源層所在膜層上方形成第十一絕緣層；
在所述第十一絕緣層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的柵極；
在所述第一薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第十二絕緣層；
在所述第十二絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的有源層；
在所述第二薄膜晶體管的有源層的所在膜層上方形成第十三絕緣層；
在所述第二薄膜晶體管的第十三絕緣層所在膜層上方形成所述第二薄膜晶體管的柵極；
在所述第二薄膜晶體管的柵極所在膜層上方形成第十四絕緣層；
在所述第十四絕緣層所在膜層上方形成所述第一薄膜晶體管的源漏電極以及所述第二薄膜晶體管的源漏電極。