技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了碳化硅Trench?MOS器件及其制作方法，屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過在外延層內(nèi)部增設(shè)凸型多晶硅區(qū)，并在凸型多晶硅區(qū)的凹槽內(nèi)設(shè)置兩個(gè)獨(dú)立的溝槽柵，進(jìn)而使得多晶硅層與外延層形成Si/SiC異質(zhì)結(jié)。相比直接利用碳化硅Trench?MOS的寄生碳化硅二極管，本發(fā)明顯著降低了器件二極管應(yīng)用時(shí)的結(jié)壓降，且較大的異質(zhì)結(jié)結(jié)面積改善了器件導(dǎo)通特性；本發(fā)明基于凸型多晶硅區(qū)的電荷屏蔽作用，減小了其柵?漏電容和柵?漏與柵?源電容的比值，顯著提高了器件的性能和可靠性；本發(fā)明器件為單極導(dǎo)電，故還具有較好的反向恢復(fù)性能同時(shí)兼具傳統(tǒng)Trench?MOS器件反向漏電低，擊穿電壓高和器件溫度穩(wěn)定性能好的優(yōu)點(diǎn)，因此本發(fā)明在逆變電路、斬波電路等電路中具有廣闊前景。

技術(shù)研發(fā)人員：張金平;鄒華;劉競秀;李澤宏;任敏;張波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.09
技術(shù)公布日：2017.10.20