1.一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：位于所述第二芯片的第二背面表面的至少一條從第二芯片的一端向第二芯片的另一端延伸的第二導(dǎo)流溝槽，且所述第二導(dǎo)流溝槽設(shè)置于所述第二芯片的第二背面的相鄰的所述第二連接端子之間，所述第二導(dǎo)流溝槽在形成所述塑封層時(shí)也有利于塑封層材料的流動(dòng)和填充。
3.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽的數(shù)量均為一個(gè)或多個(gè)，所述第一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述第一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽平行設(shè)置或交叉設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽均沿著所述塑封層材料流入的方向設(shè)置；第一導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片邊緣位置的寬度等于或大于第一導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片中間位置的寬度，第二導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片邊緣位置的寬度等于或大于第二導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片中間位置的寬度。
5.如權(quán)利要求1或2所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，上層的第一導(dǎo)流溝槽與下層的第一導(dǎo)流溝槽設(shè)置方向可以相同或不同；上層的第二導(dǎo)流溝槽與下層的第二導(dǎo)流溝槽設(shè)置方向可以相同或不同。
6.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述第一芯片的第一背面上形成芯片堆疊結(jié)構(gòu)的過程包括預(yù)固定工藝和批量回流工藝；先進(jìn)行所述預(yù)固定工藝，將若干所述第二芯片沿垂直方向依次堆疊并預(yù)固定；進(jìn)行批量回流工藝，將所述芯片堆疊結(jié)構(gòu)中的上層的第二芯片的第二有源面的微凸起與相鄰的下層的第二芯片的第二背面的第二連接端子焊接在一起，底層的第二芯片的第二有源面的微凸起與所述第一芯片的第一背面的第一連接端子焊接在一起。
7.如權(quán)利要求6所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，進(jìn)行所述預(yù)固定工藝時(shí)，所述上層的第二芯片與相鄰的下層的第二芯片通過微凸起中或表面的助焊劑與相應(yīng)的第二連接端子預(yù)焊實(shí)現(xiàn)所述預(yù)固定。
8.如權(quán)利要求6所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，進(jìn)行所述預(yù)固定工藝時(shí)，上層的第二芯片與相鄰的下層的第二芯片通過位于所述上層的第二芯片和所述下層的第二芯片之間的鍵合層進(jìn)行粘接固定實(shí)現(xiàn)所述預(yù)固定。
9.如權(quán)利要求8所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述鍵合層為臨時(shí)鍵合層或機(jī)械鍵合層，所述臨時(shí)鍵合層在批量回流工藝時(shí)分解，所述機(jī)械鍵合層在機(jī)械鍵合層時(shí)不會(huì)分解，保留在所述堆疊封裝結(jié)構(gòu)中。
10.一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
11.如權(quán)利要求10所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于第二芯片的第二背面表面的至少一條從第二芯片的一端向第二芯片的另一端延伸的第二導(dǎo)流溝槽，且所述第二導(dǎo)流溝槽設(shè)置于所述第二芯片的第二背面的相鄰的所述第二連接端子之間，所述第二導(dǎo)流溝槽在形成所述塑封層時(shí)也有利于塑封層材料的流動(dòng)和填充。
12.如權(quán)利要求10或11所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽的數(shù)量均為一個(gè)或多個(gè)，所述一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)所述一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽平行設(shè)置或交叉設(shè)置。
13.如權(quán)利要求10或11所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)流溝槽和所述第二導(dǎo)流溝槽均沿著所述塑封層材料流入的方向設(shè)置；第一導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片邊緣位置的寬度等于或大于第一導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片中間位置的寬度，第二導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片邊緣位置的寬度等于或大于第二導(dǎo)流溝槽位于所述第二芯片中間位置的寬度。。
14.如權(quán)利要求10所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上層的第二芯片與相鄰的下層的第二芯片之間還具有鍵合層，所述鍵合層在進(jìn)行第二芯片的堆疊時(shí)，用于上下層第二芯片的粘接固定。