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一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片的制作方法

文檔序號:11449801閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及單晶硅片技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片,包括單晶硅層和二氧化碳鈍化層,所述單晶硅層的下表面設(shè)有第二二氧化硅層,且二氧化碳鈍化層設(shè)在第二二氧化硅層的底面,所述單晶硅層的上表面設(shè)有第一二氧化硅層,所述第一二氧化硅層的上表面設(shè)有鎵晶體硅層,所述鎵晶體硅層的上表面設(shè)有單晶硅絨面層。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單、使用方便,不僅可以提高對單晶硅片的光電轉(zhuǎn)換效率,還可以提高資源的利用效率。

技術(shù)研發(fā)人員:周士杰;陳圣鐵
受保護(hù)的技術(shù)使用者:溫州隆潤科技有限公司
文檔號碼:201720142066
技術(shù)研發(fā)日:2017.02.16
技術(shù)公布日:2017.08.25

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