本實用新型涉及單晶硅片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片。

背景技術(shù)：

單晶硅片用于光電轉(zhuǎn)換設(shè)備上起到發(fā)電的作用，而現(xiàn)有技術(shù)中單晶硅片的導(dǎo)電性能較差，從而導(dǎo)致單晶硅片的光電轉(zhuǎn)換效率降低，造成資源利用的浪費。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的單晶硅片的導(dǎo)電性能較差導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率降低的缺點，而提出的一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術(shù)方案：

設(shè)計一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片，包括單晶硅層和二氧化碳鈍化層，所述單晶硅層的下表面設(shè)有第二二氧化硅層，且二氧化碳鈍化層設(shè)在第二二氧化硅層的底面，所述單晶硅層的上表面設(shè)有第一二氧化硅層，所述第一二氧化硅層的上表面設(shè)有鎵晶體硅層，所述鎵晶體硅層的上表面設(shè)有單晶硅絨面層。

優(yōu)選的，所述單晶硅絨面層的上表面還粘接有氮化硅薄膜。

優(yōu)選的，所述單晶硅絨面層的上表面還開設(shè)有交錯排列第一格柵槽和第二格柵槽，且第一格柵槽和第二格柵槽的數(shù)量至少有十條，并以平行等距的方式進行排列。

優(yōu)選的，所述單晶硅層的外部設(shè)有橡膠層，且橡膠層的頂端與鎵晶體硅層處于水平直線上，橡膠層的底端與二氧化碳鈍化層處于同一水平直線上。

本實用新型提出的一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片，有益效果在于：通過加入第一二氧化硅層和第二二氧化硅層，可以提高單晶硅片的導(dǎo)電性能，從而提高單晶硅片的光電轉(zhuǎn)換效率；通過加入鎵晶體硅層和單晶硅絨面層，可以減少光衰，從而提高單晶硅片對陽光的吸收效率。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，不僅可以提高對單晶硅片的光電轉(zhuǎn)換效率，還可以提高資源的利用效率。

附圖說明

圖1為本實用新型提出的一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型提出的一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片的結(jié)構(gòu)俯視圖。

圖中：二氧化碳鈍化層1、單晶硅層2、第一二氧化硅層3、第二二氧化硅層4、氮化硅薄膜5、第一格柵槽6、橡膠層7、鎵晶體硅層8、第二格柵槽9、單晶硅絨面層10。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描，顯然，描的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-2，一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片，包括單晶硅層2和二氧化碳鈍化層1，單晶硅層2的下表面設(shè)有第二二氧化硅層4，且二氧化碳鈍化層1設(shè)在第二二氧化硅層4的底面，單晶硅層2的上表面設(shè)有第一二氧化硅層3，通過加入第一二氧化硅層3和第二二氧化硅層4，可以提高單晶硅片的導(dǎo)電性能，從而提高單晶硅片的光電轉(zhuǎn)換效率。

第一二氧化硅層3的上表面設(shè)有鎵晶體硅層8，鎵晶體硅層8的上表面設(shè)有單晶硅絨面層10，可以減少光衰，從而提高單晶硅片對陽光的吸收效率，單晶硅絨面層10的上表面還粘接有氮化硅薄膜5，可以減小陽光的反射效率，從而提高單晶硅片的吸光效率，也提高了光電轉(zhuǎn)換效率。

單晶硅絨面層10的上表面還開設(shè)有交錯排列第一格柵槽6和第二格柵槽9，且第一格柵槽6和第二格柵槽9的數(shù)量至少有十條，并以平行等距的方式進行排列，這樣可以增大單晶硅片與陽光光照的面積，從而提高該單晶硅片的吸光效率，可以進一步提高單晶硅片的光電轉(zhuǎn)換效率。

單晶硅層2的外部設(shè)有橡膠層7，且橡膠層7的頂端與鎵晶體硅層8處于水平直線上，橡膠層7的底端與二氧化碳鈍化層1處于同一水平直線上，可以對單晶硅體起到防護的效果。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實用新型的技術(shù)方案及其實用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。