本發(fā)明涉及發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

自從1880 年，J.居里和P.居里兄弟在晶體中最早發(fā)現(xiàn)了材料的壓電現(xiàn)象，開啟了壓電效應(yīng)的大門，各種關(guān)于壓電效應(yīng)的研究開始迅速發(fā)展了起來(lái)。后來(lái)人們發(fā)現(xiàn)木材、羊毛和骨頭等也具有壓電性并開始了聚合物壓電性的研究，開始合成壓電高聚物，但它們壓電性都很低，沒(méi)有實(shí)用價(jià)值。直到 1969 年，日本的科學(xué)家報(bào)道了聚偏氟乙烯（PVDF）在高溫高電壓下極化后可產(chǎn)生比較高的壓電性，有工業(yè)應(yīng)用價(jià)值，從而使壓電聚合物的研究發(fā)生了歷史性的轉(zhuǎn)折。壓電薄膜的出現(xiàn)，使得壓電效應(yīng)的應(yīng)用有了進(jìn)一步的突破。

而近年來(lái)，鈣鈦礦量子點(diǎn)作為一種新型的熒光材料，由于其發(fā)射光譜廣、半峰寬窄、光譜可調(diào)、量子產(chǎn)率高等優(yōu)點(diǎn)，在發(fā)光二極管、屏幕顯示等領(lǐng)域中顯示出極大的潛力，引起了很多研究學(xué)者的關(guān)注。但是，現(xiàn)有的鈣鈦礦量子點(diǎn)同時(shí)也存在著穩(wěn)定性差、分散性不足、容易團(tuán)聚等缺點(diǎn)，限制了對(duì)鈣鈦礦量子點(diǎn)的進(jìn)一步研究及應(yīng)用。

在科學(xué)研究中，利用復(fù)合高分子聚合物結(jié)構(gòu)對(duì)鈣鈦礦量子點(diǎn)進(jìn)行包裹保護(hù)，制備高質(zhì)量的量子點(diǎn)薄膜，能夠達(dá)到既分散又穩(wěn)定的效果。通過(guò)高分子聚合物包裹制備薄膜，得到穩(wěn)定性好的高質(zhì)量鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜，使得鈣鈦礦量子點(diǎn)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，擴(kuò)大鈣鈦礦量子點(diǎn)的使用范圍。

現(xiàn)階段，壓電薄膜主要應(yīng)用于音頻轉(zhuǎn)換器，機(jī)電傳感器，仿生領(lǐng)域等等，但是很少用于光學(xué)領(lǐng)域，尤其是發(fā)光器件。已有的壓電效應(yīng)指示發(fā)光器件，是利用壓電效應(yīng)，將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能，再通過(guò)一系列的放大電路進(jìn)行放大，再接通發(fā)光器件進(jìn)行指示。其過(guò)程繁瑣復(fù)雜，工藝復(fù)雜，不能夠一步到位。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件。該壓電發(fā)光器件穩(wěn)定性好，靈敏度高，巧妙利用壓電效應(yīng)和鈣鈦礦量子點(diǎn)的受激發(fā)光原理，直接實(shí)現(xiàn)機(jī)械能與光能之間的能量轉(zhuǎn)換。同時(shí)，鈣鈦礦量子點(diǎn)作為一種新型的熒光材料，具有發(fā)射光譜廣、半峰寬窄、光譜可調(diào)、量子產(chǎn)率高、顯色指數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，可以充分實(shí)現(xiàn)高顯色指數(shù)的效果，光學(xué)指示明顯，可以直接可視化觀察機(jī)械壓力的效果，效果簡(jiǎn)單方便，并且實(shí)現(xiàn)了機(jī)械能到光能的轉(zhuǎn)換，在指示燈、光電傳感器、壓力傳感器等領(lǐng)域中具有重要的實(shí)際意義。

本發(fā)明目的還在于提供所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法。

本發(fā)明通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。

一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件，由上至下，依次包括電極、空穴傳輸層、壓電膜和ITO導(dǎo)電玻璃；在整體發(fā)光器件的的側(cè)面設(shè)置有電源模塊；所述電源模塊分別與電極和ITO導(dǎo)電玻璃連接。

進(jìn)一步地，在電源模塊通電情況下，輔以外界壓力作用，壓電膜利用壓電效應(yīng)產(chǎn)生電勢(shì)差，補(bǔ)充電壓，使器件發(fā)光，發(fā)光強(qiáng)度和外界壓力呈正相關(guān)關(guān)系。

