技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了基于高k柵介質(zhì)的大面積二硫化鉬場效應(yīng)晶體管及其制備，該場效應(yīng)晶體管包括依次層疊的Si襯底、薄膜表面粗糙度為0.21～0.65nm的HfO2柵介質(zhì)層和場效應(yīng)厚度為0.7～1.0nm的單層二硫化鉬三角片導電溝道，以及在導電溝道上的金屬源漏電極。其中，厚度可控的HfO2柵介質(zhì)層是在Si襯底上ALD生長制得，單層大面積的MoS2三角片導電溝道是在柵介質(zhì)上面直接CVD生長制得。該場效應(yīng)晶體管具有良好的背柵柵壓調(diào)控特性，場效應(yīng)遷移率有很大的提升，且MoS2尺寸大、可重復(fù)性好、產(chǎn)量高、耗時短，有望實現(xiàn)MoS2大規(guī)模集成電路的制備和工業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：張禮杰;趙梅;董幼青;鄒超;黃少銘
受保護的技術(shù)使用者：溫州大學
文檔號碼：201710229913
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.10
技術(shù)公布日：2017.06.30