本實用新型涉及芯片技術領域，特別是涉及一種芯片及移動終端。

背景技術：

隨著電子信息產業(yè)的日新月異，組裝密度越來越高，微電子器件中的焊點也越來越小，對可靠性要求日益提高。

芯片封裝中廣泛采用的貼片封裝技術、芯片尺寸封裝和焊球陣列等封裝技術均通過焊點實現器件與基板之間的電性連接及機械連接，焊點的質量與可靠性決定了電子產品的質量。

在目前的芯片封裝設計中，有三種比較典型的設計方式：

SOP(Small Out-Line Package，小外形封裝)、SOT(Smalloutline Transistor，小晶體管封裝)等封裝，其優(yōu)點是封裝工藝簡單，成本相對較低，缺點是焊點密度極低。

QFN(Quad Flat No-leadPackage，方形扁平無引腳封裝)，LGA(Land Grid Array，柵格陣列封裝)等封裝，優(yōu)點是走線相對自由，有利于降低封裝高度，缺點是焊點密度低。

BGA(Ball Grid Array，球形柵格陣列封裝)和CSP(Chip Scale Package是指芯片尺寸封裝)等封裝，優(yōu)點是焊點密度高，缺點是抗應力能力相對較差。

可見，現有的芯片中，存在焊點密度低和抗應力能力不足的問題。

技術實現要素：

本實用新型實施例提供一種芯片及移動終端，以解決目前芯片存在焊點密度低和抗應力能力不足的問題。

第一方面，提供了一種芯片，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底內設置有半導體裸芯片；

重分布走線層，所述重分布走線層設置于所述半導體襯底上，所述重分布走線層內設置有金屬走線和金屬焊盤，所述金屬焊盤和所述半導體裸芯片通過所述金屬走線電性連接，所述重分布走線層設置有暴露所述金屬焊盤的開口，所述金屬焊盤通過開口與銅凸塊相連，其中，所述銅凸塊的徑向截面面積等于所述金屬焊盤的底部面積；

塑封層，所述塑封層包覆所述半導體襯底和所述重分布走線層，并且暴露所述銅凸塊。

第二方面，提供了一種移動終端，所述移動終端包括主板和芯片，所述芯片包括：

半導體襯底，所述半導體襯底內設置有半導體裸芯片；

重分布走線層，所述重分布走線層設置于所述半導體襯底上，所述重分布走線層內設置有金屬走線和金屬焊盤，所述金屬焊盤和所述半導體裸芯片通過所述金屬走線電性連接，所述重分布走線層設置有暴露所述金屬焊盤的開口，所述金屬焊盤通過開口與銅凸塊相連，其中，所述銅凸塊的徑向截面面積等于所述金屬焊盤的底部面積；

塑封層，所述塑封層包覆所述半導體襯底和所述重分布走線層，并且暴露所述銅凸塊；

所述芯片通過所述銅凸塊與所述主板電性連接和機械連接。

本實用新型實施例的芯片，包括設置有半導體裸芯片的半導體襯底，位于半導體襯底上的包含金屬走線的重分布走線層，重分布走線層設置有金屬焊盤，金屬焊盤和半導體裸芯片通過金屬走線電性連接，重分布走線層設置有暴露金屬焊盤的開口，金屬焊盤通過開口與銅凸塊相連，且銅凸塊的徑向截面面積等于金屬焊盤的底部面積，應用本實用新型實施例，在金屬焊盤底部面積一定時，由于銅凸塊的徑向截面面積等于金屬焊盤的底部面積，相比于現有技術中的焊球，可以減小金屬焊盤之間的間距，從而可以提高芯片的焊點密度，同時，采用的是銅材質，提高了芯片焊點的抗應力能力，保證了芯片與移動終端連接的可靠性。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術方案，下面將對本實用新型實施例的描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例的芯片的截面示意圖；

圖2是現有的芯片和本實用新型實施例的芯片的焊點的截面對比示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

實施例一

圖1為本實用新型實施例的芯片的截面示意圖。

本實用新型實施例公開了一種芯片，包括：半導體襯底1，半導體襯底1內設置有半導體裸芯片(圖未示)，位于半導體襯底1上的重分布走線層2，重分布走線層2內設置有金屬走線3和金屬焊盤4；金屬焊盤4和半導體裸芯片通過金屬走線3電性連接，重分布走線層2設置有暴露金屬焊盤4的開口，金屬焊盤4通過開口與銅凸塊5相連，半導體襯底1和重分布走線層2通過塑封層進行封裝，并且暴露銅凸塊5，使得整個芯片通過銅凸塊5與外圍部件實現電性連接和機械連接。

