電端子上。第二電勢(shì)例如能夠具有一定數(shù)值，使得與第一電勢(shì)的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2.5V至大約15V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約3V至大約12V范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0174]在第二電極108上或上方進(jìn)而在電有源區(qū)域104上或上方可選地還能夠形成或形成有封裝件118，例如以阻擋薄層/薄層封裝件118的形式的封裝件。
[0175]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”118在本申請(qǐng)的范圍中例如能夠理解成下述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對(duì)于化學(xué)雜質(zhì)或大氣物質(zhì)、尤其相對(duì)于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之，阻擋薄層118構(gòu)成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞OLED的物質(zhì)例如水、氧或溶劑穿過。
[0176]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118能夠構(gòu)成單獨(dú)的層(換言之，構(gòu)成為單層)。根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118能夠具有多個(gè)彼此相疊構(gòu)成的子層。換言之，根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118能夠構(gòu)成為層堆(Stack)。阻擋薄層118或阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層例如能夠借助于適合的沉積方法來形成，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n(ALD))來形成，例如為等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或無(wú)等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD))，或根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))來形成，例如為等離子增強(qiáng)的氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n (PECVD))或無(wú)等離子的氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD))，或者替選地借助于另外適合的沉積方法來形成。
[0177]通過應(yīng)用原子層沉積方法(ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地，能夠沉積層厚度位于原子層范圍內(nèi)的層。
[0178]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層118中，能夠借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也能夠稱作為“納米疊層(Nanolaminat) ”。
[0179]根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層118中，能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來沉積阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層，例如借助于氣相沉積方法來沉積。
[0180]阻擋薄層118根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案能夠具有大約0.1nm( 一個(gè)原子層)至大約100nm的層厚度，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約1nm至大約10nm的層厚度、例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約40nm的層厚度。
[0181]根據(jù)阻擋薄層118具有多個(gè)子層的一個(gè)設(shè)計(jì)方案，全部子層能夠具有相同的層厚度。根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118的各個(gè)子層能夠具有不同的層厚度。換言之，至少一個(gè)子層能夠具有不同于一個(gè)或多個(gè)其他子層的層厚度。
[0182]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118或阻擋薄層118的各個(gè)子層能夠構(gòu)成為半透明的或透明的層。換言之，阻擋薄層118(或阻擋薄層118的各個(gè)子層)能夠由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料組合)構(gòu)成。
[0183]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層118或(在具有多個(gè)子層的層堆的情況下)阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種構(gòu)成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯(cuò)、氧化鈦、氧化給、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。在不同的實(shí)施例中，阻擋薄層118或(在具有多個(gè)子層的層堆的情況下)阻擋薄層118的一個(gè)或多個(gè)子層具有一種或多種高折射率的材料，換言之具有一種或多種具有高折射率的材料，例如具有至少為2的折射率的材料。
