技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，包括襯底，襯底的上方形成有光吸收層，光吸收層的上方形成有雪崩增益層，雪崩增益層的上方形成有鋅擴(kuò)散層，鋅擴(kuò)散層由InP材料構(gòu)成，雪崩增益層由In0.52Al0.48As材料、InxGa(1?x)AsyP(1?y)材料、InxGayAl(1?x?y)As材料、InxGa(1?x)AsyP(1?y)的成分漸變材料或InxGayAl(1?x?y)As的成分漸變材料構(gòu)成，其中InxGa(1?x)AsyP(1?y)材料或InxGa(1?x)AsyP(1?y)的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1，InxGayAl(1?x?y)As材料或InxGayAl(1?x?y)As的成分漸變材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。采用本發(fā)明可有效控制鋅擴(kuò)散區(qū)域的深度，精準(zhǔn)控制雪崩增益層的厚度，提升雪崩二極管器件的良率。本發(fā)明還公開了一種雪崩二極管的制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：黃文勇;王肇中
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢光谷量子技術(shù)有限公司
文檔號碼：201710175097
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.22
技術(shù)公布日：2017.06.23