本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板。

背景技術(shù)：

近年來，隨著各種顯示技術(shù)，如lcd(liquidcrystaldisplay，液晶顯示器)顯示、oled(organiclight-emittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示、柔性顯示等的不斷發(fā)展，采用大尺寸、高分辨率顯示面板的產(chǎn)品層出不窮。傳統(tǒng)的硅基薄膜晶體管因遷移率低已不能滿足實際需求，金屬氧化物薄膜晶體管以其遷移率高、均勻性好、制備工藝簡單等優(yōu)點引起廣泛的關(guān)注。

現(xiàn)有技術(shù)中，制備金屬氧化物薄膜晶體管時，一般先形成高電阻的金屬氧化物有源層，之后對金屬氧化物有源層中與源極和漏極接觸的區(qū)域進行導體化。通常本領(lǐng)域技術(shù)人員通過ar(氬)、he(氦)等氣體對有源層上與源極和漏極接觸的區(qū)域進行等離子體處理，實現(xiàn)對有源層的導體化。如圖1所示，由于導體化的效果不好，會導致有源層與源極和漏極之間的接觸電阻rc，以及有源層低電流漏端區(qū)域(ldd區(qū))的電阻rldd都比較大，即源極和漏極與有源區(qū)之間存在較大的寄生電阻rp，其中，rp＝2rc+2rldd。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，可以降低源極和漏極與有源區(qū)之間的寄生電阻。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種薄膜晶體管，包括設(shè)置在襯底上的有源層、源極、漏極、柵極、以及柵絕緣層，所述有源層包括源極區(qū)、漏極區(qū)、以及有源區(qū)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的材料主要由金屬構(gòu)成，所述有源區(qū)為半導體材料，所述半導體材料由所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的金屬材料的氧化物構(gòu)成。

優(yōu)選的，所述有源層、所述柵絕緣層、所述柵極、鈍化層、以及所述源極和所述漏極從下到上依次設(shè)置在所述襯底上；所述源極和所述漏極通過所述鈍化層上的過孔分別與所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)接觸；其中，所述柵極和所述柵絕緣層的圖案相同。

進一步優(yōu)選的，所述有源層與所述鈍化層之間還設(shè)置有金屬層，所述金屬層在襯底上的正投影與所述源極區(qū)和漏極區(qū)在襯底上的正投影重合。

進一步優(yōu)選的，所述柵絕緣層為絕緣體材料，所述絕緣體材料由所述金屬層的金屬材料的氧化物構(gòu)成。

第二方面，提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底上形成第一金屬層，對所述第一金屬層上待形成有源區(qū)進行氧化處理，使待形成有源區(qū)的材料為半導體，形成有源層；在襯底上形成柵絕緣層、柵極、源極和漏極。

優(yōu)選的，在襯底上形成所述有源層的步驟包括：在襯底上形成所述第一金屬層；在形成有所述第一金屬層的襯底上形成露出待形成有源區(qū)的光刻膠層；采用陽極氧化工藝對待形成有源區(qū)進行處理，使待形成有源區(qū)的材料為半導體，形成所述有源層。

優(yōu)選的，在襯底上形成所述柵絕緣層和所述柵極的步驟包括：在形成有所述光刻膠層的襯底上依次形成絕緣薄膜和金屬薄膜；將所述光刻膠層剝離，形成圖案相同的所述柵絕緣層和所述柵極。

優(yōu)選的，在襯底上形成所述有源層和所述柵絕緣層的步驟包括：在襯底上通過同一次構(gòu)圖工藝形成層疊設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層；對所述第一金屬層上的待形成有源區(qū)和所述第二金屬層上的待形成柵絕緣層進行氧化處理，使待形成有源區(qū)的材料為半導體，形成所述有源層，使待形成柵絕緣層的材料為絕緣體，形成所述柵絕緣層。

優(yōu)選的，對所述第一金屬層上的待形成有源區(qū)和所述第二金屬層上的待形成柵絕緣層進行氧化處理的步驟包括：在形成有所述第一金屬層和所述第二金屬層的襯底上形成露出待形成柵絕緣層的光刻膠層；采用陽極氧化工藝對待形成柵絕緣層和待形成有源區(qū)進行處理。

第三方面，提供一種陣列基板，包括第一方面所述的薄膜晶體管。

本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，通過將薄膜晶體管有源層的源極區(qū)和漏極區(qū)的材料主要由金屬構(gòu)成，使得源極區(qū)和漏極區(qū)的導電性能較好。這樣一來，有源層與源極和漏極之間的接觸電阻rc，以及有源層低電流漏端區(qū)域(ldd區(qū))的電阻rldd都較小，幾乎為零，有效的減小了源極和漏極與有源區(qū)之間的寄生電阻rp。