[0184]在不同的實(shí)施例中，能夠在封裝件118上或上方設(shè)有粘接劑和/或保護(hù)漆120，借助于所述粘接劑和/或保護(hù)漆例如將覆蓋件122 (例如玻璃覆蓋件122)固定、例如粘貼在封裝件118上。在不同的實(shí)施例中，由粘接劑和/或保護(hù)漆120構(gòu)成的光學(xué)半透明層能夠具有大于Iym的層厚度，例如幾μπι的層厚度。在不同的實(shí)施例中，粘接劑能夠具有層壓粘接劑或是層壓粘接劑。
[0185]在不同的實(shí)施例中，還能夠?qū)⑸⑸涔獾念w粒嵌入到粘接劑的層(也稱作粘接層)中，所述散射光的顆粒能夠引起進(jìn)一步改進(jìn)色角畸變和耦合輸出效率。在不同的實(shí)施例中，例如能夠?qū)⒔殡姷纳⑸漕w粒設(shè)為散射光的顆粒，例如金屬氧化物，如氧化硅(S12)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋯(ZrO2)、銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)、氧化鎵(Ga2Oa)、氧化鋁或氧化鈦。其他顆粒也能夠是適合的，只要其具有與半透明的層結(jié)構(gòu)的基體的有效折射率不同的折射率，例如為氣泡、丙烯酸鹽或玻璃空心球。此外，例如能夠?qū)⒔饘俚募{米顆粒，金屬如金、銀，鐵納米顆粒等設(shè)為散射光的顆粒。
[0186]在不同的實(shí)施例中，在第二電極108和由粘接劑和/或保護(hù)漆120構(gòu)成的層之間還能夠施加或施加有電絕緣層(未示出)，例如為SiN，例如具有在大約300nm至大約
1.5 μ m范圍內(nèi)的層厚度，例如具有在大約500nm至大約I μ m范圍內(nèi)的層厚度，以便例如在濕法化學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)不穩(wěn)定的材料。
[0187]還需要指出的是，在不同的實(shí)施例中也能夠完全地棄用粘接劑120，例如在將例如由玻璃構(gòu)成的覆蓋件122借助于等離子噴射施加到封裝件118上的實(shí)施例中。
[0188]此外，在不同的實(shí)施例中，能夠在發(fā)光器件100中附加地設(shè)有一個(gè)或多個(gè)抗反射層(例如與封裝件118、如薄層封裝件118組合)。
[0189]如在圖2中示出的那樣，在不同的實(shí)施例中，第一有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112能夠具有空穴注入層202，所述空穴注入層能夠施加在、例如沉積在第一電極106上或上方。
[0190]在不同的實(shí)施例中，空穴注入層202能夠具有一種或多種下述材料或由其構(gòu)成:
[0191].HAT-CN、Cu(I) pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx,、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi (III) pFBz、F16CuPc、HTM014:Cu(II)pFBz、a NPD:MoOx、PEDOT:PSS、HT508 ；
[0192].NPB (N，N'-雙(萘-1-基)-N，N'-雙(苯基)_ 聯(lián)苯胺)；
[0193].β-NPB N，N'-雙(萘 _2_ 基)-N，N'-雙(苯基)_ 聯(lián)苯胺)；TPD (Ν-Ν'-雙(3-甲基苯基)-N，N '-雙(苯基)_聯(lián)苯胺)；Spiro ??)(Ν，Ν '-雙(3-甲基苯基)-N，K -雙(苯基)-聯(lián)苯胺)；
[0194].Spiro-NPB (N, N '-雙(萘-1-基)-N, N '-雙(苯基)_ 螺環(huán))；DMFL_TPDN，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N'-雙(苯基)-9,9-二甲基-芴)；
[0195].DMFL-NPB (N, N'-雙(萘-1-基)-N, N'-雙(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0196].DPFL-TPD(N, Nr -雙(3-甲基苯基)-N, N'-雙(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0197].DPEL-NPB (N，N'-雙(萘-1-基)-N，N'-雙(苯基)-9，9_ 二苯基-芴)；
[0198].Spiro-TAD(2, 2r，7，7'-四(η，η-二苯基氨基)-9，9'-螺二芴)；
[0199]*9，9-雙[4-(Ν，Ν_ 雙-聯(lián)苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0200]*9，9-雙[4-(Ν，Ν_雙-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0201].9，9_ 雙[4-(N，f -雙-萘-2-基-N，N'-雙-苯基-氨基)苯基]-9H-芴；
[0202].Ν，Ν'-雙(萘-9-基)-N，N'-雙(苯基)_聯(lián)苯胺；
[0203].2，7-雙[N, N- M (9,9-螺二荷 _2_ 基)氨基]_9，9_ 螺二芴；
[0204].2，2'-雙[N，N-雙(聯(lián)苯 _4_ 基)氨基]9，9_ 螺二芴；
[0205].2，2'-雙[N，N-雙-苯基-氨基]9，9_ 螺二芴；
[0206]?雙-[4-(Ν，Ν_聯(lián)甲苯-氨基)_苯基]環(huán)己烷；
[0207].2，2'，7，7'-四(N，N-雙-甲苯基)氨基-螺二芴，和
[0208].N，N，N' ,N' _ 四-萘 _2_ 基-聯(lián)苯胺。
[0209]空穴注入層202能夠具有在大約1nm至大約100nm的范圍中、例如在大約20nm至大約500nm的范圍中、例如在大約200nm至大約400nm的范圍中、例如在大約170nm至大約330nm的范圍中的層厚度。
