本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，特別涉及一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜及其制備與圖案化的方法。
背景技術(shù)：
：在目前，身處電子信息時代，許多的電子器件已經(jīng)深入人們的生活，而大尺寸、柔性可彎曲、可轉(zhuǎn)移為電子器件發(fā)展的大勢所趨，電子觸摸屏即是這些電子器件中的典型代表；毫無疑問，滿足上述特征的觸摸屏需要可圖案化、可任意轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電薄膜，而且，在薄膜特性得到保證的基礎(chǔ)上，我們希望實現(xiàn)的制程必須同時是簡易、低成本并且環(huán)境友好的，以滿足量產(chǎn)化和可持續(xù)化的要求。ito材料自從被發(fā)現(xiàn)以來，在電光特性上的優(yōu)越特性以及成熟的量產(chǎn)方法使其能夠被一直沿用至今；但它的缺陷也一直讓人詬病，例如資源的稀缺、不耐彎折、制程成本高等。由此人們后續(xù)發(fā)展了其他的導(dǎo)電材料，其中，金屬納米材料成為目前最有希望實現(xiàn)商用的替代性材料。圖案化導(dǎo)電薄膜的制備關(guān)鍵在于，如何在保證薄膜的低阻，高透，穩(wěn)定的基礎(chǔ)上，發(fā)展出一種低成本的制程方案。目前，圖案化導(dǎo)電薄膜的技術(shù)方案，可以分為化學(xué)法和非化學(xué)法兩種方法。非化學(xué)制程方法中，工業(yè)化程度最高的是通過激光刻蝕，然而在激光刻蝕的過程中，很容易產(chǎn)生“爆點”，影響薄膜特性；為克服這一缺點，發(fā)展出一系列化學(xué)工藝制程，近年來的相關(guān)專利將光刻制程引進(jìn)，試圖解決上述關(guān)鍵問題。專利cn104575869在電極上形成圖案化保護(hù)層，然后通過濕刻或氣體刻蝕的方式圖案化電極，在去膠過程中，電極容易受到有機(jī)溶劑的腐蝕。而后來，發(fā)展出光刻膠的工藝，一些專利（如專利cn105259715、cn103745783和cn105259715等）通過往光刻膠或者感光干膜中混合導(dǎo)電材料，來形成導(dǎo)電的光刻膠，由于在高粘度的光刻膠體系中，導(dǎo)電材料的分散性差，這和獲得高導(dǎo)電性導(dǎo)電薄膜的目標(biāo)是相矛盾的；專利cn106020571將導(dǎo)電材料形成于感光干膜之上，通過曝光顯影的方式得到圖案化的電極，感光干膜既作為顯影圖案化的載體，同時也作為電極的襯底，由于最終圖案化電極之下的感光干膜仍然存在，使薄膜透光率降低。在臺灣專利i393153、i405221和美國專利us8426741、us9116442提出的方案中，感光性導(dǎo)電薄膜具有感光膠-納米銀線導(dǎo)電層-支撐層三層結(jié)構(gòu)，支撐層相當(dāng)于臨時襯底的作用，納米銀線暫時分布在支撐層上；而后將感光膠背離導(dǎo)電層的一面轉(zhuǎn)移至目標(biāo)襯底，除去支撐層后，進(jìn)行曝光顯影，形成圖形化電電極；感光膠是圖案化的載體，同時使納米銀線內(nèi)嵌其中，與目標(biāo)襯底連接；然而既要使納米銀線內(nèi)嵌于感光膜，又要維持低的電阻率，是一大挑戰(zhàn)。感光干膜簡稱干膜，一般由保護(hù)層-感光膜層-支撐層三層結(jié)構(gòu)組成，廣泛應(yīng)用于pcb版的印刷之中。近年來，也開始用于觸摸屏的電極制作，如專利cn104850281中，感光干膜壓覆在ito上，通過黃光制程來形成導(dǎo)電圖案。但是目前尚未有公開的技術(shù)方案，能夠?qū)⒏泄饽痈街诮饘偌{米薄膜上，通過黃光制程形成導(dǎo)電圖案。一般而言，在這種技術(shù)方案中，由于導(dǎo)電材料附著性較差而容易脫落，是一大阻礙。