此外，本發(fā)明通過將有源層的源極區(qū)和漏極區(qū)用金屬制備形成，與現(xiàn)有技術(shù)相比，既省略了對源極區(qū)和漏極區(qū)導體化的工藝，簡化工藝、節(jié)省成本、提高器件遷移率和穩(wěn)定性；又可以避免因?qū)υ礃O區(qū)和漏極區(qū)導體化效果不好而影響薄膜晶體管性能的情況，提高產(chǎn)品良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(a)為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2(b)為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖2(c)為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖2(d)為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種制備薄膜晶體管的過程示意圖一；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程圖一；

圖6(a)-圖6(e)為本發(fā)明實施例提供的一種制備薄膜晶體管的過程示意圖二；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種制備薄膜晶體管的過程示意圖二；

圖8(a)-圖8(e)為本發(fā)明實施例提供的一種制備薄膜晶體管的過程示意圖三。

附圖標記

10-襯底；20-有源層；21-源極區(qū)；22-漏極區(qū)；23-有源區(qū)；24-第一金屬層；25-光刻膠層；30-源極；40-漏極；50-柵極；51-金屬薄膜；60-柵絕緣層；61-絕緣薄膜；70-鈍化層；80-金屬層；81-第二金屬層。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提到“上方”是以形成薄膜晶體管過程中的先后順序而言的，對于任意兩層，后形成的一層，則位于在先形成的一層的上方。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，如圖2(a)-2(d)所示，包括設(shè)置在襯底10上的有源層20、源極30、漏極40、柵極50、以及柵絕緣層60，有源層20包括源極區(qū)21、漏極區(qū)22、以及有源區(qū)23，源極區(qū)21和漏極區(qū)22的材料主要由金屬構(gòu)成，有源區(qū)23為半導體材料，所述半導體材料由源極區(qū)21和漏極區(qū)22的金屬材料的氧化物構(gòu)成。

需要說明的是，第一，本發(fā)明實施例不對襯底10上各膜層的具體結(jié)構(gòu)及形狀進行限定，可以是圖2(a)-2(d)中任意一種。

即，可以如圖2(a)-2(c)所示，源極30和漏極40同層設(shè)置，源極30和漏極40之間通過絕緣層隔開，源極30和漏極40通過絕緣層上的過孔分別與源極區(qū)21和漏極區(qū)22接觸。其中，絕緣層可以如圖2(a)所述為鈍化層70；也可以如圖2(c)所示為柵絕緣層60；還可以如圖2(b)所示包括鈍化層70和柵絕緣層60。也可以如圖2(d)所示，源極30和漏極40同層設(shè)置，源極30和漏極40直接與源極區(qū)21和漏極區(qū)22接觸。當然還可以是其他能夠保證薄膜晶體管性能的結(jié)構(gòu)。

其中，有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22的材料主要由金屬構(gòu)成，有源區(qū)23主要由所述金屬的氧化物構(gòu)成。

第二，本發(fā)明實施例不對有源層20的厚度進行限定，例如可以但不限于是20nm-100nm。

第三，有緣層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22主要由金屬構(gòu)成，此處，金屬可以為單質(zhì)金屬、合金材料、或者摻雜后的金屬。其中，上述金屬的氧化物為半導體材料，有源區(qū)23的材料為半導體，即為上述金屬的氧化物。

第四，對于襯底10的材料，可以是柔性襯底、玻璃襯底、或者其他襯底。當為柔性襯底時，該柔性襯底需設(shè)置在承載基板上。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，薄膜晶體管有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22的材料主要由金屬構(gòu)成，使得源極區(qū)21和漏極區(qū)22的導電性能較好。這樣一來，有源層20與源極30和漏極40之間的接觸電阻rc，以及有源層20低電流漏端區(qū)域(ldd區(qū))的電阻rldd都較小，幾乎為零，有效的減小了源極30和漏極40與有源區(qū)之間的寄生電阻rp。

此外，本發(fā)明通過將有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22用金屬材料制備形成，與現(xiàn)有技術(shù)相比，既省略了對源極區(qū)21和漏極區(qū)22導體化的工藝，簡化工藝、節(jié)省成本、提高器件遷移率和穩(wěn)定性；又可以避免因?qū)υ礃O區(qū)21和漏極區(qū)22導體化效果不好而影響薄膜晶體管性能的情況，提高產(chǎn)品良率。

