1.一種負(fù)極活性物質(zhì)，其為包含負(fù)極活性物質(zhì)顆粒的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述硅化合物顆粒的至少一部分包含選自由li2sio3、li4sio4及l(fā)i6si2o7組成的組中的至少一種作為所述li硅酸鹽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述中間層包含所述li化合物，且所述li化合物為包含li、c及o的復(fù)合化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，在由xps光譜得到的c1s波形中，所述包含li、c及o的復(fù)合化合物的至少一部分具有o-c=o結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述中間層包含所述金屬氧化物和/或金屬氫氧化物，且所述金屬氧化物和/或金屬氫氧化物包含選自由鋁、鎂、鈦、鋯、鈣及鈮組成的組中的至少一種元素。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述中間層中的所述金屬氧化物和/或金屬氫氧化物的厚度為0.1nm以上且10nm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述中間層包含所述li化合物、與所述金屬氧化物和/或金屬氫氧化物，且所述金屬氧化物和/或金屬氫氧化物包覆所述li化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，對(duì)所述負(fù)極活性物質(zhì)顆粒進(jìn)行充放電前，所述負(fù)極活性物質(zhì)顆粒具有通過使用cu-kα射線的x射線衍射得到的起因于si(111)晶面的峰，對(duì)應(yīng)于該晶面的晶粒大小為5.0nm以下，且起因于所述si(111)晶面的峰的強(qiáng)度a相對(duì)于起因于li2sio3(111)晶面的峰的強(qiáng)度b的比率a/b滿足下述式(1)：
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述負(fù)極活性物質(zhì)顆粒的中值粒徑為4.5μm以上且15μm以下。
10.一種負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法，其為包含負(fù)極活性物質(zhì)顆粒的負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法，其特征在于，
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法，其特征在于，在所述形成中間層的工序中，通過金屬醇鹽的水解及脫水縮合，形成所述金屬氧化物和/或所述金屬氫氧化物。