本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體微型封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，是涉及一種高靈敏度的微型集成紫外線檢測傳感器。

背景技術(shù)：

目前，公知的紫外線檢測芯片是將完整的紫外線檢測芯片圓片切割成一個一個的單元（一個單元是指可以用來進(jìn)行封裝的紫外線檢測芯片），再將一個一個的單元分別進(jìn)行封裝成型（例如3528、2835等封裝型式），形成一個紫外線檢測傳感器。用戶在使用過程中，根據(jù)應(yīng)用要求在一個產(chǎn)品上放置相應(yīng)數(shù)量的紫外線檢測傳感器，由于多個紫外線檢測傳感器的封裝體積大、安裝誤差大、安裝效率低下，單一個紫外線檢測傳感器的靈敏度較低，因此產(chǎn)品的一致性和可靠性低，產(chǎn)品的精度得不到保證，給用戶在使用過程中造成很多的不便與擔(dān)憂，給產(chǎn)業(yè)造成很多負(fù)面的影響。

上述缺陷，值得改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有的技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種高靈敏度的微型集成紫外線檢測傳感器，靈敏度高、體積小、可靠性高、成品率高還非常適合大批量生產(chǎn)。

本實(shí)用新型技術(shù)方案如下所述：

一種高靈敏度的微型集成紫外線檢測傳感器，其特征在于，連接有電信號的線路板上設(shè)有芯片組，所述芯片組包括若干個紫外線檢測芯片，所述紫外線檢測芯片之間通過導(dǎo)電線進(jìn)行串并聯(lián)連接，所述芯片組通過芯片組連線與所述線路板連接，所述芯片組周圍設(shè)有封裝層。

根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其特征在于，所述紫外線檢測芯片為氮化鎵紫外線檢測芯片。

根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其特征在于，所述紫外線檢測芯片上設(shè)有電極，所述電極之間通過導(dǎo)電線連接。

更進(jìn)一步的，所述電極呈圓形。

根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其特征在于，在所述芯片組中，所述紫外線檢測芯片排列形成單排或單列或陣列形式。

根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其特征在于，所述芯片組連線為金絲線、合金絲線、合銀絲線、硅鋁絲線中的任意一種。

根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其特征在于，所述封裝層由透明的導(dǎo)紫外線材質(zhì)制成。

根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型解決現(xiàn)有傳感器用戶在生產(chǎn)加工過程中所存在的靈敏度低、效率低、體積大、可靠性差等不足，不僅靈敏度高、體積小、可靠性高，在安裝過程中誤差小，效率高、成品率高還非常適合大批量生產(chǎn)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型未進(jìn)行串并聯(lián)連接的芯片組的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型已進(jìn)行串并聯(lián)連接的芯片組的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型芯片組單排橫向分布的示意圖。

圖5為本實(shí)用新型芯片組單列縱向分布的示意圖。

圖6為本實(shí)用新型芯片組陣列分布的示意圖。

在圖中，1、線路板；2、芯片組；21、紫外線檢測芯片；22、電極；23、導(dǎo)電線；3、芯片組連線；4、封裝層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的描述：

如圖1所示，一種高靈敏度的微型集成紫外線檢測傳感器，連接有電信號的線路板1上設(shè)有芯片組2，芯片組2通過芯片組連線3與線路板1連接，芯片組連線3通過金絲球焊形成。芯片組2周圍設(shè)有封裝層4，封裝層4由透明的導(dǎo)紫外線材質(zhì)制成，使其具有高透紫外線光的特性。

芯片組2連接電信號的方式根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域及要求可以是半導(dǎo)體封裝材料引線框架、LED封裝支架等。芯片組連線3為金絲線、合金絲線、合銀絲線、硅鋁絲線中的任意一種。

如圖2-3所示，芯片組2包括若干個紫外線檢測芯片21，紫外線檢測芯片21上設(shè)有呈圓形的電極22，圓片的電極22連接工藝成熟可靠。紫外線檢測芯片21之間通過電極22上連接導(dǎo)電線23進(jìn)行串并聯(lián)連接，即：整個圓片上所有紫外線檢測芯片21的電極22都與相鄰單元的電極22進(jìn)行串聯(lián)和并聯(lián)或同時串聯(lián)與并聯(lián)。在本實(shí)施例中，紫外線檢測芯片21為氮化鎵紫外線檢測芯片。

氮化鎵紫外線檢測芯片在完整圓片時進(jìn)行全部電極22的串并連接，在后期使用時，可以根據(jù)客戶的應(yīng)用范圍及靈敏度要求來切割。

如圖4-6所示，在芯片組2中，紫外線檢測芯片21排列形成單排或單列或陣列形式。

在一個具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型的生產(chǎn)過程為：采用蒸鍍法在紫外線檢測芯片21表面形成一層金屬層，采用光刻法去除不需要連接的部份，形成完整芯片與芯片之間的電極22串聯(lián)、并聯(lián)或同時串聯(lián)與并聯(lián)；按照要求用自動切割機(jī)進(jìn)行切割得到各種串并連接規(guī)格的集成氮化鎵紫線檢測芯片。

在封裝過程中，先將用Plasma等離子清洗過的連接電信號的線路板1準(zhǔn)備好，再將按照應(yīng)用要求切割出來的集成氮化鎵紫線檢測芯片用全自動固晶機(jī)放置在一塊具有連接電信號的線路板1上；然后用金絲球焊機(jī)進(jìn)行集成氮化鎵紫線檢測芯片電極點(diǎn)與具有連接電信號的線路板1相互連接；將連接好電信號的線路板1放入標(biāo)準(zhǔn)的微型模具中用透明導(dǎo)紫外線的封裝材料進(jìn)行模造成型封裝。

將模造成型的線路板1用自動切割機(jī)進(jìn)行分離切割，就形成了一個個標(biāo)準(zhǔn)的高靈敏度集成微型紫外線檢測傳感器。

由于本實(shí)用新型采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝將紫外線檢測芯片21的電極22與紫外線檢測芯片21的電極22之間預(yù)先進(jìn)行了連接，成品率和可靠性都有充分的保證。它可以實(shí)現(xiàn)氮化鎵紫外檢測芯片在完整圓片時進(jìn)行全部電極22的串聯(lián)、并聯(lián)或同時串聯(lián)與并連；在后期使用時，可以根據(jù)客戶的高靈敏度要求或應(yīng)用領(lǐng)域來切割出任何紫外線檢測芯片21數(shù)量的串聯(lián)、并聯(lián)、或同時串聯(lián)與并聯(lián)的集成氮化鎵紫線檢測芯片。

應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

上面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型專利進(jìn)行了示例性的描述，顯然本實(shí)用新型專利的實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型專利的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本實(shí)用新型專利的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。