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的問題是，提供一種既低阻、高透、穩(wěn)定，又能實現(xiàn)大面積量產(chǎn)的可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜，包含有轉(zhuǎn)移層、附著性增強(qiáng)層、導(dǎo)電層和感光膜層，所述的感光膜層設(shè)置在導(dǎo)電層上方，所述的導(dǎo)電層設(shè)置在附著性增強(qiáng)層上方，所述的附著性增強(qiáng)層設(shè)置在轉(zhuǎn)移層上方。即通過將薄膜的導(dǎo)電層通過附著性增強(qiáng)層固定在轉(zhuǎn)移層上，而在導(dǎo)電層上設(shè)置有感光膜層。在整體的導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)中，因為增加了附著性增強(qiáng)層，能夠?qū)?dǎo)電層上的納米金屬材料牢牢固定，解決了納米金屬材料與襯底黏附性差的問題；特別是在圖案化的工序中，避免納米金屬材料從襯底上脫落，在利用后期大型自動化生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行加工處理時，能夠保持導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定；即首先對可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜進(jìn)行掩膜曝光，通過顯影和刻蝕定義出導(dǎo)電圖案，而后通過轉(zhuǎn)移層，將整體已經(jīng)圖案化后的導(dǎo)電層進(jìn)行轉(zhuǎn)移。因為整個過程均可以通過自動化設(shè)備的操作（卷對卷制程）進(jìn)行，可進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)；另外，與
背景技術(shù)：
中的對比文件相比，本發(fā)明最終形成的導(dǎo)電薄膜，導(dǎo)電材料中并未引進(jìn)高阻成分（如光刻膠）。且圖案化工序完成后，導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)中不存在感光膜層，避免了對導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性和透光性造成影響。附著性增強(qiáng)層由聚合物分子與交聯(lián)劑形成。交聯(lián)劑與聚合物分子通過反應(yīng)后形成高聚結(jié)構(gòu)，因為高聚結(jié)構(gòu)為長鏈的結(jié)構(gòu)，相互交織形成的結(jié)構(gòu)形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，將納米金屬材料緊密包裹，通過這種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的包裹，能夠更加穩(wěn)固地對需要進(jìn)行固定的金屬材料進(jìn)行固定，一方面提高了納米金屬材料與襯底的黏附性，有效防止導(dǎo)電層脫落、位移、等其他品質(zhì)降低情況的發(fā)生。因為若是黏附性較差，在后期圖案化加工過程中，納米金屬材料容易從襯底脫離，對導(dǎo)電性造成破壞；另一方面增強(qiáng)了導(dǎo)電薄膜的穩(wěn)定性，即增強(qiáng)了導(dǎo)電薄膜對機(jī)械力（如彎折、拉伸等）和化學(xué)力（如長時間光照、水氧氧化、酸堿腐蝕）的耐受能力。優(yōu)選的，聚合物分子包含羥基或氨基基團(tuán)。優(yōu)選的，聚合物分子為聚酯多元醇類、聚醚多元醇類或纖維素類。優(yōu)選的，聚合物分子為聚乙烯醇、聚碳酸酯二醇、聚己內(nèi)酯多元醇、己二酸系聚酯二醇、聚丙二醇、聚四氫呋喃二醇、四氫呋喃-氧化丙烯共聚二醇、甲基纖維素、乙基纖維素、醋酸纖維素、三乙酸纖維素、丙酸纖維素、醋酸丙酸纖維素、醋酸丁酸纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、氰乙基纖維素、甲基羥乙基纖維素或羥丙基甲基纖維素。