1.一種高可靠vld終端，其特征在于：通過(guò)一次離子注入加浮空復(fù)合場(chǎng)板來(lái)改善vld終端波浪形的雜質(zhì)分布導(dǎo)致的表面電場(chǎng)峰值過(guò)高的可靠性問(wèn)題并提升vld終端的耐壓表現(xiàn)，其實(shí)現(xiàn)工藝流程如下所示：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠vld終端，其特征在于，步驟(1)進(jìn)一步為：設(shè)置vld終端第一次離子注入掩膜版，將vld終端bc分為n段，每段長(zhǎng)度為lvld/n，其中vld終端的長(zhǎng)度為lvld，使用正性光刻膠進(jìn)行光刻，第n段掩模版的開窗寬度為an，該區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)的注入，遮蔽區(qū)寬度為bn，二者滿足an+bn＝lvld/n，第一次離子注入劑量為dose1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠vld終端，其特征在于，步驟(2)進(jìn)一步為：高溫退火，通過(guò)雜質(zhì)的擴(kuò)散使得注入的雜質(zhì)連成一片，形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體變摻雜區(qū)(5)，對(duì)于開窗區(qū)域an-1和an，二者所注入雜質(zhì)分布經(jīng)過(guò)高溫退火后滿足高斯分布函數(shù)，對(duì)于掩膜版遮蔽區(qū)bn下的雜質(zhì)分布，近似滿足開窗區(qū)域an-1與an所注入雜質(zhì)的疊加，掩膜版遮蔽區(qū)bn下的雜質(zhì)分布函數(shù)c(x)滿足
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠vld終端，其特征在于，步驟(3)進(jìn)一步為：淀積一層多晶硅，并刻蝕，其中多晶硅層掩膜版第n段掩模版的遮蔽區(qū)寬度為dn，該區(qū)域內(nèi)多晶硅未被刻蝕，而保留形成多晶硅場(chǎng)板，第n段掩模版的遮蔽區(qū)寬度dn應(yīng)覆蓋第一次離子注入掩膜版遮蔽區(qū)bn；n為vld終端bc分的段數(shù)；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠vld終端，其特征在于，步驟(4)進(jìn)一步為：淀積一層金屬al，并刻蝕，形成復(fù)合場(chǎng)板，其中金屬al掩膜版第n段掩模版遮蔽區(qū)寬度為fn，該區(qū)域內(nèi)金屬al未被刻蝕，而形成al金屬場(chǎng)板，第n段掩模版的掩模版遮蔽區(qū)寬度f(wàn)n應(yīng)覆蓋多晶硅層掩膜版遮蔽區(qū)寬度dn，即金屬al能夠覆蓋多晶硅，從而形成復(fù)合場(chǎng)板，最低雜質(zhì)濃度點(diǎn)j位于復(fù)合場(chǎng)板之下，降低表面電場(chǎng)峰值，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(3)電離施主發(fā)出的電力線一部分經(jīng)表面終止于場(chǎng)板，等效于場(chǎng)板下第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)(3)表面引入負(fù)電荷，又有一部分電力線從場(chǎng)板經(jīng)表面終止于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體變摻雜區(qū)(5)，等效于場(chǎng)板下第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體變摻雜區(qū)(5)表面引入正電荷，因?yàn)閳?chǎng)板浮空，所以進(jìn)入場(chǎng)板和從場(chǎng)板發(fā)出的電通量相等，表面引入正或負(fù)電荷產(chǎn)生的附加電場(chǎng)和原電場(chǎng)方向相反,削弱了原電場(chǎng)峰值；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠vld終端，其特征在于：所述工藝流程用于二極管、bjt、mosfet、jfet、igbt功率半導(dǎo)體器件的橫向變摻雜終端設(shè)計(jì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠vld終端，其特征在于：采用硅、鍺、鍺硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵半導(dǎo)體材料制作帶有該終端的功率半導(dǎo)體器件。