本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種tft基板的制作方法及tft基板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(cf，colorfilter)基板、薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(lc，liquidcrystal)及密封膠框(sealant)組成。其中，tft基板是液晶顯示面板中的主要驅(qū)動(dòng)元件，直接關(guān)系到高性能液晶顯示裝置的發(fā)展方向。

如圖1至圖3所示，現(xiàn)有的tft基板的制作方法包括如下步驟：

步驟1、如圖1所示，提供襯底基板100，在所述襯底基板100上從下到上依次制作緩沖層200、有源層300、柵極絕緣層400、柵極500、及層間介電層600；

步驟2、如圖2所示，對(duì)所述層間介電層600與柵極絕緣層400同時(shí)進(jìn)行蝕刻，在所述層間介電層600與柵極絕緣層400上形成分別對(duì)應(yīng)于有源層300兩端的通孔；

步驟3、如圖3所示，在所述層間介電層600上從下到上依次制作源極700與漏極800、平坦層900、公共電極1000、鈍化層1100、及像素電極1200。

上述tft基板的制作方法的步驟2中，由于所述層間介電層600與柵極絕緣層400的總厚度較大，因此對(duì)二者同時(shí)進(jìn)行蝕刻的制程比較難以控制，容易出現(xiàn)通孔未刻穿或者通孔過蝕刻導(dǎo)致有源層300損失量不一致的情況，造成產(chǎn)品異常。因此有必要提供一種改進(jìn)的tft基板的制作方法，以解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種tft基板的制作方法，能夠提升有源層的均一性，降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成的蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

本發(fā)明的目的還在于提供一種tft基板，能夠提升有源層的均一性，降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成的蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種tft基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供襯底基板，在所述襯底基板上從下到上依次制作緩沖層與有源層；對(duì)所述有源層兩端進(jìn)行離子摻雜，形成兩離子重?fù)诫s區(qū)；在所述有源層與緩沖層上形成柵極絕緣層；

步驟2、在所述柵極絕緣層上形成光阻層，采用半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光、顯影，在所述光阻層中形成第一凹槽和兩第一通孔；所述第一凹槽位于所述兩離子重?fù)诫s區(qū)之間待形成的溝道區(qū)的上方，所述兩第一通孔分別位于所述兩離子重?fù)诫s區(qū)的上方；

步驟3、以剩余光阻層為遮擋，對(duì)所述柵極絕緣層進(jìn)行蝕刻，在所述柵極絕緣層分別對(duì)應(yīng)于所述兩第一通孔下方的區(qū)域形成兩第一過孔；

步驟4、對(duì)所述光阻層進(jìn)行整體薄化處理，使得所述第一凹槽轉(zhuǎn)化為第二通孔；

以剩余的光阻層為遮擋，對(duì)所述有源層進(jìn)行離子摻雜，在有源層對(duì)應(yīng)位于所述第二通孔下方的區(qū)域形成溝道區(qū)；

步驟5、剝離剩余的光阻層，在所述柵極絕緣層上沉積第一金屬層，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)上方的柵極、以及分別位于兩第一過孔內(nèi)的兩跨接金屬塊；

步驟6、以所述柵極為遮擋對(duì)有源層進(jìn)行離子摻雜，得到分別位于溝道區(qū)與兩離子重?fù)诫s區(qū)之間的兩離子輕摻雜區(qū)；

步驟7、在所述柵極絕緣層上形成層間介電層，對(duì)所述層間介電層進(jìn)行蝕刻，在所述層間介電層上形成分別位于所述兩跨接金屬塊上方的兩第二過孔；

步驟8、在所述層間介電層上沉積第二金屬層，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到間隔分布于所述層間介電層上并分別通過兩第二過孔與兩跨接金屬塊接觸的源極與漏極；

步驟9、在所述層間介電層上從下到上依次制作平坦層、公共電極、鈍化層及像素電極。

所述步驟3中對(duì)所述柵極絕緣層和所述步驟7中對(duì)所述層間介電層進(jìn)行蝕刻的方法均為干蝕刻。

所述步驟4中，采用光阻灰化的方法對(duì)所述光阻層進(jìn)行整體薄化處理。

所述像素電極通過貫穿所述平坦層和鈍化層中的第三過孔與所述漏極接觸。

所述襯底基板為玻璃基板；所述緩沖層、柵極絕緣層、層間介電層、鈍化層的材料為氮化硅和氧化硅中的一種或多種的組合；所述有源層的材料為多晶硅；所述柵極與跨接金屬塊的材料包括鉬、鋁、銅、鈦、鎢、及以上金屬的合金中的至少一種；所述平坦層的材料為透明有機(jī)絕緣材料；所述公共電極與像素電極的材料均為氧化銦錫。