優(yōu)選的，交聯(lián)劑為n-羥甲基類交聯(lián)劑、n-羥甲基酰胺類交聯(lián)劑、通過醚化樹脂得到的低甲醛和超低甲醛交聯(lián)劑、酚醛類交聯(lián)劑、多元羧酸類交聯(lián)劑、環(huán)氧化合物類交聯(lián)劑、雙環(huán)氧基與雙氨基的反應(yīng)性有機(jī)硅類交聯(lián)劑、殼聚糖類交聯(lián)劑、殼聚糖類與戊二醛的混合交聯(lián)劑、水性聚氨酯類交聯(lián)劑、乙烯砜類交聯(lián)劑、含碳碳雙鍵的丙烯酰胺類交聯(lián)劑、乙二醛類交聯(lián)劑、陽離子聚電解質(zhì)類交聯(lián)劑或無機(jī)或有機(jī)硼類交聯(lián)劑。優(yōu)選的，交聯(lián)劑為二羥甲基乙烯脲、二羥甲基二羥基乙烯脲、六羥樹脂、1,2,3,4-四羧酸丁烷、檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、衣康酸、丙烯三酸、酒石酸、聚馬來酸和聚馬來酸-乙烯醇-丙烯酸、三聚氰酸三縮水甘油酯（tgic）、雙β-羥乙基砜、雙磺乙基砜、亞甲基雙丙烯酰胺(mba)、1,3,5-三丙烯酰胺六氫化均三嗪、聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚二烯二甲基氯化銨或多聚-l-賴氨酸。轉(zhuǎn)移層，包含有柔性襯底、膠黏層和離型膜，所述的柔性襯底設(shè)置在膠黏層上方，所述的膠黏層設(shè)置在離型膜上方。轉(zhuǎn)移層的的作用有兩個，一個是作為襯底，容納和固定住附著性增強(qiáng)層，從而固定導(dǎo)電層，另一方面則是作為轉(zhuǎn)移的粘性層，而在非粘性狀態(tài)下，則需要對粘性層進(jìn)行保護(hù)。而轉(zhuǎn)移層的結(jié)構(gòu)功能恰為如此。柔性襯底的作用就是作為襯底，為導(dǎo)電層提供一個良好的固定底座，而粘性層則是為了轉(zhuǎn)移到目標(biāo)物后的連接粘接，離型膜則是在非轉(zhuǎn)移過程中，保證膠黏層的粘性，不粘上雜質(zhì)。優(yōu)選的，柔性襯底的材料為塑料、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚醚醚酮、聚醚砜、乙烯醇、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸脂、聚甲醛樹酯、聚酰亞胺、聚氨酯、聚烯烴、聚乙烯類、金屬箔片、超薄玻璃、紙質(zhì)襯底、絲織物材料或生物復(fù)合材料。優(yōu)選的，膠黏層的材料為環(huán)氧樹脂類、聚氨酯類、聚丙烯酸酯類、氯化烯烴樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯類、聚醋酸乙烯類、馬來酸樹脂、氯化橡膠樹脂、環(huán)化橡膠樹脂、聚酰胺樹脂、聚酯樹脂或苯乙烯樹脂。優(yōu)選的，離型膜為pe離型膜、pet離型膜、opp離型膜、pc離型膜、ps隔離膜、pmma離型膜、bopp離型膜、pe剝離膜、tpx離型膜、pvc剝離膜、ptfe離型膜、pet離型膜、單硅離型薄膜、聚脂離型薄膜、特氟龍離型薄膜、復(fù)合式離型膜、耐高溫離型膜、聚苯醚剝離膜、聚四氟乙烯隔離膜、聚乙烯離形膜或復(fù)合離型膜。優(yōu)選的，感光膜層包含有多官能單體、光引發(fā)劑和光聚合物。優(yōu)選的，多官能單體為不少于兩個丙烯?；蚣谆；幕衔铩㈦p酚a的環(huán)氧乙烯或1,2環(huán)氧丙烯的添加劑或不少于三個丙烯酸酯的化合物。優(yōu)選的，多官能單體為乙二醇二丙烯酸酯、二甘醇二丙烯酸酯、三甘醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、n,n’-亞甲基雙丙烯酰胺、n,n’-亞芐基雙丙烯酰胺、甘油三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯或季戊四醇四丙烯酸酯或二季戊四醇六丙烯酸酯。優(yōu)選的，光引發(fā)劑為安息香、烷基二丙酮、蒽醌、4-(二烷基氨基)苯甲酸烷基酯或2,4,5-三芳基咪唑二聚物及其衍生物lobine二聚物。