1.一種微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載板包括相對(duì)設(shè)置的第一端部和第二端部；所述電路板設(shè)有與所述電連接件電連接的第一端子結(jié)構(gòu)，所述第一端子結(jié)構(gòu)層疊且連接于所述第一端部；其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括無(wú)機(jī)膜層結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)的厚度大于0納米且小于或等于200納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為單層膜結(jié)構(gòu)，所述透光膜結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括三氧化二鋁或二氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為多層膜結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述微型發(fā)光二極管器件與所述封裝基板的層疊方向上，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括至少一組層疊設(shè)置的第一膜層和第二膜層；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為雙層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化二鉭，所述第二膜層的材質(zhì)包括二氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為四層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化鋯，所述第二膜層的材質(zhì)包括三氧化二鋁。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述微型發(fā)光二極管芯片包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)；
13.根據(jù)權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝基板還包括設(shè)置于所述電路板相對(duì)兩面的補(bǔ)強(qiáng)片和第二端子結(jié)構(gòu)，所述補(bǔ)強(qiáng)片在所述電路板上的投影覆蓋所述第二端子結(jié)構(gòu)在所述電路板上的投影。
15.一種微型發(fā)光二極管器件封裝方法，其特征在于，包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)的步驟之前，所述封裝方法還包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述微型發(fā)光二極管器件的表面和外周緣、以及所述封裝基板的至少部分表面形成連續(xù)的透光膜結(jié)構(gòu)，并形成微型發(fā)光二極管器件封裝結(jié)構(gòu)，包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述承載板包括相對(duì)設(shè)置的第一端部和第二端部；所述電路板設(shè)有與所述電連接件電連接的第一端子結(jié)構(gòu)，所述第一端子結(jié)構(gòu)層疊且連接于所述第一端部；
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括無(wú)機(jī)膜層結(jié)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)的厚度大于0納米且小于或等于200納米。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為單層膜結(jié)構(gòu)，所述透光膜結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括三氧化二鋁或二氧化硅。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為多層膜結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的封裝方法，其特征在于，在所述微型發(fā)光二極管器件與所述封裝基板的層疊方向上，所述透光膜結(jié)構(gòu)包括至少一組層疊設(shè)置的第一膜層和第二膜層；
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的封裝方法，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為雙層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化二鉭，所述第二膜層的材質(zhì)包括二氧化硅。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的封裝方法，其特征在于，所述透光膜結(jié)構(gòu)為四層膜結(jié)構(gòu)，所述第一膜層的材質(zhì)包括五氧化鋯，所述第二膜層的材質(zhì)包括三氧化二鋁。
26.根據(jù)權(quán)利要求15至25任一項(xiàng)所述的封裝方法，其特征在于，所述微型發(fā)光二極管芯片包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)；
27.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)；或者，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求15至26任一項(xiàng)所述的封裝方法制備的封裝結(jié)構(gòu)。