技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域，特別公開(kāi)了一種具有多凹陷緩沖層的4H?SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；目的在于提高場(chǎng)效應(yīng)晶體管的擊穿電壓和跨導(dǎo)參數(shù)，改善直流特性。采用的技術(shù)方案為：自下而上包括4H?SiC半絕緣襯底、P型緩沖層、N型溝道層，N型溝道層的兩側(cè)分別為源極帽層和漏極帽層，源極帽層和漏極帽層表面分別是源電極和漏電極，N型溝道層上方且靠近源極帽層的一側(cè)形成柵電極，所述緩沖層的上端面在柵電極及柵源下方，柵漏下方靠近柵極的一側(cè)，柵漏下方靠近漏極帽層的一側(cè)分別設(shè)有三個(gè)緩沖層凹陷區(qū)，三個(gè)緩沖層凹陷區(qū)的深度均為0.15μm，長(zhǎng)度分別為1.2μm，0.1μm，0.5μm。

技術(shù)研發(fā)人員：賈護(hù)軍;吳秋媛;楊銀堂;柴常春
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710166438
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.20
技術(shù)公布日：2017.06.30