優(yōu)選的，光引發(fā)劑為安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、二丙酮、4,4’-雙（二乙基氨基）二丙酮、氯二丙酮、4,4’-二甲基氨基二丙酮、2-乙基蒽醌、2-正丁基蒽醌、4-(二烷基氨基)苯甲酸烷基酯或2,4,5-三芳基咪唑二聚物及其衍生物lobine二聚物。優(yōu)選的，光聚合物為丙烯酸、丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯或苯乙烯及其衍生物。優(yōu)選的，光聚合物為甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸2-乙基己基酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸苯氧基甲酯、丙烯酸2-苯氧基乙酯、馬來酸、馬來酸酐或乙酸乙烯基酯。導(dǎo)電層包含有金屬納米線或金屬納米顆粒。導(dǎo)電層中加入金屬納米線或者是金屬納米顆粒，是為了實現(xiàn)導(dǎo)電層的導(dǎo)電功能，而根據(jù)不同場景的導(dǎo)電需求，可以加入金屬納米線或者是金屬納米顆粒，以達(dá)到相應(yīng)的導(dǎo)電效果。優(yōu)選的，金屬納米線或金屬納米顆粒的材料為金、銀、銅或鎳?？赊D(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜可應(yīng)用于柔性觸摸屏、太陽能電池、柔性傳感器、可穿戴器件、薄膜晶體管或平板顯示器的制造。在這些領(lǐng)域上，本結(jié)構(gòu)在提升產(chǎn)品品質(zhì)與提升制造效率上，有較大的優(yōu)勢。本發(fā)明提供一種可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案，包含有轉(zhuǎn)移層、附著性增強(qiáng)層、圖案化的導(dǎo)電層；所述的圖案化的導(dǎo)電層設(shè)置在附著性增強(qiáng)層上方，所述的附著性增強(qiáng)層設(shè)置在轉(zhuǎn)移層上方。導(dǎo)電圖案為電子器件的關(guān)鍵之一，可直接直接作為元器件使用，如觸控屏的觸控線路；或者作為電極驅(qū)動，如各種傳感器的電極、顯示器件的驅(qū)動、薄膜晶體管的柵源漏電極或者太陽能電池的陰陽極等；或者作為電子器件的導(dǎo)線線路等。而本發(fā)明提供的可轉(zhuǎn)移導(dǎo)電圖案，可通過轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移并形成于任意襯底；借此為可轉(zhuǎn)移電子器件提供了解決方案。一種可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案的形成方法，包括以下步驟：s1曝光;s2顯影;s3刻蝕;s4去除感光膜層。一種可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案的形成方法，首先將本發(fā)明提供的一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜進(jìn)行曝光；通過掩膜定義出圖案區(qū)域，通過顯影制程使得非圖案區(qū)域的導(dǎo)電層暴露出來，而后進(jìn)行刻蝕處理；圖案區(qū)域的導(dǎo)電層有感光膜層的保護(hù)，所以刻蝕過程僅對裸露的導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成需要的圖案，最后通過去膠工藝，將仍附著在導(dǎo)電層上的感光膜層進(jìn)行去除，完成了圖案化過程。最后在需要轉(zhuǎn)移時，只需要將離型膜揭開，將膠黏層粘至目標(biāo)位置即可完成轉(zhuǎn)移。整個過程中因為都是圍繞圖案化與本身薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)計，能夠在保證不傷害薄膜結(jié)構(gòu)的情況下，進(jìn)行快速的圖案化處理，即能夠滿足工業(yè)化快速生產(chǎn)的目標(biāo)，因為本身在薄膜結(jié)構(gòu)上，已經(jīng)有了感光膜層，所以在生產(chǎn)過程中，只需要對掩膜或者曝光程序進(jìn)行修改，既可以快速生產(chǎn)處不同的圖案的薄膜，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需要。