技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開一種可轉移圖案化的導電薄膜結構及其圖案化方法，通過在轉移襯底上形成附著性增強層、導電層和感光膜層，在保證導電層與襯底的連接穩(wěn)固性的情況下，進行圖案化處理，形成可轉移的導電圖案，最后可通過轉移襯底將導電圖案轉移至目標基底。提供了一種高穩(wěn)定性、可兼容大面積量產的可轉移的導電圖案，為異形、曲面、可粘貼電子器件提供解決方案，具有較高的應用前景。

技術研發(fā)人員：楊柏儒;許鈺旺;劉貴師
受保護的技術使用者：中山大學
技術研發(fā)日：2017.03.22
技術公布日：2017.08.25