技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種改善射頻開關(guān)特性的MOSFET結(jié)構(gòu)，在不改變MOSFET的SOI結(jié)構(gòu)前提下，通過將源極(S)20的金屬和漏極(D)30的不同層的金屬逐層遞減,可以減小漏極D和源極S的金屬產(chǎn)生的寄生電阻，改善MOSFET射頻開關(guān)的特性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉張李
受保護的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.23
技術(shù)公布日：2017.07.18