本發(fā)明還提供一種tft基板，包括：襯底基板、覆蓋于所述襯底基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的有源層、覆蓋于所述有源層和緩沖層上的柵極絕緣層、貫穿所述柵極絕緣層的兩第一過孔、分別位于兩第一過孔內(nèi)的兩跨接金屬塊、設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極、覆蓋于所述柵極以及柵極絕緣層上的層間介電層、貫穿所述層間介電層的兩第二過孔、間隔分布于所述層間介電層上的源極與漏極、以及設(shè)于所述源極、漏極和層間介電層上自下而上層疊設(shè)置的平坦層、公共電極、鈍化層和像素電極；

所述有源層包括：溝道區(qū)、分別位于溝道區(qū)兩側(cè)的兩離子重?fù)诫s區(qū)和分別位于溝道區(qū)與兩離子重?fù)诫s區(qū)之間的兩離子輕摻雜區(qū)；

所述兩第一過孔分別位于兩離子重?fù)诫s區(qū)的上方，所述兩跨接金屬塊分別與兩離子重?fù)诫s區(qū)接觸，所述柵極位于溝道區(qū)上的柵極絕緣層上；

所述兩第二過孔分別與兩第一過孔連通，所述源極和漏極分別通過兩第二過孔與兩跨接金屬塊接觸。

所述像素電極通過貫穿所述平坦層和鈍化層中的第三過孔與所述漏極接觸。

所述第一過孔通過對(duì)柵極絕緣層單獨(dú)進(jìn)行干蝕刻得到，所述第二過孔通過對(duì)層間介電層單獨(dú)進(jìn)行干蝕刻得到。

所述襯底基板為玻璃基板；所述緩沖層、柵極絕緣層、層間介電層、鈍化層的材料為氮化硅和氧化硅中的一種或多種的組合；所述有源層的材料為多晶硅；所述柵極與跨接金屬塊的材料包括鉬、鋁、銅、鈦、鎢、及以上金屬的合金中的至少一種；所述平坦層的材料為透明有機(jī)絕緣材料；所述公共電極與像素電極的材料均為氧化銦錫。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種tft基板的制作方法，先蝕刻?hào)艠O絕緣層形成兩第一過孔，并在兩第一過孔內(nèi)形成與兩跨接金屬塊，再蝕刻層間介電層形成分別與兩第一過孔連通的兩第二過孔，源極和漏極分別通過兩第二過孔與兩跨接金屬塊接觸，通過將傳統(tǒng)的一次蝕刻工藝制作出柵極絕緣層與層間介電層的過孔結(jié)構(gòu)改進(jìn)為兩次蝕刻工藝，能夠提升有源層的均一性，降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成的蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。本發(fā)明還提供一種tft基板，能夠提升有源層的均一性，降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成的蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的tft基板的制作方法的步驟1的示意圖；

圖2為現(xiàn)有的tft基板的制作方法的步驟2的示意圖；

圖3為現(xiàn)有的tft基板的制作方法的步驟3的示意圖；

圖4為本發(fā)明的tft基板的制作方法的流程圖；

圖5為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟1的示意圖；

圖6為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟2的示意圖；

圖7為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟3的示意圖；

圖8為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟4的示意圖；

圖9為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟5的示意圖；

圖10為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟6的示意圖；

圖11為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟7的示意圖；

圖12為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟8的示意圖；

圖13為本發(fā)明的tft基板的制作方法的步驟9的示意圖暨本發(fā)明的tft基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明提供一種tft基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖5所示，提供襯底基板10，在所述襯底基板10上從下到上依次制作緩沖層20與有源層30；

對(duì)所述有源層30兩端進(jìn)行離子摻雜，形成兩離子重?fù)诫s區(qū)31；

在所述有源層30與緩沖層20上形成柵極絕緣層40。

具體地，所述襯底基板10為玻璃基板。

具體地，所述緩沖層20的材料分別為氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的一種或多種的組合。

