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一種頂發(fā)射OLED器件及制備方法、顯示面板與流程

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一種頂發(fā)射OLED器件及制備方法、顯示面板與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種頂發(fā)射OLED器件及制備方法、顯示面板。



背景技術(shù):

隨著小面積、無(wú)源驅(qū)動(dòng)技術(shù)的日趨成熟,人們開(kāi)始轉(zhuǎn)而研究大面積、有緣驅(qū)動(dòng)技術(shù)。大尺寸顯示一般采用TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管),其中,底發(fā)射OLED器件以基板上的陽(yáng)極層作為出光面,由于TFT設(shè)置在基板上,造成開(kāi)口率低。因此,要實(shí)現(xiàn)高亮度的大面積有機(jī)發(fā)光,需要使用頂發(fā)射OLED器件,將出光面與TFT分開(kāi),徹底解決開(kāi)口率低的問(wèn)題。

本申請(qǐng)的發(fā)明人在長(zhǎng)期的研發(fā)中發(fā)現(xiàn),現(xiàn)有的頂發(fā)射OLED器件制備中,一般采用全反射陽(yáng)極層和半透明陰極層,但是頂發(fā)射OLED器件為了保證陰極的半透明性質(zhì),要求陰極的厚度在幾十納米左右,導(dǎo)致陰極層的導(dǎo)電性無(wú)法保證,造成大尺寸的OLED顯示面板中心和邊緣區(qū)域存在較大的壓降,使顯示面板發(fā)光的亮度不均勻。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種頂發(fā)射OLED器件及制備方法、顯示面板,能夠增強(qiáng)陰極層的導(dǎo)電性,減小OLED顯示面板中心和邊緣區(qū)域的壓降,使OLED器件的顯示更加均勻。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種頂發(fā)射OLED器件,包括:

依次設(shè)置的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層、陰極層和電學(xué)增強(qiáng)層,其中,所述電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于所述陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種頂發(fā)射OLED器件的制備方法,包括:

S1、在基板上依次制備陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層;

S2、在所述陰極層上形成電學(xué)增強(qiáng)層,其中,所述電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于所述陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種顯示面板,包括:

頂發(fā)射OLED器件,包括依次設(shè)置的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層、陰極層和電學(xué)增強(qiáng)層,其中,所述電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于所述陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性;

驅(qū)動(dòng)電路,耦接所述陽(yáng)極層和/或陰極層,用于控制所述OLED器件發(fā)光。

本發(fā)明通過(guò)在頂發(fā)射OLED器件的陰極層增加電學(xué)增強(qiáng)層,增強(qiáng)陰極層的導(dǎo)電性,減小OLED顯示面板中心和邊緣區(qū)域的壓降,使OLED器件的顯示更加均勻。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明頂發(fā)射OLED器件一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本發(fā)明頂發(fā)射OLED器件另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3是本發(fā)明頂發(fā)射OLED器件另一實(shí)施例的側(cè)視示意圖;

圖4是本發(fā)明頂發(fā)射OLED器件的制備方法實(shí)施例的流程示意圖;

圖5是本發(fā)明顯示面板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。

參見(jiàn)圖1,本發(fā)明頂發(fā)射OLED器件一實(shí)施例包括:

依次設(shè)置的基板1、陽(yáng)極層2、有機(jī)功能層3、陰極層4和電學(xué)增強(qiáng)層5,其中,電學(xué)增強(qiáng)層5的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于陰極層4的導(dǎo)電性和/或透光性。

可選地,基板1可以是透明材料,例如玻璃等;陽(yáng)極層2可以是導(dǎo)電性較好的材料,例如銀或ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等;有機(jī)功能層3可以包括多層導(dǎo)電材料,例如PEDT/PSS(聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽)的水性分散體)、PFO(聚9,9-二辛基芴)或LiF(氟化鋰)等;陰極層4可以是透光較好的材料,例如較薄的鎂或銀層等;電學(xué)增強(qiáng)層5可以是透光性較好并且導(dǎo)電性較好的材料,例如石墨烯、有機(jī)納米粒子、金屬納米顆?;蚪饘傺趸锏?。

