繼續(xù)進(jìn)行 至方塊104,在方塊104中，形成柵極結(jié)構(gòu)于基材的表面上。方法100繼續(xù)進(jìn)行至方塊106， 在方塊106中，形成數(shù)個(gè)間隙壁于柵極結(jié)構(gòu)的數(shù)個(gè)側(cè)壁上。方法100繼續(xù)進(jìn)行至方塊108， 在方塊108中，進(jìn)行植入工藝，以在基材中形成摻雜區(qū)。方法100繼續(xù)進(jìn)行至方塊110,在 方塊110中，進(jìn)行干式蝕刻工藝，以在基材中形成"U"字型凹陷。方法100繼續(xù)進(jìn)行至方塊 112,在方塊112中，以選擇性調(diào)整進(jìn)行濕式蝕刻，以修改凹陷，借以使基材在柵極結(jié)構(gòu)的正 下方形成"T"字型。方法100繼續(xù)進(jìn)行至方塊114,在方塊114中，以半導(dǎo)體材料填充凹陷。 方法100繼續(xù)進(jìn)行至方塊116,在方塊116中，完成半導(dǎo)體組件的制作。以下的討論說明可 依照圖1所示的方法100制作的一種半導(dǎo)體組件的各種實(shí)施例。
[0070] 請參照圖2A至圖2E，其是繪示一種半導(dǎo)體組件200的實(shí)施例在依照圖1所示的 方法100的制作的各階段?？闪私獾囊稽c(diǎn)是，圖2A至圖2E已經(jīng)過簡化，以對本發(fā)明的創(chuàng)新 概念獲得清楚且較佳的了解。在圖2A中，半導(dǎo)體組件200包含基材202?；?02包含硅 基材。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基材202可包含磊晶層。舉例而言，基材202可具有位于半 導(dǎo)體塊材上的磊晶層?；?02還包含數(shù)個(gè)摻雜區(qū)，例如p型井與n型井。此外，基材202 可包含絕緣體上有半導(dǎo)體（SOI)結(jié)構(gòu)，例如埋藏介電層。替代地，基材202可包含埋藏介 電層，例如埋藏氧化層，例如利用稱為氧離子布植隔離（SeparationbyImplantationof Oxygen;SIM0X)技術(shù)的方法、晶片鍵合、選擇性磊晶成長（SEG)或其它適合方法所形成。半 導(dǎo)體組件200包含定義在基材202中的數(shù)個(gè)主動區(qū)。
[0071] 形成許多淺溝渠隔離（STI)結(jié)構(gòu)于半導(dǎo)體基材202中，以隔離各個(gè)主動區(qū)。淺溝 渠隔離的制作可包含在基材中蝕刻出溝渠，以及以數(shù)個(gè)絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅或氮 氧化硅，來填充溝渠。經(jīng)填充的溝渠可具有多層結(jié)構(gòu)，例如熱氧化襯層以及填充溝渠的氮化 硅。在一實(shí)施例中，制作淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)時(shí)，可利用一工藝序列，例如：成長墊氧化物、形成 低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD)氮化層、利用光阻與屏蔽圖案化出淺溝渠隔離的開口、蝕刻溝 渠于基材中、選擇性地成長熱氧化物溝渠襯墊以改善溝渠界面、以化學(xué)氣相沉積氧化物填 充溝渠、利用化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP)來回蝕、以及利用氮化物剝除來留下淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)。
[0072] 形成一或多個(gè)可操作組件（OperationalDevices)于主動區(qū)中。這些可操作組件 包含n型與p型金屬氧化半導(dǎo)體（NM0S與PM0S)場效晶體管。這些可操作組件配置成NM0S 組件陣列與PM0S組件陣列?？衫没パa(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體技術(shù)處理來制作NM0S與PM0S 組件。因此，可了解的一點(diǎn)是，可在圖1的方法100之前、期間與之后，提供數(shù)個(gè)添加的工 藝，而可能僅在此簡短描述一些其它工藝。每個(gè)NM0S與PM0S組件包含形成在半導(dǎo)體基材 202上的柵極結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，為了清楚的緣故，僅說明PM0S組件?？闪私獾囊稽c(diǎn)是， 在PM0S組件的應(yīng)變特征制作期間，可利用光阻或其它合適的保護(hù)層，來保護(hù)位于基材202 的其它區(qū)中的NM0S組件。
[0073] 柵極結(jié)構(gòu)包含柵極介電質(zhì)206與柵極電極208。柵極介電質(zhì)206可包含氧化硅、氮 化硅、高介電常數(shù)介電質(zhì)或其它合適的材料。高介電常數(shù)介電層可包含二元或三元高介電 常數(shù)薄膜，例如氧化鉿（HfOx)。替代性地，高介電常數(shù)介電層可選擇性地包含其它高介電常 數(shù)介電質(zhì)，例如氧化鑭（LaO)、氧化鋁（A10)、氧化錯（ZrO)、氧化鈦（TiO)、氧化鉭（Ta205)、氧 化釔（Y203)、鈦酸鍶（SrTi03;ST0)、鈦酸鋇（BaTiO3;BT0)、鋯酸鋇（BaZrO)、鋯酸鉿（HfZrO); 氧化鑭鉿（HfLaO)、硅氧化鉿（HfSiO)、硅氧化鑭（LaSiO)、硅氧化鋁（AlSiO)、鉭氧化鉿 (HfTaO)、鈦氧化鉿（HfTiO)、鈦酸鍶鋇（(Ba，Sr)Ti03;BST)、氧化鋁（A1203)、氮化硅（Si3N4)、 氮氧化物、或其它合適材料。利用合適工藝，例如原子層沉積（ALD)、化學(xué)氣相沉積（CVD)、 物理氣相沉積（PVD)、熱氧化、紫外光-臭氧氧化或其組合，來制作柵極介電質(zhì)206。
