案中，本征的第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠具有選自下述材料組的材料或者由其形成:HAT-CN、Cu(I)pFBz, MoOx, W0X、VOx, ReOx, F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III)pFBz、F16CuPc。
[0050]在又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠具有由基體和η摻雜材料構(gòu)成的材料混合物或者由其形成。由基體和摻雜材料構(gòu)成的材料混合物能夠借助于同步蒸鍍基體和摻雜物的材料構(gòu)成到襯底上或上方。
[0051]在又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠是選自下述材料組的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx,、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III)pFBz、F16CuPco
[0052]在又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的η型摻雜材料能夠是選自下述材料組的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx, W0X、VOx, ReOx,、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc。
[0053]在又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍中的層厚度。
[0054]在又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料在大約450nm至大約650nm波長范圍中能夠具有大于大約90%的透射。
[0055]在又一個設(shè)計方案中，第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠具有本征傳導(dǎo)電子的材料或由其形成。
[0056]在又一個設(shè)計方案中，第二本征傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料能夠是選自下述材料組的材料:NDN-1、NDN-26、MgAg, Cs2C03、Cs3PO4, Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF。
[0057]在又一個設(shè)計方案中，第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠由基體和η型摻雜材料構(gòu)成的材料混合物形成。
[0058]在又一個設(shè)計方案中，第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的基體能夠是選自下述材料組的材料:
[0059].NET-18、NET-15, ETM033、ETM036、BCP、BPhen ；
[0060].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；
[0061].2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔-丁基)-1，3，4_ 惡二唑，2，9-二甲基 _4，7-聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0062].8-羥基喹啉-鋰，4-(萘-1-基)-3，5-聯(lián)苯-4H-1，2，4_ 三唑；
[0063].1,3-雙[2-(2，2’ -雙吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 惡二唑 _5_ 基]苯；
[0064].4，7-聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0065].3- (4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基_1，2，4_三唑；
[0066]?雙(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)鋁；
[0067].6，6’ -雙[5-(聯(lián)苯-4-基)_1，3，4-惡二唑-2-基]-2，2’ -雙吡啶基；
[0068].2-苯基-9，10-雙(萘-2-基)-蒽；
[0069].2，7-雙[2-(2，2，-雙吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 惡二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0070].1，3-雙[2- (4-叔-丁基苯基)-1, 3，4_ 惡二唑 _5_ 基]苯;
[0071].2-(萘-2-基)-4,7-聯(lián)苯-1，10-菲咯啉；
[0072].2，9-雙(萘-2-基)-4，7~ 聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉；
[0073]?三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶_3_基)苯基)硼烷；
[0074].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4，5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0075].苯基-雙芘基膦氧化物；
[0076].萘四碳酸酐或其酰亞胺；
[0077].芘四碳酸酐或其酰亞胺；和
[0078].基于具有硅雜環(huán)戊二烯的噻咯的材料。
[0079]在又一個設(shè)計方案中，第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的η型摻雜材料能夠是選自下述材料組的材料:NDN-26、MgAg、Cs2C03、Cs3PO4, Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF。
[0080]在又一個設(shè)計方案中，第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍中的層厚度。
[0081]在又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料或材料混合物的導(dǎo)帶或LUMO在能量方面能夠大約等于第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料或材料混合物的價帶或HOMO。
[0082]在又一個設(shè)計方案中，中間層能夠由無機(jī)材料、有機(jī)材料或有機(jī)-無機(jī)雜化材料形成。
[0083]在又一個設(shè)計方案中，中間層能夠具有材料混合物或由其形成，其中材料混合物的材料具有選自下述材料組的材料:有機(jī)材料、無機(jī)材料和/或有機(jī)-無機(jī)雜化材料。
