技術(shù)特征：

1.一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括襯底，襯底的上方形成有光吸收層，光吸收層的上方形成有雪崩增益層，雪崩增益層的上方形成有鋅擴(kuò)散層，所述鋅擴(kuò)散層由InP材料構(gòu)成，所述雪崩增益層由In_0.52Al_0.48As材料、In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料、In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料、In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As的成分漸變材料構(gòu)成，其中In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。

2.如權(quán)利要求1所述的一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料的成分漸變材料的漸變方式采用連續(xù)的線性漸變方式或不連續(xù)的跳躍漸變方式。

3.如權(quán)利要求1所述的一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述鋅擴(kuò)散層由不摻雜或是摻雜濃度小于1×10¹⁷cm^-3的InP材料構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1所述的一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光吸收層由In_0.53Ga_0.47As材料、InP材料、In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料構(gòu)成，其中In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。

5.如權(quán)利要求1所述的一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)還包括電荷層，所述電荷層設(shè)于所述雪崩增益層與所述光吸收層之間，所述電荷層由In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料構(gòu)成，其中In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。

6.如權(quán)利要求1所述的一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)還包括漸變層，所述漸變層設(shè)于所述雪崩增益層與所述光吸收層之間，所述漸變層由In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料、In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料、In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料的成分漸變材料構(gòu)成，In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。

7.一種雪崩二極管的制造方法，其特征在于：所述雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)自下而上包括襯底層、光吸收層、雪崩增益層和鋅擴(kuò)散層；采用InP材料構(gòu)成所述鋅擴(kuò)散層，同時(shí)采用In_0.52Al_0.48As材料、In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料、In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料、In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料的成分漸變材料構(gòu)成所述雪崩增益層，其中In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1；采用鋅擴(kuò)散的方法形成雪崩二極管的鋅擴(kuò)散區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的一種雪崩二極管的制造方法，其特征在于：采用In_0.53Ga_0.47As材料、InP材料、In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料構(gòu)成所述光吸收層，其中In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。

9.如權(quán)利要求7所述的一種雪崩二極管的制造方法，其特征在于：所述雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)還包括電荷層，所述電荷層設(shè)于所述雪崩增益層與所述光吸收層之間，采用In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料構(gòu)成所述電荷層，其中In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。

10.如權(quán)利要求7所述的一種雪崩二極管的制造方法，其特征在于：所述雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)還包括漸變層，所述漸變層設(shè)于所述雪崩增益層與所述光吸收層之間，采用In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料、In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料、In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料的成分漸變材料構(gòu)成所述漸變層，其中In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1，In_xGa_yAl_(1-x-y)As材料或In_xGa_yAl_(1-x-y)As的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。