在外界驅(qū)動(dòng)下,有機(jī)功能層3產(chǎn)生的光穿過(guò)陰極層4射出,電學(xué)增強(qiáng)層5通過(guò)厚度的彌補(bǔ),減小整個(gè)陰極層4電極的方塊電阻,使加載在OLED器件的中心和邊緣的電壓的差減小,從而使有機(jī)功能層3對(duì)應(yīng)OLED器件的中心和邊緣產(chǎn)生的光的強(qiáng)度差變??;同時(shí),由于電學(xué)增強(qiáng)層5的透光性較好,對(duì)陰極層4射出的光不會(huì)產(chǎn)生影響或者產(chǎn)生較小的影響。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在頂發(fā)射OLED器件的陰極層形成電學(xué)增強(qiáng)層,增強(qiáng)陰極層的導(dǎo)電性,減小OLED顯示面板中心和邊緣區(qū)域的壓降,使OLED器件的顯示更加均勻。

參見(jiàn)圖2和圖3,本發(fā)明頂發(fā)射OLED器件另一實(shí)施例包括:

依次設(shè)置的基板10、陽(yáng)極層20、有機(jī)功能層30、陰極層40和電學(xué)增強(qiáng)層50,其中,電學(xué)增強(qiáng)層50的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于陰極層40的導(dǎo)電性和/或透光性。

可選地,電學(xué)增強(qiáng)層50的厚度為1nm~200nm,可以是50nm、100nm或150nm,并且整面覆蓋陰極層40。

可選地,電學(xué)增強(qiáng)層50的導(dǎo)電性高于陰極層40的導(dǎo)電性,且電學(xué)增強(qiáng)層50的透光性高于陰極層40的透光性。

可選地,有機(jī)功能層30包括空穴注入層301、發(fā)光層302和電子注入層303,其中,空穴注入層301、發(fā)光層302和電子注入層303依次電性連接,空穴注入層301與陽(yáng)極層20電性連接,電子注入層303與陰極層40電性連接。

可選地,空穴注入層301可以是便于控制空穴注入速度的材料,例如PEDT/PSS等;發(fā)光層302可以是發(fā)光效率高的材料,例如PFO等;電子注入層303可以是便于控制電子注入速度的材料,例如LiF等;電學(xué)增強(qiáng)層50可以是透光性和導(dǎo)電性都較好的材料,例如石墨烯、有機(jī)納米粒子、金屬納米顆?;蚪饘傺趸?,其中,有機(jī)納米粒子可以是碳納米管,金屬納米顆??梢允羌{米銀,金屬氧化物可以是IZnO或IGaO。

具體的,陰極層40的電子和陽(yáng)極層20的空穴在驅(qū)動(dòng)電路的作用下,分別通過(guò)電子注入層303和空穴注入層301后,在發(fā)光層302結(jié)合并發(fā)光。光經(jīng)過(guò)陰極層40,從電學(xué)增強(qiáng)層50射出,由于電學(xué)增強(qiáng)層50的透光性高于陰極層40的透光性,在增強(qiáng)陰極層40導(dǎo)電性的同時(shí)不會(huì)影響光的亮度。

可選地,電學(xué)增強(qiáng)層50還可以是導(dǎo)電性高于陰極層40的導(dǎo)電性,且電學(xué)增強(qiáng)層50的透光性不高于陰極層40的透光性的材料;或者電學(xué)增強(qiáng)層50還可以是導(dǎo)電性不高于陰極層40的導(dǎo)電性,且電學(xué)增強(qiáng)層50的透光性高于陰極層40的透光性的材料。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在頂發(fā)射OLED器件的陰極層形成電學(xué)增強(qiáng)層,增強(qiáng)陰極層的導(dǎo)電性,減小OLED顯示面板中心和邊緣區(qū)域的壓降,使OLED器件的顯示更加均勻。

