技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以降低源極和漏極與有源區(qū)之間的寄生電阻。所述薄膜晶體管，包括設(shè)置在襯底上的有源層、源極、漏極、柵極、以及柵絕緣層，所述有源層包括源極區(qū)、漏極區(qū)、以及有源區(qū)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的材料主要由金屬構(gòu)成，所述有源區(qū)為半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體材料由所述金屬的氧化物構(gòu)成。

技術(shù)研發(fā)人員：王國英;孫宏達(dá);宋振
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.05
技術(shù)公布日：2017.07.07