更進(jìn)一步地，所述電源模塊通電為1-4V的直流電源。

更進(jìn)一步地，所述外界壓力為100-500N。

更進(jìn)一步地，所述器件發(fā)光的發(fā)射光的半峰寬為20-40nm，波長(zhǎng)范圍為420-660nm。

進(jìn)一步地，所述電極的厚度為50~100nm。

進(jìn)一步地，所述電極的材料包括鋁、銅、鈦或鎳。

進(jìn)一步地，所述空穴傳輸層的厚度為50~100nm。

進(jìn)一步地，所述空穴傳輸層的材料包括PEDOT（3，4-乙撐二氧噻吩聚合物）/PSS（聚苯乙烯磺酸鹽）、NPB（N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺）、PVK（聚乙烯基咔唑）、TPBi（1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯）、PolyTPD（聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]）、TAPC（4,4'-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]）、CuSCN（硫氰酸亞銅）和CuI（碘化亞銅）中的一種以上。

進(jìn)一步地，所述壓電膜的厚度為100-500nm。

進(jìn)一步地，所述壓電膜具有壓電效應(yīng)，壓電應(yīng)變常數(shù)d₃₃為25-45pC/N。

進(jìn)一步地，所述壓電膜的材料包括鈣鈦礦量子點(diǎn)材料和壓電材料。

更進(jìn)一步地，所述壓電材料包括聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯和聚氯乙烯中的一種以上。

更進(jìn)一步地，所述鈣鈦礦量子點(diǎn)材料的化學(xué)式為ABX₃，其中：A為Cs、CH₃NH₃和NH₂-CH=NH₂中的一種以上；B為Pb和Sn中的一種以上；X為Cl、Br和I中的一種以上。

優(yōu)選的，所述X全為I時(shí)，制備的鈣鈦礦發(fā)光器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為630-660nm的紅光。

優(yōu)選的，所述X全為Br時(shí)，器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為490-510nm的綠光。

優(yōu)選的，所述X全為Cl時(shí)，器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為420-440nm的藍(lán)光。

優(yōu)選的，當(dāng)X由Cl和Br以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長(zhǎng)為450~480nm的發(fā)光器件。

優(yōu)選的，當(dāng)X由Br和I以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長(zhǎng)為580~620nm的發(fā)光器件。

進(jìn)一步地，所述ITO導(dǎo)電玻璃的厚度為100~500nm。

進(jìn)一步地，整體發(fā)光器件的周圍有一圈保護(hù)邊框，包括上保護(hù)邊框或下保護(hù)邊框兩種類型；保護(hù)邊框能使壓電膜不容易受到外界的干擾，提高穩(wěn)定性，且保護(hù)邊框的材料為透明材料，具有透光功能。

更進(jìn)一步地，所述上保護(hù)邊框包覆除整體發(fā)光器件底面外的整體發(fā)光器件。

更進(jìn)一步地，所述下保護(hù)邊框包覆除整體發(fā)光器件上端面外的整體發(fā)光器件。

更進(jìn)一步地，所述保護(hù)邊框采用的材料包括PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、PVC（聚氯乙烯）、PS（聚苯乙烯）、ABS（丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物）或PP（聚丙烯）。

更進(jìn)一步地，所述保護(hù)邊框的厚度為200~500μm。

制備所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的方法，包括如下步驟：

（1）ITO導(dǎo)電玻璃的清洗處理：對(duì)ITO導(dǎo)電玻璃依次采用甲苯、丙酮、乙醇和去離子水進(jìn)行超聲清洗；

（2）壓電膜的制備：將配制好的鈣鈦礦量子點(diǎn)材料前驅(qū)體溶液與壓電材料溶液混合，攪拌均勻，真空脫泡后，涂覆在ITO導(dǎo)電玻璃上，退火處理，在ITO導(dǎo)電玻璃上制得壓電膜；

（3）壓電膜的極化處理：將制得的壓電膜的進(jìn)行極化處理；

（4）空穴傳輸層及電極的制備：在極化后的壓電膜上旋涂空穴傳輸層材料溶液，旋涂后進(jìn)行退火處理，制得空穴傳輸層；在制備的空穴傳輸層上表面，通過(guò)蒸鍍制備電極；

