1.三層氮化硅薄膜電池片，包括硅片，其特征在于，所述硅片的正面涂覆有三層減反射膜，三層減反射膜均為氮化硅膜，三層減反射膜包括由下至上分布的第一層膜、第二層膜和第三層膜，第一層膜覆蓋于硅片的正面，第一層膜的厚度為8-12nm，第二層膜覆蓋于第一層膜的上表面，第二層膜的厚度為13-17nm，第三層膜覆蓋于第二層膜的上表面，第三層膜的厚度為53-57nm，第一層膜、第二層膜和第三層膜三者的總厚度為80nm；所述三層減反射膜的上表面印有主柵線和次柵線，主柵線的兩端開設(shè)有鏤空凹槽，鏤空凹槽槽寬為主柵線線寬的2/3，鏤空凹槽槽深為主柵線長度的1/12，硅片的背面印有背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層氮化硅薄膜電池片，其特征在于，所述鏤空凹槽內(nèi)設(shè)置有呈X型的輔助線，輔助線上設(shè)置有若干個鏤空孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層氮化硅薄膜電池片，其特征在于，所述主柵線的數(shù)量至少有3條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層氮化硅薄膜電池片，其特征在于，所述硅片為多晶硅硅片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三層氮化硅薄膜電池片，其特征在于，所述硅片的厚度為180-200μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三層氮化硅薄膜電池片，其特征在于，所述硅片的四角為倒角，倒角的角度為40-50°。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三層氮化硅薄膜電池片，其特征在于，所述倒角的角度為45°。