技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于儲能研究領域，特別涉及一種硅碳負極材料，所述硅碳負極材料顆粒直徑為D1，由核結(jié)構(gòu)、第1包覆層、第2包覆層、……、第n包覆層、低n+1包覆層組成(n≥2)；所述核結(jié)構(gòu)、第1包覆層、第2包覆層、……、第n包覆層、第n+1包覆層中，硅基組分含量分別為x0％、x1％、……、xn％、xn+1％；且x0％<x1％<……<xn％,2≤n。該結(jié)構(gòu)可以有效的解決顆粒內(nèi)層體積膨脹外溢導致顆粒外層結(jié)構(gòu)破裂問題，從而制備得到性能優(yōu)良的硅碳負極材料。

技術(shù)研發(fā)人員：毛方會;楊玉潔
受保護的技術(shù)使用者：廣東燭光新能源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.24
技術(shù)公布日：2017.08.25