優(yōu)選的，如圖2(a)所示，有源層20、柵絕緣層60、柵極50、鈍化層70、以及源極30和漏極40從下到上依次設(shè)置在襯底10上；源極30和漏極40通過鈍化層70上的過孔分別與源極區(qū)21和漏極區(qū)22接觸；其中，柵極50和柵絕緣層60的圖案相同。

其中，源極區(qū)21和漏極區(qū)22的材料可以為銦(in)、鋅(zn)、錫(sn)、銅(cu)、鎳(ni)、鈦(ti)、鎢(w)、銦錫、銦鋅、鋅錫、銦鋅錫等。有源區(qū)23的材料可以為氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、izo(indiumzincoxide，銦鋅氧化物)、zto(zinctinoxide，銦錫氧化物)、ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)、igzo(indiumgalliumzincoxide，銦鎵鋅氧化物)等。

此外，柵絕緣層60的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等絕緣材料。柵極50、源極30和漏極40的材料可以為鉬(mo)、鋁(al)、ti、金(au)、cu、鉿(hf)、鉭(ta)等常用金屬。鈍化層70的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等絕緣材料。

本發(fā)明實施例通過使柵極50和柵絕緣層60的圖案相同，使得柵極50和有源層20中低電阻區(qū)(源極區(qū)21和漏極區(qū)22)沒有交疊，使柵極50與有源層20之間具有較小的寄生電容，可減小有源層20的電阻，從而可減小信號延遲，提高顯示效果。

進一步優(yōu)選的，如圖3所示，有源層20與鈍化層70之間還設(shè)置有金屬層80，金屬層80在襯底10上的正投影與源極區(qū)21和漏極區(qū)22在襯底10上的正投影重合。

其中，不對金屬層80的厚度進行限定，例如可以但不限于為100nm-200nm。

此外，此處金屬可以為單質(zhì)金屬、合金材料、摻雜后的金屬。金屬層80的材料可以是al、ti、ta、hf、zr(鋯)等金屬。

再者，金屬層80在襯底10上的正投影與源極區(qū)21和漏極區(qū)22在襯底10上的正投影重合，即金屬層80包括兩部分，一部分與源極區(qū)21對應，另一部分與漏極區(qū)22對應。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管，通過在有源層20與源極30和漏極40之間設(shè)置金屬層80，使得電流在流動時無需經(jīng)過源極區(qū)21和漏極區(qū)22，而是直接選擇電阻低的金屬層80，從而可以忽略對有源層20材料的限制，減少工藝步驟。

進一步優(yōu)選的，柵絕緣層60為絕緣體材料，所述絕緣體材料由金屬層80的金屬材料的氧化物構(gòu)成。

即，金屬層80的材料可以是al、ti、ta、hf、zr等金屬。柵絕緣層60的材料可以為氧化鋁、氧化鈦、氧化氮、氧化鉿、氧化鋯等高電阻(k)的金屬氧化物。

本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

s10、如圖4所示，在襯底10上形成第一金屬層，對第一金屬層上待形成有源區(qū)進行氧化處理，使待形成有源區(qū)的材料為半導體，形成有源層20。

其中，對第一金屬層的待形成有源區(qū)進行氧化處理后，第一金屬層上被氧化為半導體的部分作為有源層20的有源區(qū)23，未被氧化的部分作為有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22。

此處，不對氧化處理的方式進行限定，能夠使第一金屬層的待形成有源區(qū)完全被氧化即可。

s20、如圖2(a)-2(d)所示，在襯底10上形成柵絕緣層60、柵極50、源極30和漏極40。

其中，不對位于有源層20遠離襯底10一側(cè)的各膜層的形成工藝進行限定，能夠形成薄膜晶體管各層圖案即可。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，通過對第一金屬層進行氧化處理形成金屬氧化物半導體即為有源區(qū)23，源極區(qū)21和漏極區(qū)22為未經(jīng)氧化處理的低阻金屬，位于有源區(qū)23的兩端且與有源區(qū)23直接相連，既避免了有源層20導體化的過程，同時也保證了源極區(qū)21和漏極區(qū)22為低阻的金屬，既簡化了器件的工藝，節(jié)省了生產(chǎn)成本，又有效的減少了源漏接觸電阻rc，以及l(fā)dd區(qū)的電阻rldd，有效的減小了源極和漏極與有源區(qū)之間的寄生電阻rp。