參見(jiàn)圖4,本發(fā)明頂發(fā)射OLED器件的制備方法實(shí)施例包括:

S1、在基板上依次制備陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層;

可選地,有機(jī)功能層包括空穴注入層、發(fā)光層和電子注入層。

可選地,在基板上通過(guò)磁控濺射形成ITO膜,作為OLED器件的陽(yáng)極層,其中,ITO膜的厚度為20nm~200nm,可以是50nm、100nm或150nm;或者在基板上通過(guò)真空蒸鍍形成銀膜,作為OLED器件的陽(yáng)極層,其中,銀膜的厚度為10nm~100nm,可以是30nm、50nm或80nm;

可選地,在陽(yáng)極層上通過(guò)噴墨打印形成PEDT/PSS膜,作為OLED器件的空穴注入層,其中,PEDT/PSS膜的厚度為1nm~100nm,可以是20nm、50nm或80nm;

可選地,在空穴注入層上通過(guò)噴墨打印形成PFO膜,作為OLED器件的藍(lán)色發(fā)光層,其中,PFO膜的厚度為1nm~100nm,可以是20nm、50nm或80nm;

可選地,在發(fā)光層上通過(guò)蒸鍍形成LiF(氟化鋰)膜,作為OLED器件的電子注入層,其中,LiF膜的厚度為0.5nm~10nm,可以是1nm、5nm或8nm;

可選地,在電子注入層上通過(guò)蒸鍍形成銀或鎂膜,作為OLED器件的陰極層,其中,銀或鎂膜的厚度為10nm~200nm,可以是50nm、100nm或150nm。

可選地,陽(yáng)極層、空穴注入層、發(fā)光層、電子注入層和陰極層還可以利用鋁、CuPc(酞菁銅)、Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)等其他材料,通過(guò)蒸鍍、打印等其他方式成膜。

S2、在陰極層上形成電學(xué)增強(qiáng)層,其中,電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性。

可選地,在陰極層上通過(guò)PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)形成石墨烯膜,作為OLED器件的電學(xué)增強(qiáng)層,其中,石墨烯膜的厚度為1nm~200nm,可以是50nm、100nm或150nm。

可選地,電學(xué)增強(qiáng)層還可以由有機(jī)納米粒子、金屬納米顆?;蚪饘傺趸镏瞥?,其中有機(jī)納米粒子可以是碳納米管,金屬納米顆粒可以是納米銀,金屬氧化物可以是IZnO或IGaO;電學(xué)增強(qiáng)層還可以通過(guò)蒸鍍、打印等方法制備。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在頂發(fā)射OLED器件的陰極層形成電學(xué)增強(qiáng)層,增強(qiáng)陰極層的導(dǎo)電性,減小OLED顯示面板中心和邊緣區(qū)域的壓降,使OLED器件的顯示更加均勻。

參見(jiàn)圖5,本發(fā)明顯示面板實(shí)施例包括:

頂發(fā)射OLED器件401,包括依次設(shè)置的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層、陰極層和電學(xué)增強(qiáng)層,其中,電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性;

驅(qū)動(dòng)電路402,耦接陽(yáng)極層和/或陰極層,用于控制OLED器件發(fā)光。

具體的,頂發(fā)射OLED器件401的結(jié)構(gòu)參見(jiàn)上述頂發(fā)射OLED器件實(shí)施例。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在頂發(fā)射OLED器件的陰極層形成電學(xué)增強(qiáng)層,增強(qiáng)陰極層的導(dǎo)電性,減小OLED顯示面板中心和邊緣區(qū)域的壓降,使OLED器件的顯示更加均勻。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式,并非因此限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍,凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。

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