本實(shí)用新型屬于電池片技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種電池片，特別是一種三層氮化硅薄膜電池片。

背景技術(shù)：

隨著人類社會(huì)的高速發(fā)展，環(huán)境惡化與能源短缺己成為全世界最為突出的問題。目前，全球總能耗的70％以上都來(lái)自石油、天然氣、煤等化石能源。這些常規(guī)能源都是不可再生能源，無(wú)論從世界還是從中國(guó)來(lái)看，常規(guī)能源都是很有限的，因此，開發(fā)利用可再生能源、實(shí)現(xiàn)能源工業(yè)可持續(xù)發(fā)展的任務(wù)更加迫切，更具深遠(yuǎn)的意義。太陽(yáng)能是人類最主要的可再生資源。太陽(yáng)能以其獨(dú)具的優(yōu)勢(shì)，其開發(fā)利用是最終解決常規(guī)能源特別是石化能源短缺、環(huán)境污染和溫室效應(yīng)等問題的有效途徑，是人類理想的替代能源。太陽(yáng)能是指太陽(yáng)的熱輻射能，主要表現(xiàn)就是常說(shuō)的太陽(yáng)光線，其中太陽(yáng)能電池片就是將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。

在光伏領(lǐng)域，當(dāng)太陽(yáng)光照射到太陽(yáng)能電池表面時(shí)，有一部分光被反射，裸硅片的反射率高達(dá)33％，造成很大的光損失，導(dǎo)致產(chǎn)生的載流子減少，最終引起電池效率下降，因此減少光在電池表面的反射就變得很有必要，根據(jù)薄膜干涉原理，在電池表面鍍一層或多層薄膜，可以有效減少光的反射，這種膜就是所謂的減反膜。減反膜的基本原理是利用光在減反射膜上下表面反射所產(chǎn)生的光程差，使兩束反射光干涉相消，減弱反射增加透射。氮化硅薄膜是一種物理、化學(xué)性能十分優(yōu)良的介質(zhì)膜，具有優(yōu)良的光電性能、化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和抗高溫氧化性，抗雜質(zhì)擴(kuò)散和水汽滲透能力強(qiáng)，硬度高，耐磨損性能好，因此，氮化硅不僅是理想的減反射膜，而且還可以同時(shí)達(dá)到鈍化的效果。

經(jīng)檢索，如中國(guó)專利文獻(xiàn)公開了一種多晶硅太陽(yáng)能電池片【申請(qǐng)?zhí)枺?01520091157.X；公開號(hào)：CN 204375764U】。這種多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片，硅片的表面設(shè)有反折射膜，反折射膜的上面印有主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，其特征是，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對(duì)稱線上，另外二根分置在所述對(duì)稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣的距離均為1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形；所述反折射膜是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成，所述氮化硅薄膜鈍化層位于二氧化鈦薄膜和硅片之間，所述氮化硅薄膜鈍化層厚度為42—45nm，折射率為2.02—2.12，所述二氧化鈦薄膜厚度為42—45nm，折射率為2.15—2.25，由于二氧化鈦薄膜主要起減反射作用，減少太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射，提高太陽(yáng)能的光電轉(zhuǎn)換效率；氮化硅薄膜鈍化層主要起鈍化作用，減少電池的表面復(fù)合，改善電池性能；所述背電極為一種由若干銀珠均勻分布構(gòu)成設(shè)定長(zhǎng)度和寬度的銀帶，所述銀珠為圓柱形，相鄰銀珠之間保持設(shè)定的間距，所述背電極長(zhǎng)度為12.5mm，寬度為2.8mm，構(gòu)成背電極的銀珠直徑為0.25mm，橫向和縱向的任何相鄰的兩個(gè)銀珠的間距為0.35mm。

