1.一種最小化或防止石墨烯分層和/或減少沉積在sio2/si襯底上的石墨烯層上的缺陷的方法，所述方法包括以下步驟：
2.一種制造石墨烯場效應晶體管(gfet)的方法，所述石墨烯場效應晶體管包括沉積在sio2/si襯底上的石墨烯層，并且其中所述gfet的特征在于具有至少一個漏極、源極和柵極電極，
3.根據權利要求1或2的方法，其中甲基苯選自二甲苯(鄰二甲苯、間二甲苯或對二甲苯)、甲苯、連三甲苯(1，2，3-三甲基苯)、均三甲苯(1，3，5-三甲基苯)、假枯烯(1，2，4-三甲基苯)、連四甲苯(1，2，3，4-四甲基苯)、異杜烯(1，2，3，5-四甲基苯)、杜烯(1，2，4，5-四甲基苯)或六甲基苯。
4.根據權利要求1或2的方法，其中甲基苯是二甲苯。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述酮選自丙酮、乙酸乙酯、環(huán)己酮、甲基乙基或雙丙酮。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述酮是丙酮。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中所述醇選自異丙醇(ipa)、正丙醇、正丁醇、異丁醇、叔丁醇或正戊醇。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中所述醇是異丙醇(ipa)。
9.根據權利要求2至8中任一項所述的方法，其中所述聚合物抗蝕劑是pmma。
10.根據權利要求1所述的方法制備的石墨烯層。
11.根據權利要求2至9中任一項所述的方法制備的石墨烯場效應晶體管(gfet)。
12.如權利要求11所述的石墨烯場效應晶體管，其中所述石墨烯沉積層的電阻在石墨烯的特征范圍內。
13.根據權利要求11或12的石墨烯場效應晶體管，其中所述石墨烯沉積層的電阻為約450歐姆/cm2。
14.一種電子器件，其包含如權利要求10中所限定的石墨烯層。
15.根據權利要求14所述的電子器件，其中所述器件選自基于石墨烯的電子電路、電子傳感器、模擬電路、半導體芯片和微流體遞送系統。
16.根據權利要求15所述的電子器件，其中所述基于石墨烯的電子電路包括石墨烯場效應晶體管(gfet)。
17.根據權利要求15所述的電子器件，其中所述電子傳感器是用于氣體或生物分子的傳感器。
18.根據權利要求15所述的電子設備，其中所述模擬電路是放大器、振蕩器或混合電路。
19.根據權利要求15所述的電子器件，其中，所述微流體遞送系統遞送氣體和/或生物分子。