本發(fā)明還公開一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的形成和圖案化的大規(guī)模生產(chǎn)方法，其特征在于，應(yīng)用卷對卷制程。本發(fā)明的可轉(zhuǎn)移圖案化導(dǎo)電薄膜的制備以及后續(xù)的圖案化可以通過卷對卷制程一次性進(jìn)行制備實現(xiàn)，減少了生產(chǎn)的加工環(huán)節(jié)，提高了生產(chǎn)的效率。該制程包含以下工序：收放卷、表面處理、清洗、涂布、浸泡、加熱、覆膜、曝光、顯影、刻蝕、去膠。在本發(fā)明所公開的薄膜結(jié)構(gòu)中，其中的導(dǎo)電層、附著性增強(qiáng)層和感光膜層的形成均可采用印刷（如涂布、壓覆等）的手段實現(xiàn)，而圖案化的工序也均可應(yīng)用流水線生產(chǎn)，是一種適用于量產(chǎn)的解決方案。本發(fā)明具有以下的有益效果：1.薄膜的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。因為有附著性增強(qiáng)層的緣故，不僅可以有效增強(qiáng)導(dǎo)電層與襯底之間的粘附性，即導(dǎo)電薄膜不容易在圖案化制程中產(chǎn)生的機(jī)械力或者化學(xué)力的作用下脫落，另外粘附性增強(qiáng)層能夠更增強(qiáng)導(dǎo)電層的穩(wěn)定性，因為附著性增強(qiáng)層通過網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)對納米金屬材料進(jìn)行保護(hù)和固定，所以不容易受到外界的腐蝕和氧化。通過這些性質(zhì)，能夠使得導(dǎo)電薄膜通過大型設(shè)備進(jìn)行加工，實現(xiàn)大批量工業(yè)化的生產(chǎn)，而同時維持導(dǎo)電薄膜的優(yōu)良導(dǎo)電性。圖案化后的導(dǎo)電薄膜可以轉(zhuǎn)移。針對某些特別的目標(biāo)襯底或者器件應(yīng)用，由于結(jié)構(gòu)上（如曲面屏、大尺寸觸控屏）的特殊性或者器件的脆弱性（如oled顯示等），很難直接在所述的襯底或者器件上進(jìn)行導(dǎo)電薄膜的圖案化工序；而本發(fā)明制成后的圖案化導(dǎo)電薄膜，則是在形成導(dǎo)電圖案之后才轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上，一方面可以解決上述問題，另一方面提升了生產(chǎn)效率。薄膜的生產(chǎn)過程簡單，能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。通過低成本的制膜方式（涂布、覆膜等）來形成薄膜和結(jié)合本領(lǐng)域已成熟的光刻制程實現(xiàn)圖案化，成本低，效率高，并可兼容卷對卷制程，實現(xiàn)大面積生產(chǎn)。導(dǎo)電薄膜的圖案通過掩膜定義，無序改變其他工序，可實現(xiàn)工業(yè)快速生產(chǎn)。附圖說明圖1為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的轉(zhuǎn)移襯底-聚合物層-納米銀導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的轉(zhuǎn)移襯底-附著性增強(qiáng)層-納米銀導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的制程完成后的可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底的示意圖。圖6為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的一種可制程示意圖。