該專利中公開的電池片雖然漿料耗量少，但是，該電池片中反折射膜采用雙層結(jié)構(gòu)，太陽(yáng)光反射量大，光電轉(zhuǎn)換效率低，因此，設(shè)計(jì)出一種三層氮化硅薄膜電池片是很有必要的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問題，提出了一種三層氮化硅薄膜電池片，該電池片具有光電轉(zhuǎn)換效率高的特點(diǎn)。

本實(shí)用新型的目的可通過(guò)下列技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：三層氮化硅薄膜電池片，包括硅片，其特征在于，所述硅片的正面涂覆有三層減反射膜，三層減反射膜均為氮化硅膜，三層減反射膜包括由下至上分布的第一層膜、第二層膜和第三層膜，第一層膜覆蓋于硅片的正面，第一層膜的厚度為8-12nm，第二層膜覆蓋于第一層膜的上表面，第二層膜的厚度為13-17nm，第三層膜覆蓋于第二層膜的上表面，第三層膜的厚度為53-57nm，第一層膜、第二層膜和第三層膜三者的總厚度為80nm；所述三層減反射膜的上表面印有主柵線和次柵線，主柵線的兩端開設(shè)有鏤空凹槽，鏤空凹槽槽寬為主柵線線寬的2/3，鏤空凹槽槽深為主柵線長(zhǎng)度的1/12，硅片的背面印有背電極。

采用以上結(jié)構(gòu)，三層減反射膜包括由下至上分布的第一層膜、第二層膜和第三層膜，第一層膜的厚度為8-12nm，第二層膜的厚度為13-17nm，第三層膜的厚度為53-57nm，第一層膜、第二層膜和第三層膜三者的總厚度為80nm，第一層膜、第二層膜和第三層膜的三層結(jié)構(gòu)比雙層氮化硅膜具有更好的減反效果和鈍化效果，有效的提高了太陽(yáng)能電池的短波響應(yīng)，從而提升了電池效率，同時(shí)，主柵線的兩端開設(shè)有鏤空凹槽，大大增加了電池的使用面積，光電轉(zhuǎn)換效率高。

所述鏤空凹槽內(nèi)設(shè)置有呈X型的輔助線，輔助線上設(shè)置有若干個(gè)鏤空孔。

采用以上結(jié)構(gòu)，通過(guò)輔助線可增加主柵線兩端的拉力，使其不容易脫落，輔助效果好。

所述主柵線的數(shù)量至少有3條。

所述硅片為多晶硅硅片。

采用以上材料，可大大降低其使用成本。

所述硅片的厚度為180-200μm。

采用以上結(jié)構(gòu)，可使硅片具有足夠的使用強(qiáng)度，滿足正常的工作需要。

所述硅片的四角為倒角，倒角的角度為40-50°。

采用以上結(jié)構(gòu)，可以減少電池的應(yīng)力集中，增加電池的強(qiáng)度和表面積，提高了發(fā)電效率。

所述倒角的角度為45°。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本三層氮化硅薄膜電池片具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、本實(shí)用新型中三層減反射膜包括由下至上分布的第一層膜、第二層膜和第三層膜，第一層膜的厚度為8-12nm，第二層膜的厚度為13-17nm，第三層膜的厚度為53-57nm，第一層膜、第二層膜和第三層膜三者的總厚度為80nm，第一層膜、第二層膜和第三層膜的三層結(jié)構(gòu)比雙層氮化硅膜具有更好的減反效果和鈍化效果，有效的提高了太陽(yáng)能電池的短波響應(yīng)，從而提升了電池效率，同時(shí)，主柵線的兩端開設(shè)有鏤空凹槽，大大增加了電池的使用面積，光電轉(zhuǎn)換效率高。

2、通過(guò)輔助線可增加主柵線兩端的拉力，使其不容易脫落，輔助效果好。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的剖視圖。

圖2是本實(shí)用新型的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖2中A處的局部放大示意圖。