具體地，所述有源層30的材料為多晶硅。

具體地，所述步驟1中，采用一道光罩對(duì)所述有源層30兩端進(jìn)行離子摻雜。

步驟2、如圖6所示，在所述柵極絕緣層40上形成光阻層50，采用半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層50進(jìn)行曝光、顯影，在所述光阻層50中形成第一凹槽51和兩第一通孔52；所述第一凹槽51位于所述兩離子重?fù)诫s區(qū)31之間待形成的溝道區(qū)的上方，所述兩第一通孔52分別位于所述兩離子重?fù)诫s區(qū)31的上方；

具體地，所述柵極絕緣層40的材料分別為氮化硅和氧化硅中的一種或多種的組合。

步驟3、如圖7所示，以剩余的光阻層50為遮擋，對(duì)所述柵極絕緣層40進(jìn)行蝕刻，在所述柵極絕緣層40分別對(duì)應(yīng)于所述兩第一通孔52下方的區(qū)域形成兩第一過孔41。

具體地，所述步驟3中，對(duì)所述柵極絕緣層40進(jìn)行蝕刻的方法為干蝕刻。

具體地，由于柵極絕緣層厚度較薄，進(jìn)行蝕刻的制程容易控制，制程均一性較佳，不容易出現(xiàn)過孔未刻穿或者過孔過蝕刻導(dǎo)致有源層30損失量不一致的問題，提升了產(chǎn)品品質(zhì)。

步驟4、如圖8所示，對(duì)所述光阻層50進(jìn)行整體薄化處理，使得所述第一凹槽51轉(zhuǎn)化為第二通孔53；

以剩余的光阻層50為遮擋，對(duì)所述有源層30進(jìn)行離子摻雜，在有源層30對(duì)應(yīng)位于所述第二通孔53下方的區(qū)域形成溝道區(qū)32。

具體地，所述步驟4中，采用光阻灰化的方法對(duì)所述光阻層50進(jìn)行整體薄化處理。

步驟5、如圖9所示，剝離剩余的光阻層50，在所述柵極絕緣層40上沉積第一金屬層，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)32上方的柵極60、以及分別位于所述兩第一過孔41內(nèi)的兩跨接金屬塊61。

具體的，所述柵極60與兩跨接金屬塊61的材料包括鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)、鈦(ti)、鎢(w)、及以上金屬的合金中的至少一種。

步驟6、如圖10所示，在不采用光罩的情況下，以所述柵極60為遮擋對(duì)整個(gè)有源層30進(jìn)行離子摻雜，得到位于溝道區(qū)32與兩離子重?fù)诫s區(qū)31之間的兩離子輕摻雜區(qū)34。

步驟7、如圖11所示，在所述柵極絕緣層40上形成層間介電層70，對(duì)所述層間介電層70進(jìn)行蝕刻，在所述層間介電層70形成分別位于所述兩跨接金屬塊61上方的兩第二過孔71。

具體地，所述步驟7中，對(duì)所述層間介電層70進(jìn)行蝕刻的方法為干蝕刻。

具體地，由于所述第二過孔71的底層為跨接金屬塊61，因此在蝕刻的時(shí)候不用擔(dān)心底層有源層30損失量(loss)，制程界限(window)較大，可有效降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

具體地，所述層間介電層70的材料分別為氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的一種或多種的組合。

步驟8、如圖12所示，在所述層間介電層70上沉積第二金屬層，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到間隔分布于所述層間介電層70上并分別通過兩第二過孔71與兩跨接金屬塊61接觸的源極81與漏極82。

步驟9、如圖13所示，在所述層間介電層70上從下到上依次制作平坦層90、公共電極101、鈍化層110及像素電極102。

具體地，所述步驟9中，在所述鈍化層110以及平坦層90上形成位于所述漏極82的上方的第三過孔111，所述像素電極102通過所述第三過孔111與漏極82接觸。

具體地，所述平坦層90的材料為透明有機(jī)絕緣材料。

具體地，所述公共電極101與像素電極102的材料均為氧化銦錫。

具體地，所述鈍化層110的材料分別為氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的一種或多種的組合。

