本技術(shù)涉及半導(dǎo)體發(fā)光，具體涉及一種微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、micro-led(micro-light?emitting?diode，微型發(fā)光二極管)顯示技術(shù)是將傳統(tǒng)的led(light?emitting?diode，發(fā)光二極管)結(jié)構(gòu)進行微縮化和陣列化，并采用cmos(complementary?metal?oxide?semiconductor，互補金屬氧化物半導(dǎo)體)或tft(thin?filmtransistor，薄膜晶體管)制作驅(qū)動電路，來實現(xiàn)對每一個像素點的定址控制和單獨驅(qū)動的顯示技術(shù)。

2、其中，micro-led制備后需要進行封裝。相關(guān)技術(shù)的micro-led的封裝方式有待改進。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提供一種微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及顯示裝置。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)，包括：

3、微型發(fā)光二極管器件，包括電連接的微型發(fā)光二極管芯片和驅(qū)動芯片；

4、封裝基板，包括相連接的承載板和電路板，所述微型發(fā)光二極管芯片和所述驅(qū)動芯片依次層疊設(shè)置在所述承載板上，所述電路板通過電連接件與所述驅(qū)動芯片電連接；及

5、透光膜結(jié)構(gòu)，連續(xù)地覆蓋所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面。

6、可選的，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：

7、封裝膠體，包裹所述電連接件；其中，

8、所述透光膜結(jié)構(gòu)包括連接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分覆蓋所述承載板的部分表面，所述第二部分覆蓋所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣；所述第三部分覆蓋所述封裝膠體的表面和外周緣，或者，在所述微型發(fā)光二極管器件與所述封裝基板的層疊方向上，所述第三部分設(shè)置于所述封裝基板和所述封裝膠體之間。

9、可選的，所述承載板包括相對設(shè)置的第一端部和第二端部；所述電路板設(shè)有與所述電連接件電連接的第一端子結(jié)構(gòu)，所述第一端子結(jié)構(gòu)層疊且連接于所述第一端部；其中，

10、所述封裝結(jié)構(gòu)包括從所述第一端子結(jié)構(gòu)延伸至所述第二端部的封裝區(qū)域，所述透光膜結(jié)構(gòu)覆蓋所述封裝區(qū)域的表面和外周緣。

11、可選的，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：

12、封裝膠體，包裹所述電連接件；其中，

13、所述透光膜結(jié)構(gòu)覆蓋所述封裝膠體；或者，在所述微型發(fā)光二極管器件與所述封裝基板的層疊方向上，部分所述透光膜結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述封裝基板和所述封裝膠體之間。

14、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括無機膜層結(jié)構(gòu)。

15、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)的厚度大于0納米且小于或等于200納米。

16、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為單層膜結(jié)構(gòu)，所述透光膜結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括三氧化二鋁或二氧化硅。

17、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為多層膜結(jié)構(gòu)。

18、可選的，在所述微型發(fā)光二極管器件與所述封裝基板的層疊方向上，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括至少一組層疊設(shè)置的第一膜層和第二膜層；

19、其中，所述第一膜層位于所述微型發(fā)光二極管器件與所述第二膜層之間，所述第一膜層的折射率大于所述第二膜層。

20、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為雙層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化二鉭，所述第二膜層的材質(zhì)包括二氧化硅。

21、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為四層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化鋯，所述第二膜層的材質(zhì)包括三氧化二鋁。

22、可選的，所述微型發(fā)光二極管芯片包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)；

23、所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：

24、遮光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述透光膜結(jié)構(gòu)背離所述微型發(fā)光二極管芯片的一面，所述遮光結(jié)構(gòu)在所述透光膜結(jié)構(gòu)的正投影覆蓋所述非發(fā)光區(qū)在所述透光膜結(jié)構(gòu)的正投影。

25、可選的，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：

26、補強膠體，在所述電路板背離所述微型發(fā)光二極管器件的一側(cè)、設(shè)置于與所述電路板和所述承載板的連接區(qū)域相鄰的區(qū)域。

27、可選的，所述封裝基板還包括設(shè)置于所述電路板相對兩面的補強片和第二端子結(jié)構(gòu)，所述補強片在所述電路板上的投影覆蓋所述第二端子結(jié)構(gòu)在所述電路板上的投影。

