技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板以及其制作方法，所述陣列基板包括：多個(gè)第一薄膜晶體管和多個(gè)第二薄膜晶體管；第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管形成于襯底基板的上方；第一薄膜晶體管的有源層為低溫多晶硅，所述第二薄膜晶體管的有源層為氧化物半導(dǎo)體；第一薄膜晶體管位于陣列基板的周邊電路區(qū)，第二薄膜晶體管位于所述陣列基板的顯示區(qū)；第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極位于不同層，且第一薄膜晶體管的源漏電極和第二薄膜晶體管的源漏電極位于同層。本發(fā)明解決了顯示面板中同時(shí)形成金屬氧化物薄膜晶體管和低溫多晶硅薄膜晶體管時(shí)，兩種類型薄膜晶體管各膜層不兼容的問題，提高了顯示面板的電學(xué)性能和穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：林鴻;東海林功;世良賢二;何水;袁永;吳天一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門天馬微電子有限公司
文檔號碼：201710153697
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.15
技術(shù)公布日：2017.06.20