[0084]在又一個設(shè)計方案中，第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料能夠具有大于大約3eV的逸出功的值并且價帶或HOMO的能量大約等于物理接觸的第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的導(dǎo)帶或LUMO的能量。
[0085]在又一個設(shè)計方案中，光電子器件能夠作為有機(jī)發(fā)光二極管制造。
[0086]在不同的實(shí)施方式中，提供一種用于制造光電子器件的方法，所述方法具有:形成第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)；在第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上或上方形成載流子對生成層結(jié)構(gòu)；在載流子對生成層結(jié)構(gòu)上或上方形成第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)；其中形成載流子對生成層結(jié)構(gòu)具有形成傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層和形成第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層；其中傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層具有無機(jī)材料或無機(jī)材料混合物或者由其形成，并且其中第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層具有有機(jī)材料或有機(jī)材料混合物或者由其形成。
[0087]在方法的一個設(shè)計方案中，該方法能夠具有形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層，其中第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層在第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層上或上方構(gòu)成。
[0088]在方法的一個設(shè)計方案中，形成載流子對生成層結(jié)構(gòu)能夠具有在第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層和第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層之間形成中間層。
[0089]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒈菊鱾鲗?dǎo)電子的材料選擇作為用于形成第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料。
[0090]在方法的又一個設(shè)計方案中，用于形成第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料能夠是選自下述材料組的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz, MoOx, W0X、VOx, ReOx, F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III)pFBz、F16CuPc。
[0091]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒂苫w和摻雜材料構(gòu)成的材料混合物作為用于形成載流子對生成層的材料。
[0092]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⑦x自下述材料組的材料作為用于形成第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的基體的材料:HAT-CN、Cu⑴pFBz、Mo0x、WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ、NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz、F16CuPc。
[0093]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⑦x自下述材料組的材料作為用于形成第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的摻雜材料的材料:HAT-CN、Cu(I)pFBz, MoOx, W0X、VOx, ReOx,F4-TCNQ、NDP-2, NDP-9、Bi (III) pFBz、F16CuPc。
[0094]在方法的又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠在具有大約Inm至大約500nm層厚度的范圍中形成。
[0095]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒈菊鱾鲗?dǎo)電子的材料選擇作為用于形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料。
[0096]在方法的又一個設(shè)計方案中，作為本征傳導(dǎo)空穴(傳導(dǎo)電子)的材料能夠?qū)⑦x自下述材料組的材料作為用于形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料:NDN-1、NDN-26,MgAg, Cs2CO3' Cs3PO4' Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF0
[0097]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒂苫w和η型摻雜材料構(gòu)成的材料混合物選擇作為用于形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料。
[0098]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⑦x自下述材料組的材料作為用于形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的基體的材料:
[0099].NET-18、NET-15, ΕΤΜ033、ΕΤΜ036、BCP、BPhen ；
[0100].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)-三(1-苯基-1-Η-苯并咪唑)；
[0101].2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔-丁基)-1，3，4_ 惡二唑，2，9-二甲基 _4，7-聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0102].8-羥基喹啉-鋰，4-(萘-1-基)-3,5-聯(lián)苯-4H-1，2，4-三唑；
[0103].1,3-雙[2-(2，2’ -雙吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 惡二唑 _5_ 基]苯；
[0104].4，7-聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0105].3- (4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4_三唑；