在本實用新型實施例中，半導體襯底1的材質可以是樹脂襯底或者陶瓷襯底等，半導體襯底1內設置的半導體裸芯片的數量可以是一個或多個。半導體襯底1的上表面設置有重分布走線層2，重分布走線層2包括至少一層金屬走線3，金屬走線3的材質可以為銅，當金屬走線3設置有多層時，各層金屬走線之間設置有介質進行隔離，各層金屬走線在重分布走線層內互連，介質可以是電絕緣性高的物質，例如介質的材質可以為聚酰亞胺。

在重分布走線層2的上表面設置有開口，通過開口暴露出金屬焊盤4，金屬焊盤4的材質可以為銅、錫、鉛、銅合金、鉛錫合金中的至少一種，金屬焊盤4可以通過濺射、電鍍沉積等方法在最上層的金屬走線3上形成，更優(yōu)選的，在重分布走線層2的上表面所設置的開口的側面也濺射或電鍍沉積金屬層，以提高電性連接的可靠性。

半導體裸芯片與最下層的金屬走線電性連接后，在重分布走線層2內通過至少一層金屬走線3連接金屬焊盤4后，通過塑封層進行封裝，將半導體襯底1和重分布走線層2包覆為一體，暴露出銅凸塊5，通過與金屬焊盤4相連的銅凸塊5與外圍部件(例如移動終端主板)進行電性連接和機械連接。

在本實用新型實施例中，銅凸塊5可以為柱狀銅凸塊，例如可以為圓柱、方柱等，優(yōu)選的，銅凸塊5的徑向橫截面等于金屬焊盤4底部的面積。

為了更清楚的說明本實用新型實施例芯片的優(yōu)點，以下結合圖2進行說明。

圖2為現有的芯片的焊球和本實用新型實施例的銅凸塊的截面對比示意圖。

如圖2所示，金屬焊盤4的底部尺寸為Z，現有的芯片的焊球6的直徑為D，銅凸塊5的外圍尺寸為d，由圖2可知，在金屬焊盤的底部尺寸Z一定的情況下，焊球6的直徑D必然會大于尺寸Z才能保證有效的焊接，而金屬凸塊5的外圍尺寸d與底部尺寸Z相等即可保證有效焊接，這樣就可以減小金屬焊盤4之間的距離，使得同樣大小的面積上可以設置更多的金屬焊盤4，以提高焊點密度，有利于提高芯片的集成度。同時銅相較于錫，具有良好的延展性，所以芯片在受到沖擊和蠕變應力時，發(fā)生裂紋的概率遠低于錫，增強了抗應力能力。

本實用新型實施例的芯片，在金屬焊盤底部面積一定時，由于銅凸塊的徑向截面面積等于金屬焊盤的底部面積，相比于現有技術中的焊球，可以減小金屬焊盤之間的距離，從而可以提高芯片的焊點密度，同時，采用的是銅材質，提高了焊點的抗應力能力，保證了芯片與主板連接的可靠性。

實施例二

本實用新型實施例還提供了一種移動終端，所述移動終端包括主板和芯片，所述芯片包括：

半導體襯底，所述半導體襯底內設置有半導體裸芯片；

重分布走線層，所述重分布走線層設置于所述半導體襯底上，所述重分布走線層內設置有金屬走線和金屬焊盤，所述金屬焊盤和所述半導體裸芯片通過所述金屬走線電性連接，所述重分布走線層設置有暴露所述金屬焊盤的開口，所述金屬焊盤通過開口與銅凸塊相連，其中，所述銅凸塊的徑向截面面積等于所述金屬焊盤的底部面積；

塑封層，所述塑封層包覆所述半導體襯底和所述重分布走線層，并且暴露所述銅凸塊；

所述芯片通過所述銅凸塊與所述主板電性連接和機械連接。

可選地，所述開口的側面設置有金屬層。

可選地，所述金屬走線的材質為銅。

可選地，所述金屬走線至少為一層，當所述金屬走線層為多層時，所述金屬走線之間設置有介質層。

可選地，所述介質層材質為聚酰亞胺。

可選地，所述金屬焊盤材質為銅或錫或鉛或銅合金或鉛錫合金。

需要說明的是，實施例一、實施例二具有相似之處，不詳盡之處，各實施例相互參照即可。

盡管已描述了本實用新型實施例的優(yōu)選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本實用新型實施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說明的是，在本文中，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設備中還存在另外的相同要素。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以權利要求的保護范圍為準。