技術特征：

技術總結
本申請公開了一種半導體器件及其制作方法。該半導體器件集成了吸收電路用于吸收半導體器件切換時的尖峰電壓。該吸收電路包括多個偽溝槽柵結構。偽溝槽柵包括從半導體器件的頂面垂直向下延伸進入半導體初始層的溝槽，溝槽中淀積導電材料，在溝槽的底面和側面生長溝槽電介質層用于將導電材料和半導體初始層隔開。該偽溝槽柵結構可以靈活設置吸收電路的電阻、電容值，提高半導體器件吸收尖峰電壓的能力。

技術研發(fā)人員：王懷峰;艾瑞克·布勞恩;汪玲
受保護的技術使用者：成都芯源系統(tǒng)有限公司
技術研發(fā)日：2017.03.31
技術公布日：2017.10.20