1.基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括依次層疊的Si襯底、HfO2柵介質(zhì)層和二硫化鉬導(dǎo)電溝道，以及在導(dǎo)電溝道上的金屬源電極和金屬漏電極，其中，所述HfO2柵介質(zhì)層的薄膜表面粗糙度為0.21～0.65nm；所述二硫化鉬導(dǎo)電溝道為單層的二硫化鉬三角片，其場(chǎng)效應(yīng)厚度為0.7～1.0nm；所述的金屬源電極為鉻/金堆疊結(jié)構(gòu)，所述的金屬漏電極為鉻/金堆疊結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述Si襯底的厚度為625μm±25μm。
3.如權(quán)利要求1所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述Si襯底為N型磷摻雜的單拋光硅襯底，(100)晶向，電阻率小于0.0015Ω.cm，厚度為625μm±25μm。
4.如權(quán)利要求1所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述HfO2柵介質(zhì)層的厚度為50～120nm。
5.如權(quán)利要求4所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述HfO2柵介質(zhì)層的厚度為120nm。
6.如權(quán)利要求1所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述HfO2柵介質(zhì)層表面粗糙度為0.65nm，厚度為120nm。
7.如權(quán)利要求1所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述的二硫化鉬導(dǎo)電溝道的場(chǎng)效應(yīng)厚度為1.0nm。
8.如權(quán)利要求1所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述鉻/金堆疊結(jié)構(gòu)中，鉻層厚度為5～20nm，金層厚度為40～80nm。
9.如權(quán)利要求8所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述鉻/金堆疊結(jié)構(gòu)中，鉻層厚度為5nm，金層厚度為50nm。
10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，包括以下步驟：
(1)依次使用丙酮、異丙醇、去離子水將Si襯底超聲清洗各10～30分鐘，再用氮?dú)鈽尨蹈蓚溆茫?/p>
(2)在所述Si襯底上采用原子層沉積方法的方式生長(zhǎng)HfO2作為高介電常數(shù)柵介質(zhì)層，HfO2柵介質(zhì)層的薄膜表面粗糙度為0.21～0.65nm：
(3)利用常壓化學(xué)氣相沉積法在所述的HfO2/Si上面直接生長(zhǎng)單層的MoS2三角片導(dǎo)電溝道，其場(chǎng)效應(yīng)厚度為0.7～1.0nm；
(4)采用電子束曝光工藝和電子束蒸發(fā)的方式，在所述MoS2三角片導(dǎo)電溝道上制備金屬源漏電極，所采用的金屬為Cr/Au堆疊結(jié)構(gòu)，得到基于高k柵介質(zhì)的二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管。