28、第二方面，本技術(shù)還提供一種微型發(fā)光二極管器件封裝方法，包括：

29、提供微型發(fā)光二極管器件，所述微型發(fā)光二極管器件包括電連接的微型發(fā)光二極管芯片和驅(qū)動芯片；

30、提供封裝基板，所述封裝基板包括相連接的承載板和電路板；

31、使所述微型發(fā)光二極管芯片和所述驅(qū)動芯片依次層疊設(shè)置在所述承載板上，并將所述電路板通過電連接件與所述驅(qū)動芯片電連接；

32、在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)，并形成微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)。

33、可選的，所述在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)的步驟之前，所述封裝方法還包括：

34、形成包裹所述電連接件的封裝膠體；

35、所述在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)，包括：

36、在所述承載板的部分表面、所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣以及所述封裝膠體的表面和外周緣形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)，并形成微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)。

37、可選的，所述在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)，并形成微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)，包括：

38、在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)；

39、形成包裹所述電連接件的封裝膠體，并使所述封裝膠體覆蓋部分所述透光膜結(jié)構(gòu)，并形成微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)。

40、可選的，所述承載板包括相對設(shè)置的第一端部和第二端部；所述電路板設(shè)有與所述電連接件電連接的第一端子結(jié)構(gòu)，所述第一端子結(jié)構(gòu)層疊且連接于所述第一端部；

41、所述在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)，包括：

42、使透光膜結(jié)構(gòu)覆蓋從所述第一端子結(jié)構(gòu)延伸至所述第二端部的封裝區(qū)域的表面和外周緣。

43、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括無機膜層結(jié)構(gòu)。

44、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)的厚度大于0納米且小于或等于200納米。

45、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為單層膜結(jié)構(gòu)，所述透光膜結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括三氧化二鋁或二氧化硅。

46、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為多層膜結(jié)構(gòu)。

47、可選的，在所述微型發(fā)光二極管器件與所述封裝基板的層疊方向上，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括至少一組層疊設(shè)置的第一膜層和第二膜層；

48、其中，所述第一膜層位于所述微型發(fā)光二極管器件與所述第二膜層之間，所述第一膜層的折射率大于所述第二膜層。

49、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為雙層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化二鉭，所述第二膜層的材質(zhì)包括二氧化硅。

50、可選的，所述透光膜結(jié)構(gòu)為四層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化鋯，所述第二膜層的材質(zhì)包括三氧化二鋁。

51、可選的，所述微型發(fā)光二極管芯片包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)；

52、所述在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)的步驟之后，所述封裝方法還包括：

53、在所述透光膜結(jié)構(gòu)背離所述微型發(fā)光二極管芯片的一面設(shè)置遮光結(jié)構(gòu)，并使所述遮光結(jié)構(gòu)在所述透光膜結(jié)構(gòu)的正投影覆蓋所述非發(fā)光區(qū)在所述透光膜結(jié)構(gòu)的正投影。

54、第三方面，本技術(shù)還提供一種顯示裝置，包括如上所述的封裝結(jié)構(gòu)；或者，包括如上所述的封裝方法制備的封裝結(jié)構(gòu)。

55、基于上述技術(shù)方案，本技術(shù)封裝結(jié)構(gòu)的透光膜結(jié)構(gòu)覆蓋微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及封裝基板的至少部分表面，透光膜結(jié)構(gòu)能減少水汽以及其他物體對微型發(fā)光二極管器件產(chǎn)生的不利影響，透光膜結(jié)構(gòu)能對微型發(fā)光二極管器件起到封裝和保護作用、并提高封裝結(jié)構(gòu)的封裝可靠性；同時，透光膜結(jié)構(gòu)具有高透光效果，能提高微型發(fā)光二極管器件的透光性能?；诖耍炯夹g(shù)設(shè)置透光膜結(jié)構(gòu)實現(xiàn)微型發(fā)光二極管器件的封裝，封裝結(jié)構(gòu)具有較優(yōu)的封裝可靠性能和透光顯示性能。