[0210]在空穴注入層202上或上方能夠施加、例如沉積第一空穴傳輸層204或者施加有、例如沉積有第一空穴傳輸層204。在不同的實(shí)施例中，第一空穴傳輸層204能夠具有一種或多種下述材料或由其構(gòu)成:
[0211].NPB (N，N'-雙(萘-1-基)-N，N'-雙(苯基)_ 聯(lián)苯胺)；
[0212].β-NPB N，N'-雙(萘 _2_ 基)-N，N'-雙(苯基)_ 聯(lián)苯胺)；TPD (Ν-Ν'-雙(3-甲基苯基)-N，N '-雙(苯基)_聯(lián)苯胺)；Spiro ??)(Ν，Ν '-雙(3-甲基苯基)-N，K -雙(苯基)-聯(lián)苯胺)；
[0213].Spiro-NPB (N, N '-雙(萘-1-基)-N, N '-雙(苯基)_ 螺環(huán))；DMFL_TPDN，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N'-雙(苯基)-9,9-二甲基-芴)；
[0214].DMFL-NPB (N, Nr -雙(萘-1-基)-N, N'-雙(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0215].DPFL-TPD(N, N'-雙(3-甲基苯基)-N, N'-雙(苯基)_9，9-二甲基-芴)；
[0216].DPEL-NPB (N，N'-雙(萘-1-基)-N，N'-雙(苯基)-9，9-二苯基-芴)；
[0217].Spiro-TAD(2, 2r，7，7'-四(n，η-二苯基氨基)_9，9'-螺二芴)；
[0218]*9，9-雙[4-(Ν，Ν_ 雙-聯(lián)苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0219]*9，9-雙[4-(Ν，Ν_雙-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0220].9，9_ 雙[4_(Ν，Ν'-雙-萘 _2_ 基-N，K -雙-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；
[0221].Ν，Ν'-雙(萘-9-基)-N，N'-雙(苯基)_聯(lián)苯胺；
[0222].2，7-雙[N, N- M (9,9-螺二荷 _2_ 基)氨基]_9，9_ 螺二芴；
[0223].2，2'-雙[N，N-雙(聯(lián)苯 _4_ 基)氨基]9，9_ 螺二芴；
[0224].2,2'-雙[N，N-雙-苯基-氨基]9，9_ 螺二芴；
[0225]?雙-[4-(Ν，Ν_聯(lián)甲苯-氨基)_苯基]環(huán)己烷；
[0226].2,2' ,7,7'-四(N，N-雙-甲苯基)氨基-螺二芴，和
[0227].N，N，N' ,N' _ 四-萘 _2_ 基-聯(lián)苯胺。
[0228]第一空穴傳輸層204能夠具有在大約5nm至大約50nm的范圍中、例如在大約1nm至大約30nm的范圍中、例如為大約20nm的層厚度。
[0229]在空穴傳輸層204上或上方能夠施加、例如沉積第一發(fā)射體層206。例如能夠設(shè)為用于第一發(fā)射體層206的發(fā)射體材料在上文中描述。
[0230]在不同的實(shí)施例中，第一發(fā)射體層206能夠具有在大約5nm至大約70nm的范圍中、例如在大約1nm至大約50nm的范圍中、例如為大約30nm的層厚度。
[0231]此外，在第一發(fā)射體層206上或上方能夠設(shè)置有、例如沉積有第一電子傳輸層208。在不同的實(shí)施例中，第一電子傳輸層208能夠具有一種或多種下述材料或由其構(gòu)成:
[0232].NET-18
[0233].2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)_三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；
[0234].2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔-丁基)_1，3，4_ 惡二唑，2，9_ 二甲基 _4，7_ 聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉(BCP)；
[0235].8-羥基喹啉-鋰，4-(萘-1-基)-3，5_ 聯(lián)苯-4H-1，2，4_ 三唑；
[0236].1，3_ 雙[2-(2，2’ _ 雙吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 惡二唑 _5_ 基]苯；
[0237].4，7-聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)；
[0238].3- (4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4_三唑；
[0239]?雙(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)鋁；
[0240].6，6’ -雙[5-(聯(lián)苯-4-基)-1，3，4-惡二唑-2-基]-2，2’ -雙吡啶基；
[0241].2-苯基-9，10-雙(萘-2-基)_ 蒽；
[0242].2，7-雙[2-(2，2，-雙吡啶 _6_ 基)_1，3，4_ 惡二唑 _5_ 基]_9，9_ 二甲基芴；
[0243].1，3-雙[2- (4-叔-丁基苯基)-1, 3，4_ 惡二唑 _5_ 基]苯;
[0244].2-(萘-2-基)-4，7-聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉；
[0245].2，9-雙(萘-2-基)-4，7_ 聯(lián)苯-1, 10-菲咯啉；
[0246]?三(2，4，6-三甲基-3 (吡啶_3_基)苯基)硼烷；
[0247].1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4，5-f] [I, 10]菲咯啉；
[0248].苯基-雙芘基膦氧化物；
[0249].萘四碳酸酐或其酰亞胺；
[0250].芘四碳酸酐或其酰亞胺；和
[0251]?基于具有硅雜環(huán)戊二烯的噻咯的材料。
[0252]第一電子傳輸層208能夠具有在大約5nm至大約50nm的范圍中、例如在大約1nm至大約30n