圖中，1、硅片；2、三層減反射膜；2a、第一層膜；2b、第二層膜；2c、第三層膜；3、主柵線；3a、鏤空凹槽；3b、輔助線；3b1、鏤空孔；4、次柵線。

具體實(shí)施方式

以下是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述，但本實(shí)用新型并不限于這些實(shí)施例。

如圖1-圖3所示，本三層氮化硅薄膜電池片，包括硅片1，硅片1的正面涂覆有三層減反射膜2，三層減反射膜2均為氮化硅膜，三層減反射膜2包括由下至上分布的第一層膜2a、第二層膜2b和第三層膜2c，第一層膜2a覆蓋于硅片1的正面，第一層膜2a的厚度為8-12nm，第二層膜2b覆蓋于第一層膜2a的上表面，第二層膜2b的厚度為13-17nm，第三層膜2c覆蓋于第二層膜2b的上表面，第三層膜2c的厚度為53-57nm，第一層膜2a、第二層膜2b和第三層膜2c三者的總厚度為80nm，在本實(shí)施例中，第一層膜2a的厚度為10nm，第二層膜2b的厚度為15nm，第三層膜2c的厚度為55nm；三層減反射膜2的上表面印有主柵線3和次柵線4，主柵線3的兩端開設(shè)有鏤空凹槽3a，鏤空凹槽3a槽寬為主柵線3線寬的2/3，鏤空凹槽3a槽深為主柵線3長(zhǎng)度的1/12，硅片1的背面印有背電極。

采用該結(jié)構(gòu)，三層減反射膜2包括由下至上分布的第一層膜2a、第二層膜2b和第三層膜2c，第一層膜2a的厚度為8-12nm，第二層膜2b的厚度為13-17nm，第三層膜2c的厚度為53-57nm，第一層膜2a、第二層膜2b和第三層膜2c三者的總厚度為80nm，第一層膜2a、第二層膜2b和第三層膜2c的三層結(jié)構(gòu)比雙層氮化硅膜具有更好的減反效果和鈍化效果，有效的提高了太陽(yáng)能電池的短波響應(yīng)，從而提升了電池效率，同時(shí)，主柵線3的兩端開設(shè)有鏤空凹槽3a，大大增加了電池的使用面積，光電轉(zhuǎn)換效率高。

鏤空凹槽3a內(nèi)設(shè)置有呈X型的輔助線3b，輔助線3b上設(shè)置有若干個(gè)鏤空孔3b1，在本實(shí)施例中，鏤空孔3b1的數(shù)量為二十個(gè)。

采用該結(jié)構(gòu)，通過(guò)輔助線3b可增加主柵線3兩端的拉力，使其不容易脫落，輔助效果好。

主柵線3的數(shù)量至少有3條，在本實(shí)施例中，主柵線3的數(shù)量為3條。

硅片1為多晶硅硅片1。

采用該材料，可大大降低其使用成本。

硅片1的厚度為180-200μm，在本實(shí)施例中，硅片1的厚度為190μm。

采用該結(jié)構(gòu)，可使硅片1具有足夠的使用強(qiáng)度，滿足正常的工作需要。

硅片1的四角為倒角，倒角的角度為40-50°；采用該結(jié)構(gòu)，可以減少電池的應(yīng)力集中，增加電池的強(qiáng)度和表面積，提高了發(fā)電效率；倒角的角度為45°。

本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型精神作舉例說(shuō)明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會(huì)偏離本實(shí)用新型的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。

盡管本文較多地使用了1、硅片；2、三層減反射膜；2a、第一層膜；2b、第二層膜；2c、第三層膜；3、主柵線；3a、鏤空凹槽；3b、輔助線；3b1、鏤空孔；4、次柵線等術(shù)語(yǔ)，但并不排除使用其它術(shù)語(yǔ)的可能性。使用這些術(shù)語(yǔ)僅僅是為了更方便地描述和解釋本實(shí)用新型的本質(zhì)；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實(shí)用新型精神相違背的。