下面通過具體的實施例，對本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法進行說明：

需要說明的是，本發(fā)明中的構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟(刻蝕步驟可以是干法刻蝕dryetch，也可以是濕法刻蝕wetetch)，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應的構(gòu)圖工藝。

實施例一

提供一種薄膜晶體管的制備方法，如圖5所示，具體包括如下步驟：

s100、如圖6(a)所示，在襯底10上形成第一金屬層24。

示例的，可以依次在襯底10上形成具有第一金屬薄膜以及覆蓋所述第一金屬薄膜的光刻膠層，對光刻膠層進行曝光顯影后，可使光刻膠完全保留部分覆蓋待形成有第一金屬層圖案的區(qū)域。之后通過對第一金屬薄膜進行刻蝕，形成第一金屬層24。

其中，可以通過可通過磁控濺射、直流濺射、蒸鍍等方法來形成厚度為20nm-100nm的第一金屬薄膜，其材料可以為銦、鋅、錫、銅、鎳、鈦、鎢、銦錫、銦鋅、鋅錫、銦鋅錫等。

s110、如圖6(b)所示，在s100的基礎(chǔ)上，在形成有第一金屬層24的襯底10上形成露出待形成有源區(qū)的光刻膠層25。

示例的，可以在制備完第一金屬層24后，不剝離保留的光刻膠，而是對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠層25，使第一金屬層24上的待形成有源區(qū)露出。也可以另外形成光刻膠，進行曝光顯影形成露出待形成有源區(qū)的光刻膠層25。

s120、如圖6(c)所示，采用陽極氧化工藝對待形成有源區(qū)進行處理，使待形成有源區(qū)的材料為半導體，形成有源層20。

其中，為了可以使薄膜晶體管應用于柔性顯示面板中，增大了薄膜晶體管的適用范圍，此處優(yōu)選的，在常壓和室溫下采用陽極氧化工藝對第一金屬層24露出的部分進行處理。陽極氧化處理可采用檸檬酸溶液，采用恒流恒壓模式，利用電解的方法使金屬被氧化形成金屬氧化物。

有源區(qū)23的材料可以為zno、in2o3、izo、zto、ito、igzo等。

s130、如圖6(d)所示，在s300的基礎(chǔ)上，在形成有光刻膠層24的襯底10上依次形成絕緣薄膜61和金屬薄膜51。

具體的，可通過pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強化學氣相沉積法)、cvd(chemicalvapordeposition，化學氣相沉積法)、等來形成厚度為100nm～400nm的絕緣薄膜61，其材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等絕緣材料中至少一種。

可通過直流濺射等方法來形成厚度為100nm～200nm的金屬薄膜51，其材料可以為mo、al、ti、au、cu、hf、ta等。

s140、如圖6(e)所示，將光刻膠層24剝離，形成圖案相同的柵絕緣層60和柵極50。

s150、如圖2(a)所示，在s140的基礎(chǔ)上，依次形成鈍化層70和源電極30、漏電極40。源電極30、漏電極40通過設(shè)置在鈍化層70上的過孔，分別與源極區(qū)21和漏極區(qū)22接觸。

其中，鈍化層70可以采用與柵絕緣層60相同工藝以及相同的材料制備。

源電極30和漏電極40可以采用與柵極50相同工藝及相同的材料制備。

此處，通過在有源層20的襯底10上形成露出待形成有源區(qū)的光刻膠層25，在對待形成有源區(qū)進行處理的過程中光刻膠層25可保護待形成源極區(qū)和待形成漏極區(qū)，避免待形成源極區(qū)和待形成漏極區(qū)被氧化處理，方法簡單，成本較低。

此外，通過在形成有光刻膠層25的襯底10上依次形成絕緣薄膜61和金屬薄膜51，通過直接將光刻膠層25剝離，形成頂柵自對準型薄膜晶體管的柵絕緣層60和柵極50，相對現(xiàn)有技術(shù)既可以簡化制備工藝，又可以避免采用濕法刻蝕形成柵絕緣層60和柵極50的過程中，產(chǎn)生offset(橫向鉆蝕)的問題，從而有效的減小了源漏寄生電阻，提高了薄膜晶體管的性能。

