1.一種頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，包括：
依次設(shè)置的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層、陰極層和電學(xué)增強(qiáng)層，其中，所述電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于所述陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，
所述電學(xué)增強(qiáng)層的導(dǎo)電性高于所述陰極層的導(dǎo)電性，且所述電學(xué)增強(qiáng)層的透光性高于所述陰極層的透光性；
所述電學(xué)增強(qiáng)層的導(dǎo)電性高于所述陰極層的導(dǎo)電性，且所述電學(xué)增強(qiáng)層的透光性不高于所述陰極層的透光性；
所述電學(xué)增強(qiáng)層的導(dǎo)電性不高于所述陰極層的導(dǎo)電性，且所述電學(xué)增強(qiáng)層的透光性高于所述陰極層的透光性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，
所述電學(xué)增強(qiáng)層整面覆蓋所述陰極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED器件，其特征在于，
所述電學(xué)增強(qiáng)層的厚度為1nm～200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，
所述電學(xué)增強(qiáng)層的材料為石墨烯、有機(jī)納米粒子、金屬納米顆?；蚪饘傺趸铩?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED器件，其特征在于，
所述有機(jī)納米粒子為碳納米管，所述金屬納米顆粒為納米銀，所述金屬氧化物為IZnO或IGaO。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，
所述有機(jī)功能層包括空穴注入層、發(fā)光層和電子注入層，其中，所述空穴注入層、發(fā)光層和電子注入層依次電性連接，所述空穴注入層與所述陽(yáng)極層電性連接，所述電子注入層與所述陰極層電性連接。
8.一種頂發(fā)射OLED器件的制備方法，其特征在于，包括：
S1、在基板上依次制備陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層；
S2、在所述陰極層上形成電學(xué)增強(qiáng)層，其中，所述電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于所述陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，
所述電學(xué)增強(qiáng)層的導(dǎo)電性高于所述陰極層的導(dǎo)電性，且所述電學(xué)增強(qiáng)層的透光性高于所述陰極層的透光性；
所述電學(xué)增強(qiáng)層的導(dǎo)電性高于所述陰極層的導(dǎo)電性，且所述電學(xué)增強(qiáng)層的透光性不高于所述陰極層的透光性；
所述電學(xué)增強(qiáng)層的導(dǎo)電性不高于所述陰極層的導(dǎo)電性，且所述電學(xué)增強(qiáng)層的透光性高于所述陰極層的透光性。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括：
頂發(fā)射OLED器件，包括依次設(shè)置的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層、陰極層和電學(xué)增強(qiáng)層，其中，所述電學(xué)增強(qiáng)層的材料導(dǎo)電性和/或透光性高于所述陰極層的導(dǎo)電性和/或透光性；
驅(qū)動(dòng)電路，耦接所述陽(yáng)極層和/或陰極層，用于控制所述OLED器件發(fā)光。