圖7為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的整個實施例制程應(yīng)用卷對卷制程的示意圖。圖8為本發(fā)明一種可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的制程完成后的可轉(zhuǎn)移導(dǎo)電圖案。附圖說明：1為轉(zhuǎn)移層，11為柔性襯底，12為膠黏層，13為離型膜，2為附著性增強(qiáng)層，21為聚合物層，3為導(dǎo)電層，31為納米金屬材料，4為感光膠層，5為目標(biāo)襯底。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的有點和特征更易被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍作出更為清楚的界定。實施例1可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)如附圖1所示，自下往上依次層疊有離型膜，膠黏層，柔性襯底，附著性增強(qiáng)層，導(dǎo)電層和感光膜層。實施例2可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的總制備方法為，先制備導(dǎo)電油墨，導(dǎo)電油墨具體由聚合物分子、納米金屬材料、溶劑混合而成，而后附著在柔性襯底上，如附圖2所示，此時形成聚合物層和納米金屬材料的復(fù)合層，再通過向聚合物層添加交聯(lián)劑，使得交聯(lián)劑與聚合物層中的聚合物分子進(jìn)行反應(yīng)，形成附著性增強(qiáng)層，即如附圖3所示。最后將制備好的感光膜層附著在導(dǎo)電層上即完成可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的制備。實施例3可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的圖案化方法為，首先按照設(shè)定的圖案進(jìn)行曝光，曝光完畢后通過顯影液進(jìn)行顯影處理，此時未被曝光的感光膠層仍然存在，而被曝光處理的感光膠層則完全去除，露出導(dǎo)電層，此時再進(jìn)行刻蝕處理，刻蝕液會將裸露的導(dǎo)電層腐蝕?？涛g完畢后則進(jìn)行去膠工序。完成去膠后即完成導(dǎo)電層的圖案化。最后在需要轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜時，只需要撕開離型膜，將膠黏層與目標(biāo)襯底結(jié)合，如附圖4和附圖5所示，即完成。（是否添加實施例制作感光干膜）實施例4感光膜層的制備本實施例中按比例稱量多官能單體、光引發(fā)劑、光聚合物組分，并依次投入到丙酮溶劑中；常溫常壓下攪拌30分鐘；待完全溶解后過濾，靜止消泡10分鐘，以制備感光膜層材料。具體的，在本實施例中各個組分的比例為甘油三丙烯酸酯22wt%，2-乙基蒽醌27wt%，丙烯酸丙酯51wt%。將溶解后的制備的混合物涂布到聚脂膠片上，吹風(fēng)冷卻后，貼上聚乙烯保護(hù)膜，然后收卷暫存，形成感光干膜，包含聚酯支撐層、感光膜層和聚乙烯保護(hù)膜。涂布方式包含刮涂、噴涂和滾涂；本實施例中采用的為刮涂。當(dāng)然，本實施例中多官能單體、光引發(fā)劑、光聚合物與丙酮溶劑的混合物，也可以不用制成干膜，可直接配制成感光膠備用。實施例5納米銀線導(dǎo)電油墨制備及涂布。采用的納米銀線平均直徑為34nm，長度為18um，按照質(zhì)量比納米銀線：羥乙基纖維素：異丙醇=20mg:10mg:3.5g的比例混合，并超聲10分鐘搖勻分散。將分散均勻的導(dǎo)電油墨用#12um的邁耶棒涂布于轉(zhuǎn)移襯底上，涂布速度3cm/s，涂布后的濕膜厚度約10um；為了將溶劑揮發(fā)，將襯底轉(zhuǎn)移至70℃熱板上烘烤約2min。制得導(dǎo)電薄膜樣品s1，s2，s3，s4，s5，s6；其中s1測得的方塊電阻和透光率如表1（s1處理前）所示。