1.一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件，其特征在于，由上至下，依次包括電極（10）、空穴傳輸層（11）、壓電膜（12）和ITO導電玻璃（13）；在整體發(fā)光器件的的側(cè)面設(shè)置有電源模塊（14）；所述電源模塊（14）分別與電極（10）和ITO導電玻璃（13）連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件，其特征在于，在電源模塊（14）通電情況下，輔以外界壓力作用，壓電膜（12）利用壓電效應產(chǎn)生電勢差，補充電壓，使器件發(fā)光，發(fā)光強度和外界壓力呈正相關(guān)關(guān)系；所述電源模塊（14）通電為1-4V的直流電源；所述外界壓力為100-500N；所述器件發(fā)光的發(fā)射光的半峰寬為20-40nm，波長范圍為420-660nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件，其特征在于， 所述電極（10）的厚度為50~100nm；所述電極（10）的材料包括鋁、銅、鈦或鎳；所述空穴傳輸層（11）的厚度為50~150nm；所述空穴傳輸層（11）的材料包括PEDOT/PSS、NPB、PVK、TPBi、PolyTPD、TAPC、CuSCN和CuI中的一種以上；所述壓電膜（12）的厚度為100-500nm；所述壓電膜（12）具有壓電效應，壓電應變常數(shù)d33為25-45pC/N；所述壓電膜（12）的材料包括鈣鈦礦量子點材料和壓電材料；所述ITO導電玻璃（13）的厚度為100~500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件，其特征在于，所述壓電材料包括聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯和聚氯乙烯中的一種以上；所述鈣鈦礦量子點材料的化學式為ABX3，其中：A為Cs、CH3NH3和NH2-CH=NH2中的一種以上；B為Pb和Sn中的一種以上；X為Cl、Br和I中的一種以上；所述X全為I時，制備的鈣鈦礦發(fā)光器件發(fā)射出主波長為630-660nm的紅光；所述X全為Br時，器件發(fā)射出主波長為490-510nm的綠光；所述X全為Cl時，器件發(fā)射出主波長為420-440nm的藍光；當X由Cl和Br以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長為450~480nm的發(fā)光器件；當X由Br和I以摩爾比1:1~1:2的混合，得到發(fā)射主波長為580~620nm的發(fā)光器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件，其特征在于，整體發(fā)光器件的周圍有一圈保護邊框，包括上保護邊框或下保護邊框兩種類型；所述上保護邊框包覆除整體發(fā)光器件底面外的整體發(fā)光器件，所述下保護邊框包覆除整體發(fā)光器件上端面外的整體發(fā)光器件；所述保護邊框采用的材料包括PMMA、PVC、PMMA、PS、ABS或PP；所述保護邊框的厚度為200~500μm。
6.制備權(quán)利要求1~5任一項所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）ITO導電玻璃的清洗處理：對ITO導電玻璃依次采用甲苯、丙酮、乙醇和去離子水進行超聲清洗；
（2）壓電膜的制備：將配制好的鈣鈦礦量子點材料前驅(qū)體溶液與壓電材料溶液混合，攪拌均勻，真空脫泡后，涂覆在ITO導電玻璃上，退火處理，在ITO導電玻璃上制得壓電膜；
（3）壓電膜的極化處理：將制得的壓電膜的進行極化處理；
（4）空穴傳輸層及電極的制備：在極化后的壓電膜上旋涂空穴傳輸層材料溶液，旋涂后進行退火處理，制得空穴傳輸層；在制備的空穴傳輸層上表面，通過蒸鍍制備電極；
（5）組裝電源回路：在完成壓電膜、空穴傳輸層及電極的制備的整體發(fā)光器件的側(cè)面放置電源模塊，通過釬焊方式，將ITO導電玻璃與電極分別與電源連接，形成電路回路，得到基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件；
（6）組裝保護邊框：在完成上述（1）-（5）基本步驟后，為保護鈣鈦礦發(fā)光器件，增加保護邊框，在鈣鈦礦發(fā)光器件連接面涂上一層OCA光學膠，和保護邊框進行配合裝配，得到具有保護邊框的基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述ITO玻璃在甲苯、丙酮、乙醇和去離子水中超聲清洗的時間分別為10-20min、10-15min、10-20min和20-30min；清洗完成后的ITO導電玻璃在無水乙醇中保存?zhèn)溆?，使用時再用大量去離子水清洗除去無水乙醇。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述鈣鈦礦量子點材料前驅(qū)體溶液與壓電材料溶液的體積比為1:5~15；所述鈣鈦礦量子點材料前驅(qū)體溶液的濃度為10-30mg/ml，前驅(qū)體溶液中溶劑為體積比20:2:1的二甲基甲酰胺、油酸和油胺；所述壓電材料溶液為壓電材料溶于非極性溶劑中得到，非極性溶劑包括甲苯、三氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯或丙酮；所述壓電材料溶液的濃度為0.05g/ml-0.5g/ml；所述真空脫泡的時間為5~10min；所述涂覆的方式包括旋涂法、流延法、蒸鍍法或溶液-氣相沉積法；所述退火處理是在60~100℃下加熱30~60min。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述極化處理包括拉伸極化和高溫熱極化中的一種以上；所述拉伸極化是在65~120℃溫度下進行單方向拉伸，拉伸比為3~5，再在130~150℃下退火30~45min；所述高溫熱極化是在高溫電場中極化，極化的絕緣介質(zhì)為二甲基硅油，極化的溫度為90~120℃，極化的時間20~60min，極化電場為50~100MV/m。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于壓電膜的鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（4）中，所述空穴傳輸層材料溶液的濃度為10~20mg/ml；所述退火處理是在100~120℃下加熱20~30min。