（5）組裝電源回路：在完成壓電膜、空穴傳輸層及電極的制備的整體發(fā)光器件的側(cè)面放置電源模塊，通過(guò)釬焊方式，將ITO導(dǎo)電玻璃與電極分別與電源連接，形成電路回路，得到基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件；

（6）組裝保護(hù)邊框：在完成上述（1）-（5）基本步驟后，為保護(hù)鈣鈦礦發(fā)光器件，增加保護(hù)邊框，在鈣鈦礦發(fā)光器件連接面涂上一層OCA光學(xué)膠，和保護(hù)邊框進(jìn)行配合裝配，固定后保護(hù)邊框起到保護(hù)作用，得到具有保護(hù)邊框的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件。

進(jìn)一步地，步驟（1）中，所述甲苯、丙酮、乙醇和去離子水中超聲清洗的時(shí)間分別為10-20min、10-15min、10-20min和20-30min。

進(jìn)一步地，步驟（1）中，清洗完成后的ITO導(dǎo)電玻璃在無(wú)水乙醇中保存?zhèn)溆?，使用時(shí)再用大量去離子水清洗除去無(wú)水乙醇。

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述鈣鈦礦量子點(diǎn)材料前驅(qū)體溶液與壓電材料溶液的體積比為1:5~15。

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述鈣鈦礦量子點(diǎn)材料前驅(qū)體溶液的濃度為10mg/ml-30mg/ml。

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述鈣鈦礦量子點(diǎn)材料前驅(qū)體溶液中溶劑為體積比20:2:1的二甲基甲酰胺、油酸和油胺；

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述壓電材料溶液為壓電材料溶于非極性溶劑中得到。

更進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述非極性溶劑包括甲苯、三氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯或丙酮。

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述壓電材料溶液的濃度為0.05g/ml-0.5g/ml。

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述真空脫泡的時(shí)間為5~10min。

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述涂覆的方式包括旋涂法、流延法、蒸鍍法或溶液-氣相沉積法。

進(jìn)一步地，步驟（2）中，所述退火處理是在60~100℃下加熱30~60min。

進(jìn)一步地，步驟（3）中，所述極化處理包括拉伸極化和高溫?zé)針O化的一種以上，優(yōu)選為高溫?zé)針O化。

更進(jìn)一步地，所述拉伸極化是在65~120℃溫度下進(jìn)行單方向拉伸，拉伸比為3~5，再在130~150℃下退火30~45min。

更進(jìn)一步地，所述高溫?zé)針O化是在高溫電場(chǎng)中極化，極化的絕緣介質(zhì)為二甲基硅油，極化的溫度為90~120℃，極化的時(shí)間20~60min，極化電場(chǎng)為50~100MV/m。

進(jìn)一步地，步驟（4）中，所述空穴傳輸層材料溶液的濃度為10~20mg/ml。

進(jìn)一步地，步驟（4）中，所述退火處理是在100~120℃下加熱20~30min。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

本發(fā)明的發(fā)光器件穩(wěn)定性好，靈敏度高，直接實(shí)現(xiàn)機(jī)械能與光能之間的能量轉(zhuǎn)換，在指示燈、光電傳感器、壓力傳感器等領(lǐng)域中具有重要的實(shí)際意義，如將本發(fā)明發(fā)光器件應(yīng)用于跑步鞋上，通過(guò)壓力產(chǎn)生的發(fā)光次數(shù)記錄行走步數(shù)，簡(jiǎn)單快捷準(zhǔn)確地為健康運(yùn)動(dòng)提供記錄數(shù)據(jù)。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例中基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為實(shí)施例中基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的發(fā)光顏色光譜圖；

圖3為實(shí)施例中基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的倒裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為實(shí)施例中具有上保護(hù)邊框的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為實(shí)施例中具有下保護(hù)邊框的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述；應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本實(shí)施方式中基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，由上至下，依次包括電極10、空穴傳輸層11、壓電膜12和ITO導(dǎo)電玻璃13；在整體發(fā)光器件的的側(cè)面設(shè)置有電源模塊14；所述電源模塊14分別與電極10和ITO導(dǎo)電玻璃13連接；

在電源模塊14接通1-4V的直流電源情況下，輔以100-500N外界壓力作用，壓電膜12利用壓電效應(yīng)產(chǎn)生電勢(shì)差，補(bǔ)充電壓，使器件發(fā)光，發(fā)光強(qiáng)度和外界壓力呈正相關(guān)關(guān)系；器件發(fā)光的發(fā)射光的半峰寬為20-40nm，波長(zhǎng)范圍為420-660nm；

