1.一種具有多凹陷緩沖層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其特征在于，自下而上包括4H-SiC半絕緣襯底(1)、P型緩沖層(2)、N型溝道層(3)，N型溝道層(3)的兩側(cè)分別為源極帽層(4)和漏極帽層(5)，源極帽層(4)和漏極帽層(5)表面分別是源電極(6)和漏電極(7)，N型溝道層(3)上方且靠近源極帽層的一側(cè)形成柵電極(8)，所述緩沖層的上端面在柵電極及柵源下方設(shè)有第一緩沖層凹陷區(qū)(9)，在柵漏下方靠近柵極的一側(cè)設(shè)有第二緩沖層凹陷區(qū)(10)，在柵漏下方靠近漏極帽層的一側(cè)設(shè)有第三緩沖層凹陷區(qū)(11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有多凹陷緩沖層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述P型緩沖層(2)的深度為0.6-0.7μm，第一緩沖層凹陷區(qū)(9)、第二緩沖層凹陷區(qū)(10)、第三緩沖層凹陷區(qū)(11)的深度為0.1-0.2μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有多凹陷緩沖層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述P型緩沖層(2)的深度為0.65μm，第一緩沖層凹陷區(qū)(9)、第二緩沖層凹陷區(qū)(10)、第三緩沖層凹陷區(qū)(11)的深度均為0.15μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種具有多凹陷緩沖層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一緩沖層凹陷區(qū)(9)以源極帽層里側(cè)為起點，長度為1.2μm，第二緩沖層凹陷區(qū)(10)以距源極帽層里側(cè)1.4μm的位置為起點，長度為0.1μm，第三緩沖層凹陷區(qū)(11)以距源極帽層里側(cè)1.7μm的位置為起點，長度為0.5μm。