技術特征：

1.一種多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底、外延層、n+電流擴展層、第一源極n+區(qū)、第二源極n+區(qū)、第一源極p+區(qū)、第二源極p+區(qū)、第一p-well區(qū)、第二p-well區(qū)、p+掩蔽層、柵極、源極及漏極；

2.根據(jù)權利要求1所述的多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極的中部區(qū)域為分裂柵；

3.根據(jù)權利要求2所述的多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極包括柵極溝槽、柵極介質(zhì)層和多晶硅；

4.根據(jù)權利要求3所述的多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)還包括層間介質(zhì)層；

5.根據(jù)權利要求4所述的多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述疊加設有所述第一p-well區(qū)和所述第一源極n+區(qū)具體包括：

6.根據(jù)權利要求5所述的多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)還包括源極歐姆接觸區(qū)；

7.根據(jù)權利要求1所述的多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為寬禁帶半導體材料。

8.一種用于制作如權利要求1至7任一項所述的多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述柵極溝槽處生長刻蝕形成柵極具體包括：

10.根據(jù)權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述層間介質(zhì)層上沉積源極金屬之前還包括：

技術總結(jié)
本發(fā)明提供一種多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導體器件結(jié)構(gòu)及制作方法，上述器件結(jié)構(gòu)的柵極沿第一方向貫穿設于N+電流擴展層的中部區(qū)域，P+掩蔽層靠近外延層設置、且通過離子注入自N+電流擴展層的中部區(qū)域沿第二方向延伸設置至第一側(cè)的邊緣處；第二P?well區(qū)和第二源極N+區(qū)位于柵極和P+掩蔽層之間；第二源極P+區(qū)設于P+掩蔽層上、沿第二方向上的一側(cè)與第二源極N+區(qū)和柵極的邊沿接觸；第二源極N+區(qū)、第二P?well區(qū)和N+電流擴展層形成新的電流路徑；第一源極P+區(qū)位于N+電流擴展層的第二側(cè)的邊緣處；在第一源極P+區(qū)和柵極之間疊加設有第一P?well區(qū)和第一源極N+區(qū)。該器件結(jié)構(gòu)可以調(diào)制器件在較高的溫度下具有低的導通電阻，具有更優(yōu)的導通特性，滿足更多應用場景。

技術研發(fā)人員：袁俊,成志杰,王寬,郭飛,吳陽陽,陳偉
受保護的技術使用者：湖北九峰山實驗室
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23