[0074] 柵極電極208可包含多晶硅（polysilicon或poly)。舉例而言，可利用硅甲烷 (SiH4)來做為化學(xué)氣相沉積工藝的化學(xué)氣體，以形成多晶硅。多晶硅層的厚度范圍可從約 400A至約800A。替代性地，柵極電極208可包含金屬，例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮 化鉭、硅化鎳、硅化鈷、其它適合的導(dǎo)電材料、或其組合。柵極結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包含硬掩模層 210形成在柵極電極208上。硬掩模層210包含氧化硅。替代性地，硬掩模層210可選擇性 地為氮化硅、氮氧化硅、及/或其它合適的介電材料，且可利用一方法，例如化學(xué)氣相沉積 或物理氣相沉積，來加以制作。硬掩模層210的厚度可介于約100A至約800A。
[0075] 半導(dǎo)體組件200包含密封層212形成在柵極結(jié)構(gòu)的每個(gè)側(cè)壁上。密封層212包含 氮化娃，且厚度范圍從約4nm至約6nm。密封層212可利用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原 子層沉積、等離子增益化學(xué)氣相沉積（PECVD)、或其它合適的技術(shù)，來加以制作。密封層212 可在后續(xù)的處理期間，用來保護(hù)柵極結(jié)構(gòu)。
[0076] 半導(dǎo)體組件200還包含氧化層214形成在基材202與柵極結(jié)構(gòu)上。可利用化學(xué)氣 相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或其它合適的技術(shù)來制作氧化層214。氧化層214的厚 度范圍從約2nm至約4nm。半導(dǎo)體組件200還包含氮化層216形成在氧化層214上?？衫?用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或其它合適的技術(shù)來制作氮化層216。氮化層 216的厚度范圍從約10nm至約15nm。
[0077] 在圖2B中，進(jìn)行蝕刻工藝，以在PM0S組件的柵極結(jié)構(gòu)的數(shù)個(gè)側(cè)壁上形成數(shù)個(gè)間隙 壁。在本實(shí)施例中，對氧化層214與氮化層216進(jìn)行干式蝕刻（例如，非等向性蝕刻），以形 成這些間隙壁222。這些間隙壁222的厚度范圍從約5nm至約30nm。替代性地，這些間隙 壁222可由其它介電材料，例如氮氧化硅與碳氮化硅，所組成。
[0078] 進(jìn)行植入工藝224,以在基材202中形成摻雜區(qū)226。在本實(shí)施例中，植入工藝224 以范圍介于約IKeV至約5KeV的能量，范圍從約1E13原子/平方厘米至約3E13原子/平 方厘米的摻質(zhì)劑量，以及范圍從約35度至約45度的傾斜角度植入硼（B)。應(yīng)該注意的一點(diǎn) 是，植入工藝224所提供的目的不同于一般進(jìn)行來在基材202中形成輕摻雜漏極（LDD)區(qū) 的植入工藝。如下所述，摻雜區(qū)226可做為蝕刻終止層。因此，摻雜區(qū)226可具有相較于傳 統(tǒng)輕摻雜漏極區(qū)低的摻雜濃度。
[0079] 在圖2C中，進(jìn)行蝕刻工藝230,以在基材202中蝕刻出凹陷232。蝕刻工藝230包 含干式蝕刻工藝，其中此干式蝕刻工藝?yán)娩寤瘹洌℉Br)/氧（02)/氦（He)的組合、范圍從 約lmT至約1000mT的壓力、范圍從約50W至約1000W的功率、范圍從約20V至約500V的偏 壓電壓、范圍從約lOsccm至約500sccm的溴化氫流率、范圍從約Osccm至約lOOsccm的氧 流率、以及范圍從約〇sccm至約lOOOsccm的氦流率。干式蝕刻移除未受到保護(hù)或暴露出的 硅基材202的數(shù)個(gè)部分。干式蝕刻工藝可使得蝕刻方向獲得較佳控制，以達(dá)成特定的形狀。 因此，由于指向性/非等向性（directional/anisotropic)蝕刻的影響，凹陷232為"U"字 型，且具有與間隙壁222對齊的垂直側(cè)壁。凹陷232可具有范圍從約400人至約700A的深 度234。應(yīng)該注意的一點(diǎn)是，于蝕刻工藝230后，部分的摻雜區(qū)226a繼續(xù)留下。在蝕刻工藝 期間，留下的摻雜區(qū)226a獲得間隙壁222的保護(hù)。
[0080] 在圖2D中，進(jìn)行蝕刻工藝240,以修改基材202中的凹陷232。蝕刻工藝240 包含以選擇性調(diào)整的濕式蝕刻工藝。在本實(shí)施例中，濕式蝕刻工藝?yán)脷溲趸募谆@ (tetramethylammoniumhydroxide;TMAH)、異丙醇（isopropylalcohol;IPA)與水的組 合。已觀察到，通過調(diào)節(jié)濕式蝕刻液，特別是TMAH，的溫度及/或濃度，可改變在不同硅結(jié)晶 面上的蝕刻速率。舉例而言，根據(jù)所暴露出的結(jié)晶面，TMAH表現(xiàn)出不同的蝕刻速率。因此， 可調(diào)節(jié)濕式蝕刻液的溫度及/或濃度，以對特定硅結(jié)晶面達(dá)到所需蝕刻速率。舉例而言，在 室溫（例如，約25°C)