電極10的厚度為50~100nm；電極10的材料包括鋁、銅、鈦或鎳；空穴傳輸層11的厚度為50~150nm；空穴傳輸層11的材料包括PEDOT/PSS、NPB、PVK、TPBi、PolyTPD、TAPC、CuSCN和CuI中的一種以上；ITO導(dǎo)電玻璃13的厚度為100~500nm；

壓電膜12的厚度為100-500nm；壓電膜12具有壓電效應(yīng)，壓電應(yīng)變常數(shù)d₃₃為25-45pC/N；壓電膜12的材料包括鈣鈦礦量子點(diǎn)材料和壓電材料；壓電材料包括聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯和聚氯乙烯中的一種以上；鈣鈦礦量子點(diǎn)材料的化學(xué)式為ABX₃，其中：A為Cs、CH₃NH₃和NH₂-CH=NH₂中的一種以上；B為Pb和Sn中的一種以上；X為Cl、Br和I中的一種以上；當(dāng)X全為I時(shí)，制備的鈣鈦礦發(fā)光器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為630-660nm的紅光；當(dāng)X全為Br時(shí)，器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為490-510nm的綠光；當(dāng)X全為Cl時(shí)，器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為420-440nm的藍(lán)光；當(dāng)X由Cl和Br以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長(zhǎng)為450~480nm的發(fā)光器件；當(dāng)X由Br和I以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長(zhǎng)為580~620nm的發(fā)光器件；

整體發(fā)光器件在使用需要情況下，周圍加有一圈保護(hù)邊框，包括上保護(hù)邊框或下保護(hù)邊框兩種類型；上保護(hù)邊框包覆除整體發(fā)光器件底面外的整體發(fā)光器件，下保護(hù)邊框包覆除整體發(fā)光器件上端面外的整體發(fā)光器件；保護(hù)邊框采用的材料包括PMMA、PVC、PMMA、PS、ABS或PP；保護(hù)邊框的厚度為200~500μm。

實(shí)施例1

基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備，包括如下步驟：

（1）ITO導(dǎo)電玻璃13（厚度為100nm）的清洗處理：依次按下述采用的溶劑和時(shí)間：甲苯(15min)→丙酮(15min)→乙醇(15min)→去離子水(25min)的順序?qū)TO導(dǎo)電玻璃13進(jìn)行超聲清洗；

（2）壓電膜12的制備：將壓電材料PVDF溶于甲苯中，得到濃度為0.1g/ml的壓電材料溶液；將壓電材料溶液與鈣鈦礦量子點(diǎn)材料CsPbI₃的前驅(qū)體溶液（濃度為20mg/ml，溶劑為10ml二甲基甲酰胺(DMF)，并輔助加入1ml油酸和0.5ml油胺溶液）按體積比10:1進(jìn)行混合，充分?jǐn)嚢杈鶆蚝?，進(jìn)行真空脫泡5min，除去氣泡；將除去氣泡后的混合溶液在清洗后的ITO導(dǎo)電玻璃13上旋涂制膜，旋涂參數(shù)設(shè)定為預(yù)旋轉(zhuǎn)速采用200rpm，預(yù)旋時(shí)間為10s，旋涂速度為1000rpm，時(shí)間為20s；旋涂后在120℃下加熱30min進(jìn)行退火處理，得到壓電膜12的厚度為200nm；

（3）壓電膜12的極化處理：采用高溫?zé)針O化法，將具有壓電膜的ITO導(dǎo)電玻璃放置在一對(duì)平面電極里面保護(hù)起來(lái)，再浸入絕緣介質(zhì)二甲基硅油中，將二甲基硅油加熱并保溫在90℃，在上下電極加上電壓80MV/m，進(jìn)行極化，極化時(shí)間為40min；接著保持電場(chǎng)，將溫度降到常溫，然后撤去電場(chǎng)，極化完成；極化完成后的壓電膜12的壓電應(yīng)變常數(shù)d₃₃為35pC/N；

（4）空穴傳輸層11的制備：選用空穴傳輸層材料PolyTPD溶于氯苯，配制成1%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的溶液，在壓電膜12上進(jìn)行旋涂，旋涂參數(shù)設(shè)定為預(yù)旋轉(zhuǎn)速采用1000rpm，預(yù)旋時(shí)間為10s，旋涂速度為2000rpm，時(shí)間為20s；旋涂后在120℃下加熱30min進(jìn)行退火處理；得到的空穴傳輸層11的厚度為80nm；