樣品方塊電阻（ω/□）透光率s1（處理前）11.594.1%s1（處理后）1794.1%表1實施例6交聯(lián)劑浸泡前后薄膜的電光特性比較配置濃度為3%的聚乙烯亞胺溶液，在40℃條件下用磁力轉(zhuǎn)子均勻攪拌20min；將實施例5制得的透明導(dǎo)電薄膜s1完全浸沒于所配置聚乙烯亞胺交聯(lián)劑溶液中，時間為5min；浸泡完成后，用去離子水洗滌干凈，并用氮氣吹干。測得的方塊電阻和透光率如表1所示。在浸泡交聯(lián)劑后，薄膜的方塊電阻略微增加，而透光率不受影響。實施例7交聯(lián)劑浸泡前后薄膜的穩(wěn)定性比較為比較交聯(lián)劑處理前后，納米銀線薄膜的穩(wěn)定性，分別將s2，s3兩片薄膜在氫氧化鈉溶液中進(jìn)行超聲處理；其中，s3薄膜在進(jìn)行氫氧化鈉超聲前采用實施例6中所述的處理方法進(jìn)行過交聯(lián)劑處理。將兩片薄膜s2和s3置于5%的氫氧化鈉溶液中超聲5min，超聲溫度為50℃；測量它們氫氧化鈉溶液超聲前后的導(dǎo)電性，結(jié)果如表2所示。顯而易見，未經(jīng)過交聯(lián)劑處理的s2薄膜，納米銀線與襯底的黏附性很差，在氫氧化鈉溶液中超聲后，薄膜不導(dǎo)電；而對于s3薄膜，經(jīng)過交聯(lián)劑處理后，在同樣的條件下，導(dǎo)電性只有12%的下降。表2實施例7可轉(zhuǎn)移圖案化的透明導(dǎo)電薄膜制備將實施例5制成的s4進(jìn)行實施例6所述處理；然后將實施例4制得的感光干膜除去聚乙烯保護(hù)層的一面壓覆在s4的導(dǎo)電層上，形成可轉(zhuǎn)移圖案化的透明導(dǎo)電薄膜，結(jié)構(gòu)如附圖1。壓覆條件為：上輥溫度：110℃；下輥溫度：80℃；壓力：5kg/cm2；速度：0.8m/min；實施例8可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜的圖案化將上述壓覆完成后形成的可轉(zhuǎn)移圖案化的透明導(dǎo)電薄膜上感光干膜的支撐層（聚酯膠片）去除，而后至于紫外曝光機(jī)下曝光，曝光能量為200mj/cm2；曝光時將金屬掩膜板固定于薄膜上方。曝光完成后將薄膜浸泡在1%的碳酸鈉溶液中進(jìn)行顯影，顯影條件如下：顯影溫度：50℃；顯影時間：1min；顯影完成后，用清水對薄膜進(jìn)行清洗大約30s，用氮氣吹干后，放置于50℃的熱板上前烘5min。將上述薄膜浸泡于所配置的刻蝕液中，刻蝕時間大約30s，刻蝕液配置過程如下：按照摩爾比氨水：雙氧水=4:1的比例配置刻蝕液原液，而后將原液按照2:80的質(zhì)量比溶解于水中，配置形成刻蝕液；刻蝕完成后用清水洗滌將表面殘留物去除；用氮氣將表面吹干后，將上述薄膜置于5%的氫氧化鈉溶液中去膠；去膠條件如下：去膠溫度：50℃；去膠時間：超聲5min；去膠完成后，將薄膜用清水洗滌后氮氣吹干，去除表面殘膠。整個制程完成后形成可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案。制程前后薄膜的導(dǎo)電性如表3所示。為了驗證附著性增強(qiáng)層的作用，我們依照薄膜s4的流程對薄膜s5進(jìn)行類似處理，所不同的是，s5沒有經(jīng)過實施例6的聚酰亞胺溶液浸泡。制程完成后測量s5的方塊電阻，整片薄膜都不導(dǎo)電（表3）。表3中處理后s4的方塊電阻相比于表2中單純用氫氧化鈉超聲處理的s3薄膜更大，原因在于去膠過程中，感光膜層將一小部分的納米銀線從襯底帶走；但與未經(jīng)過聚酰亞胺交聯(lián)劑溶液處理的s5相比，由于s4薄膜形成了附著性增強(qiáng)層（如附圖3所示），在圖案化制程中，保證了納米銀線與襯底的附著；制程完成后方塊電阻為55ω/□，而55ω/□的方塊電阻值和93%的透光率已經(jīng)滿足商業(yè)化觸摸屏的特性需求（一般為幾百ω/□方塊電阻@89%透光率）。整個制程的流程如圖6。制程結(jié)束后，可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案如圖8所示。實施例9可轉(zhuǎn)移圖案化的透明導(dǎo)電薄膜制備將實施例5制成s6進(jìn)行實施例6所述處理；與實施例7不同的是，本實施例使用的是實施例4制得的感光膠。