實施例二

提供一種薄膜晶體管的制備方法，如圖7所示，具體包括如下步驟：

s200、如圖8(a)所示，在襯底10上通過同一次構(gòu)圖工藝形成層疊設(shè)置的第一金屬層24和第二金屬層81。

其中，可以通過磁控濺射、直流濺射、蒸鍍等方法來形成厚度為20nm-100nm的第一金屬層，其材料可以為銦、鋅、錫、銅、鎳、鈦、鎢、銦錫、銦鋅、鋅錫、銦鋅錫等。

可以通過同樣的工藝形成厚度為100nm-200nm的第二金屬層，其材料可以為al、ti、ta、hf、zr等。

s210、如圖8(b)所示，對所述第一金屬層24上的待形成有源區(qū)和所述第二金屬層81上的待形成柵絕緣層進行氧化處理，使待形成有源區(qū)的材料為半導體，形成所述有源層20，使待形成柵絕緣層的材料為絕緣體，形成所述柵絕緣層60。

其中，第一金屬層24上被氧化為半導體的部分作為有源層20的有源區(qū)23，未被氧化的部分作為有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22。

第二金屬層81上被氧化為絕緣體的部分作為柵絕緣層60，未被氧化的部分作為金屬層80，用于與源極30和漏極40接觸。

具體的，形成有源層20和柵絕緣層60的步驟包括：

s211、如圖8(c)所示，在形成有第一金屬層34和第二金屬層81的襯底上形成露出待形成柵絕緣層的光刻膠層25。

s212、如圖8(b)所示，采用陽極氧化工藝對待形成柵絕緣層和待形成有源區(qū)進行處理，形成有源層20和柵絕緣層60。

s220、如圖8(d)所示，在s212步驟的基礎(chǔ)上，在形成有光刻膠層25的襯底10上形成金屬薄膜51。

可通過直流濺射等方法來形成厚度為100nm～200nm的金屬薄膜51，其材料可以為mo、al、ti、au、cu、hf、ta等。

s230、如圖8(e)所示，將光刻膠層25剝離，形成柵極50。

s240、如圖3所示，在s230的基礎(chǔ)上，依次形成鈍化層70和源電極30、漏電極40。源電極30、漏電極40通過設(shè)置在鈍化層70上的過孔，分別與源極區(qū)21和漏極區(qū)22接觸。

其中，鈍化層70可通過pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強化學氣相沉積法)、cvd(chemicalvapordeposition，化學氣相沉積法)、等來形成厚度為100nm～400nm的絕緣薄膜61，其材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等絕緣材料中至少一種。

源電極30和漏電極40可以采用與柵極50相同工藝及相同的材料制備。

此處，通過在襯底10上依次形成第一金屬層24和第二金屬層81，再對第一金屬層24和第二金屬層81進行氧化處理，形成有源層20和柵絕緣層60，可以避免利用等離子體化學氣相淀積在有源層20上淀積柵介質(zhì)的過程中對背溝道造成的等離子體轟擊，有效的保護了有源層的背有源區(qū)，同時提高了柵控能力，提高了器件性能。

此外，通過在襯底10上形成露出待形成柵絕緣層的光刻膠層25，在對待形成柵絕緣層和待形成有源區(qū)進行氧化處理的過程中光刻膠層25可保護待形成源極區(qū)和待形成漏極區(qū)，避免待形成源極區(qū)和待形成漏極區(qū)被氧化處理，方法簡單，成本較低。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括上述薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板的有益效果與上述陣列基板的有益效果相同，此處不再贅述。

優(yōu)選的，所述陣列基板的襯底10為柔性襯底。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板中的薄膜晶體管使在低溫環(huán)境下制備，因此，陣列基板的襯底可以為柔性襯底，從而可將陣列基板應用于柔性顯示面板中，提高陣列基板的適用范圍。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。

該顯示面板可以應用至液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件中。

本發(fā)明實施例提供的顯示面板的有益效果與上述陣列基板的有益效果相同，此處不再贅述。

優(yōu)選的，所述顯示面板為液晶顯示面板或有機電致發(fā)光二極管顯示面板。

當顯示面板為液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)時，其包括陣列基板、對盒基板以及設(shè)置在二者之間的液晶層。其中，陣列基板包括上述薄膜晶體管，與薄膜晶體管的漏電極40電連接的像素電極；進一步的還可以包括公共電極。對盒基板可以包括黑矩陣和彩膜。此處，彩膜可以設(shè)置在對盒基板上，也可設(shè)置在陣列基板上；公共電極可以設(shè)置在陣列基板上，也可設(shè)置在對盒基板上。

當顯示面板為有機電致發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，簡稱oled)顯示面板時，其包括陣列基板和封裝基板。其中，陣列基板包括上述薄膜晶體管，與薄膜晶體管的漏電極40電連接的陽極、陰極、以及位于陽極和陰極之間的有機材料功能層。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。