1.一種集成電路，其特征在于，其包括:
一個(gè)信號(hào)單元組，其包括多個(gè)相鄰的信號(hào)單元，所述信號(hào)單元包括封裝墊、低壓區(qū)域及接收單元、PMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、NMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、PMOS驅(qū)動(dòng)單元、NMOS驅(qū)動(dòng)單元和用作靜電保護(hù)的P型二極管及N型二極管，
一個(gè)地單元組，其排布于所述信號(hào)單元組的第一側(cè)；
一個(gè)電源單元組，其排布于所述信號(hào)單元組的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；
一個(gè)電源傳遞單元組，其排布于所述信號(hào)單元組的與第一側(cè)和第二側(cè)相鄰的第三側(cè)，其通過(guò)第一主電源線與電源單元組相連，通過(guò)第二主電源線與P型二極管以及PMOS驅(qū)動(dòng)單元的次電源線相連；
一個(gè)地傳遞單元組，其排布于所述信號(hào)單元組的與第一側(cè)和第二側(cè)相鄰且與第三側(cè)相對(duì)的第四側(cè)，其通過(guò)第一主地線與地單元組相連，通過(guò)第二主地線與N型二極管以及NMOS驅(qū)動(dòng)單元的次地線相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，
在P型二極管、PMOS驅(qū)動(dòng)單元的上方形成有次電源線，
PMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、NMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)和低壓區(qū)域及接收單元的上方形成有次地線和次電源線，
在NMOS驅(qū)動(dòng)單元和N型二極管的上方形成有次地線，
其中P型二極管、PMOS驅(qū)動(dòng)單元的上方形成的次電源線比PMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、NMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)和低壓區(qū)域及接收單元的上方形成的次電源線的數(shù)量更多，
NMOS驅(qū)動(dòng)單元和N型二極管的上方形成的次地線較PMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、NMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)和低壓區(qū)域及接收單元的上方形成的次地線的數(shù)量更多。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，
P型二極管、PMOS驅(qū)動(dòng)單元、PMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、NMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)和低壓區(qū)域及接收單元的上方的次電源線也與所述電源單元相連；
NMOS驅(qū)動(dòng)單元、N型二極管、PMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、NMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)和低壓區(qū)域及接收單元的上方形成的次地線也與所述地單元相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，電源單元的電流經(jīng)過(guò)第一主電源線、電源傳遞單元組、第二主電源線、次電源線流至P型二極管以及PMOS驅(qū)動(dòng)單元，
電流經(jīng)由NMOS驅(qū)動(dòng)單元的次地線、N型二極管的次地線、第二主地線、地傳遞單元組、第一主地線流至地單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，
所述地單元組包括一個(gè)或多個(gè)相鄰排列的地單元，每個(gè)地單元包括位于上層的一個(gè)或多個(gè)封裝墊；
所述電源單元組包括一個(gè)或多個(gè)相鄰排列的電源單元，每個(gè)電源單元包括位于上層的一個(gè)或多個(gè)封裝墊，
所述電源傳遞單元組包括一個(gè)或多個(gè)排布成一排的電源傳遞單元；
一個(gè)地傳遞單元組包括一個(gè)或多個(gè)排布成一排的地傳遞單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，其特征在于，主電源線、主地線、次電源線、次地線、封裝墊是由晶片上部的金屬層形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，
所述信號(hào)單元的封裝墊在晶片上的投影區(qū)域與用作靜電保護(hù)的P型二極管、N型二極管、PMOS驅(qū)動(dòng)單元和NMOS驅(qū)動(dòng)單元在晶片上的投影區(qū)域分開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，
所述信號(hào)單元從內(nèi)到外依次排布有用作靜電保護(hù)的P型二極管、PMOS驅(qū)動(dòng)單元、PMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、低壓區(qū)域及接收單元、NMOS驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)、NMOS驅(qū)動(dòng)單元和用作靜電保護(hù)的N型二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，其為雙倍率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的信號(hào)接口。