感光膠被刮刀涂布于s6的導(dǎo)電層上，經(jīng)過烘烤：烘烤溫度100℃；烘烤時間：20min；在s6的導(dǎo)電層上形成感光膜層，以完成可轉(zhuǎn)移圖案化的透明導(dǎo)電薄膜的制備。本實施例的優(yōu)勢在于涂布感光膠的方式簡單快捷，適用于實驗室的小批量生產(chǎn)；而實施例7采用的壓覆感光干膜的方式則適用于工業(yè)上的大面積量產(chǎn)。而后對s6薄膜進(jìn)行圖案化，其流程與實施例8相同，不再贅述。s6在圖案化后其導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電性、透光性與s4接近。表3實施例9卷對卷制備可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案附圖7給出一種卷對卷制備可轉(zhuǎn)移的導(dǎo)電圖案的實施案例。放卷卷軸8a按照前進(jìn)方向以一定速度給出轉(zhuǎn)移襯底81，經(jīng)由表面處理模塊8b對轉(zhuǎn)移襯底81進(jìn)行表面處理以增加襯底的表面能，可選用的表面處理包含等離子體處理、uv紫外處理、電暈處理等；涂布模塊8c將本文定義的金屬納米材料和聚合物分子的分散體（如實施例1中制備的納米銀導(dǎo)電油墨）涂布于轉(zhuǎn)移襯底81之上，可選的，經(jīng)過漂洗、干燥模塊8d，形成如附圖2所示的導(dǎo)電層；可選的涂布方式包含狹縫涂布、刮刀涂布、邁耶棒涂布、噴涂等；而后經(jīng)過交聯(lián)劑處理模塊8e，在本文定義的交聯(lián)劑的作用下，導(dǎo)電層中的聚合物分子發(fā)生交聯(lián)，經(jīng)過可選的漂洗、干燥模塊8f，在轉(zhuǎn)移襯底和導(dǎo)電層之間形成聚合物分子交聯(lián)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；所述的交聯(lián)劑處理模塊采用的處理方式包含浸泡、蒸發(fā)、噴涂、接觸涂布、擠壓涂布、刮刀涂布等；而后經(jīng)過覆膜模塊8g在導(dǎo)電層上覆壓感光膜層；形成本文定義的可轉(zhuǎn)移圖案化的導(dǎo)電薄膜84，其結(jié)構(gòu)如附圖1所示；采用的覆膜條件如實施例7所述；曝光模塊8h輸出能量密度為200mj/cm2的紫外光，透過掩膜使透光區(qū)域的感光膜層固化，經(jīng)過顯影模塊8i之后，被遮擋的區(qū)域感光膜層被去除，使該區(qū)域的導(dǎo)電層暴露；顯影模塊8i使用的顯影參數(shù)如實施例7所述；進(jìn)一步，刻蝕模塊8j將被暴露的導(dǎo)電層區(qū)域刻蝕，刻蝕液可采用過氧化氫溶液、高錳酸鉀溶液、稀硝酸溶液中的一種，更優(yōu)選的，采用實施例7中所述的雙氧水與氨水的混合稀釋溶液，可顯著提升刻蝕效率，刻蝕參數(shù)如實施例7所述；去膠模塊8k將導(dǎo)電層上多余的感光膜層去除，一般來講，去膠液可采用5%的naoh溶液，去膠條件如實施例7所述；根據(jù)此領(lǐng)域公知的事實，在曝光、顯影、刻蝕和去膠的過程中，需要使導(dǎo)電薄膜達(dá)到預(yù)定溫度，或者需要在一個步驟完成后，對導(dǎo)電薄膜進(jìn)行漂洗、干燥；因此，盡管附圖8中進(jìn)行了省略，但應(yīng)該認(rèn)識到在模塊8h至8k之間還包含有加熱、漂洗和干燥等多個模塊；經(jīng)過收卷卷軸8l完成收卷之后形成具有可轉(zhuǎn)移特性的導(dǎo)電圖案的卷材；該卷材具有如附圖4所示的結(jié)構(gòu)，在剝離離型膜之后，可轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基底（如附圖5），應(yīng)用于柔性觸摸屏、太陽能電池、柔性傳感器、可穿戴器件、薄膜晶體管、平板顯示等領(lǐng)域。上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施方式作了詳細(xì)說明，但是本發(fā)明并不限于上述實施方式，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作出各種變化。當(dāng)前第1頁12