上述tft基板的制作方法，將傳統(tǒng)的一次蝕刻工藝制作出柵極絕緣層40與層間介電層70的過孔結(jié)構(gòu)改進(jìn)為兩次蝕刻工藝，先蝕刻?hào)艠O絕緣層40，由于柵極絕緣層40厚度較薄，制程均一性較佳，可有效避免因蝕刻造成的有源層30損失不均，再蝕刻層間介電層70，其第二過孔71的底部為跨接金屬塊61，避免了蝕刻對(duì)有源層30的影響，制程界限較大，可有效降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

請(qǐng)參閱圖13，基于上述tft基板的制作方法，本發(fā)明還提供一種tft基板，包括：襯底基板10、覆蓋于所述襯底基板10上的緩沖層20、設(shè)于所述緩沖層20上的有源層30、覆蓋于所述有源層30和緩沖層20上的柵極絕緣層40、貫穿所述柵極絕緣層40的兩第一過孔41、分別位于兩第一過孔41內(nèi)的兩跨接金屬塊61、設(shè)于所述柵極絕緣層40上的柵極60、覆蓋于所述柵極60以及柵極絕緣層40上的層間介電層70、貫穿所述層間介電層70的兩第二過孔71、間隔分布于所述層間介電層70上的源極81與漏極82、以及設(shè)于所述源極81、漏極82和層間介電層70上自下而上層疊設(shè)置的平坦層90、公共電極101、鈍化層110和像素電極102；

所述有源層30包括：溝道區(qū)32、分別位于溝道區(qū)32兩側(cè)的兩離子重?fù)诫s區(qū)31和分別位于溝道區(qū)32與兩離子重?fù)诫s區(qū)31之間的兩離子輕摻雜區(qū)34；

所述兩第一過孔41分別位于兩離子重?fù)诫s區(qū)31的上方，所述兩跨接金屬塊61分別與兩離子重?fù)诫s區(qū)31接觸，所述柵極60位于溝道區(qū)32上的柵極絕緣層40上；

所述兩第二過孔71分別與兩第一過孔41連通，所述源極81和漏極82分別通過兩第二過孔71與兩跨接金屬塊61接觸。

具體地，所述第一過孔41通過對(duì)柵極絕緣層40單獨(dú)進(jìn)行干蝕刻得到。

具體地，所述第二過孔71通過對(duì)層間介電層70單獨(dú)進(jìn)行干蝕刻得到。

具體地，所述像素電極102通過貫穿所述鈍化層110以及平坦層90的第三過孔111與漏極82接觸。

具體地，所述襯底基板10為玻璃基板。

具體地，所述緩沖層20、柵極絕緣層40、層間介電層70、鈍化層110的材料分別為氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的一種或多種的組合。

具體地，所述有源層30的材料為多晶硅。

具體地，所述柵極60與跨接金屬塊61的材料包括鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)、鈦(ti)、鎢(w)、及以上金屬的合金中的至少一種。

具體地，所述平坦層90的材料為透明有機(jī)絕緣材料。

具體地，所述公共電極101與像素電極102的材料均為氧化銦錫。

上述tft基板，將傳統(tǒng)的柵極絕緣層40與層間介電層70的一過孔結(jié)構(gòu)分為兩個(gè)過孔結(jié)構(gòu)，先蝕刻?hào)艠O絕緣層40，由于柵極絕緣層40厚度較薄，制程均一性較佳，可有效避免因蝕刻造成的有源層30損失不均，再蝕刻層間介電層70，其第二過孔71的底部為跨接金屬塊61，避免了蝕刻對(duì)有源層30的影響，制程界限較大，可有效降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

綜上所述，本發(fā)明的tft基板的制作方法及tft基板，先蝕刻?hào)艠O絕緣層形成兩第一過孔，并在兩第一過孔內(nèi)形成與兩跨接金屬塊，再蝕刻層間介電層形成分別與兩第一過孔連通的兩第二過孔，源極和漏極分別通過兩第二過孔與兩跨接金屬塊接觸，通過將傳統(tǒng)的一次蝕刻工藝制作出柵極絕緣層與層間介電層的過孔結(jié)構(gòu)改進(jìn)為兩次蝕刻工藝，能夠提升有源層的均一性，降低制程難度，避免因蝕刻厚度較厚而造成的蝕刻停止的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。