（5）電極10的制備：采用鋁顆粒材料，在空穴傳輸層11上面蒸鍍一層電極10，厚度為60nm；

（6）組裝電源回路：電源模塊14采用直流電源，電源為2V；將電源模塊14放在發(fā)光器件的側(cè)面，通過(guò)釬焊的方式，將ITO導(dǎo)電玻璃13和電極10與電源模塊14分別相連，形成電路回路；制備得到基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件。

制備的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件在電源接通情況下，輔以外界壓力300N，器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為632nm的紅光，半峰寬為40nm。

實(shí)施例2

基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備，包括如下步驟：

制備步驟與實(shí)施例1相同，不同之處在于鈣鈦礦量子點(diǎn)材料為CsPbBr₃。

制備的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件在電源接通情況下，輔以外界增加壓力300N，壓電發(fā)光器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為500nm的綠光，半峰寬為35nm。

實(shí)施例3

基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備，包括如下步驟：

制備步驟與實(shí)施例1相同，不同之處在于鈣鈦礦量子點(diǎn)材料為CsPbCl₃。

制備的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件在電源接通情況下，輔以外界增加壓力300N，壓電發(fā)光器件發(fā)射出主波長(zhǎng)為435nm的綠光，半峰寬為22nm。

實(shí)施例4

基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備，包括如下步驟：

制備步驟與實(shí)施例1相同，不同之處在于鈣鈦礦量子點(diǎn)材料為CsPbX₃，

（1）X由Cl和Br以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長(zhǎng)為450~480nm的發(fā)光器件，參照?qǐng)D2；

（2）X由Br和I以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長(zhǎng)為580~620nm的發(fā)光器件，參照?qǐng)D2。

實(shí)施例5

倒裝結(jié)構(gòu)的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備，包括如下步驟：

制備步驟與實(shí)施例1相同，不同之處在于在ITO導(dǎo)電玻璃13上制備空穴傳輸層后，再進(jìn)行壓電膜12的制備。

制備的倒裝結(jié)構(gòu)的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的機(jī)構(gòu)示意圖如圖3所示，由上至下依次包括電極10、壓電膜12、空穴傳輸層11和ITO導(dǎo)電玻璃13，在整體發(fā)光器件的的側(cè)面設(shè)置有電源模塊14；所述電源模塊14分別與電極10和ITO導(dǎo)電玻璃13連接。

倒裝結(jié)構(gòu)擴(kuò)大了鈣鈦礦發(fā)光器件的應(yīng)用范圍，滿足了一些特殊場(chǎng)合使用要求。

實(shí)施例6

基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備，包括如下步驟：

制備步驟與實(shí)施例1相同，在制備得到的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件上，為了保護(hù)鈣鈦礦復(fù)合壓電膜不容易受到外界的干擾，提高穩(wěn)定性，從上而下加上一圈保護(hù)邊框，為上保護(hù)邊框15，上保護(hù)邊框包覆除整體發(fā)光器件底面外的整體發(fā)光器件，整體結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所示；將鈣鈦礦發(fā)光器件連接面，即頂面涂上一層OCA光學(xué)膠，和上保護(hù)邊框進(jìn)行配合裝配，固定后上保護(hù)邊框起到保護(hù)作用；保護(hù)邊框的材料選用透明材料PMMA，實(shí)現(xiàn)透光功能，保護(hù)邊框的厚度為400μm。

實(shí)施例7

基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備，包括如下步驟：

制備步驟與實(shí)施例1相同，在制備得到的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件上，為了保護(hù)鈣鈦礦復(fù)合壓電膜不容易受到外界的干擾，提高穩(wěn)定性，從下而上加上一圈保護(hù)邊框，為下保護(hù)邊框16，下保護(hù)邊框包覆除整體發(fā)光器件上端面外的整體發(fā)光器件，整體結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示；將鈣鈦礦發(fā)光器件連接面，即底面涂上一層OCA光學(xué)膠，和下保護(hù)邊框進(jìn)行配合裝配，固定后下保護(hù)邊框起到保護(hù)作用；保護(hù)材料選用透明材料PMMA，實(shí)現(xiàn)透光功能，保護(hù)邊框的厚度為400μm。

最后說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非起到限制作用，盡管參照一定實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。