技術(shù)特征：

1.一種基于氮化鎵的p型晶體管，其特征在于，所述p型晶體管包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氮化鎵的p型晶體管，其特征在于，所述第一p型半導(dǎo)體層的禁帶寬度大于所述第二p型半導(dǎo)體層的禁帶寬度；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氮化鎵的p型晶體管，其特征在于，所述勢(shì)壘層為至少一個(gè)子層的疊層結(jié)構(gòu)，且所述勢(shì)壘層中至少一個(gè)所述子層的材質(zhì)的禁帶寬度大于所述溝道層的材質(zhì)的禁帶寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氮化鎵的p型晶體管，其特征在于，所述第二p型半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)還包括柵極凹槽，所述柵極位于所述柵極凹槽的區(qū)域內(nèi)；

5.一種基于氮化鎵的p型晶體管的制備方法，其特征在于，用于制備權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的基于氮化鎵的p型晶體管，其中，制備方法包括：

6.一種基于氮化鎵的cmos器件，其特征在于，所述cmos器件包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于氮化鎵的cmos器件，其特征在于，所述第一p型半導(dǎo)體層的禁帶寬度大于所述第二p型半導(dǎo)體層的禁帶寬度；

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于氮化鎵的cmos器件，其特征在于，所述勢(shì)壘層為至少一個(gè)子層的疊層結(jié)構(gòu)，且所述勢(shì)壘層中至少一個(gè)所述子層的材質(zhì)的禁帶寬度大于所述溝道層的材質(zhì)的禁帶寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于氮化鎵的cmos器件，其特征在于，所述p管第二p型半導(dǎo)體層背離所述襯底一側(cè)還包括柵極凹槽，所述p管柵連接電極位于所述柵極凹槽的區(qū)域內(nèi)；

10.一種基于氮化鎵的cmos器件的制備方法，其特征在于，用于制備權(quán)利要求6-9任意一項(xiàng)所述的基于氮化鎵的cmos器件，其中，制備方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N基于氮化鎵的P型晶體管及其制備方法，及基于氮化鎵的CMOS器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。第一P型半導(dǎo)體層和第二P型半導(dǎo)體層的禁帶寬度不同，并且第一P型半導(dǎo)體層和第二P型半導(dǎo)體層之間存在極化效應(yīng)，使得二者界面處產(chǎn)生高濃度的二維空穴氣以減小導(dǎo)通電阻。因此，本申請(qǐng)?zhí)峁┑幕诘壍腜型晶體管具有電流密度高和導(dǎo)通電阻低的優(yōu)勢(shì)，使得本申請(qǐng)?zhí)峁┑幕诘壍腃MOS器件具有更短的傳輸延時(shí)和更快的開(kāi)關(guān)速度，提高了器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：魏進(jìn),余晶晶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23