[0106]?雙(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)鋁；
[0107].6，6’ -雙[5-(聯(lián)苯-4-基)-1，3，4-惡二唑-2-基]-2，2’ -雙吡啶基；
[0108].2-苯基-9，10-雙(萘-2-基)_ 蒽；
[0109].2，7-雙[2-(2，2，-雙吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 惡二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0110].1,3-雙[2-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4_ 惡二唑-5-基]苯；
[0111].2-(萘-2-基)-4,7-聯(lián)苯-1，10-菲咯啉；
[0112].2,9-雙(萘-2-基)-4,7-聯(lián)苯-1，10-菲咯啉；
[0113].三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶-3-基)苯基)硼烷；
[0114].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4, 5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0115]?苯基-雙芘基膦氧化物；
[0116].萘四碳酸酐或其酰亞胺；
[0117].芘四碳酸酐或其酰亞胺；和
[0118]?基于具有硅雜環(huán)戊二烯的噻咯的材料。
[0119]在方法的又一個設(shè)計方案中，作為用于形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料，能夠?qū)诫s物選擇成選自下述材料組的材料:NDN-26、MgAg, Cs2CO3.Cs3PO4, Na、Ca、K、Mg、Cs、L1、LiF0
[0120]在方法的又一個設(shè)計方案中，第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層能夠形成大約在Inm至大約500nm范圍中的層厚度。
[0121]在方法的又一個設(shè)計方案中，第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料或材料混合物的導(dǎo)帶或LUMO在能量方面能夠大約等于第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的材料或材料混合物的價帶或HOMO。
[0122]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒂袡C(jī)材料、無機(jī)材料和/或有機(jī)-無機(jī)雜化材料選擇作為用于形成中間層的材料。
[0123]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒉牧匣旌衔镉米鳛橛糜谛纬芍虚g層的材料，其中材料混合物的材料具有選自下述材料組的材料:有機(jī)材料、無機(jī)材料和/或有機(jī)-無機(jī)雜化材料。
[0124]在方法的又一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒈菊鱾鲗?dǎo)空穴的材料選擇作為用于形成傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層的材料。
[0125]在方法的又一個設(shè)計方案中，傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層的無機(jī)的本征傳導(dǎo)空穴的材料能夠具有對在大約450nm至大約650nm范圍中的可見光的大于大約90%的透射率。
[0126]在方法的又一個設(shè)計方案中，借助于沉積無機(jī)的本征傳導(dǎo)空穴的材料形成傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層能夠具有小于大約100°c的溫度。
[0127]在方法的又一個設(shè)計方案中，作為用于形成傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層的材料選擇下述材料組中的一種或多種材料或這些化合物的化學(xué)計量的變型形式=BaCuSF(逸出功:4.85eV)、BaCuTeF, N1 (3.7eV)、含 Cu 的銅鐵礦、例如 CuAlO2 (3.5eV)、CuGaO2 (3.2eV)、CuInO2, ZnM2O4 (Μ = Co、Rh、Rh、Ir 等)、SrCu2O2 (3.3eV)、LaCuOM(Μ = S、Se、Te 等)、AgCoO2 (4.15eV)。
[0128]在方法的又一個設(shè)計方案中，作為用于形成傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層的材料能夠選擇下述材料，其中所述材料的逸出功的值大于大約3eV并且價帶或HOMO的能量大約等于物理接觸的第一傳導(dǎo)電子的載流子對生成層的導(dǎo)帶或LUMO的能量。
[0129]在方法的又一個設(shè)計方案中，該方法還具有:形成電子導(dǎo)體層，在電子導(dǎo)體層上或上方形成第二傳導(dǎo)電子的載流子對生成層，在傳導(dǎo)空穴的載流子對生成層上或上方形成第二發(fā)射體層。
[0130]在方法的又一個設(shè)計方案中，該方法還能夠具有:形成第一電極，在第一電極上或上方形成第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，在第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上或上方形成第二電極。
[0131]在方法的又一個設(shè)計方案中，光電子器件能夠作為有機(jī)發(fā)光二極管制造。
【附圖說明】
[0132]本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中示出并且在下文中詳細(xì)闡述。
[0133]附圖示出:
[0134]圖1示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的橫截面圖；
[0135]圖2示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的功能層系統(tǒng)的橫截面圖；和
[0136]圖3示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的載流子對生成層結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0137]在下面詳細(xì)的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且在所述附圖中示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體的實(shí)施方式以用于說明。在此方面，相關(guān)于所描述的一個(多個)附圖的定向而使用方向術(shù)語例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因為實(shí)施方式的組成部