替代性地，這些 間隙壁622可由其它介電材料，例如氮氧化硅與碳氮化硅，所組成。
[0107] 在圖6C中，進(jìn)行蝕刻工藝630,以在基材602中蝕刻出凹陷632。蝕刻工藝630包含 干式蝕刻工藝，其中此干式蝕刻工藝?yán)娩寤瘹?氧/氦的組合、范圍從約lmT至約1000mT 的壓力、范圍從約50W至約1000W的功率、范圍從約20V至約500V的偏壓電壓、范圍從約 lOsccm至約500sccm的溴化氫流率、范圍從約Osccm至約lOOsccm的氧流率、以及范圍從 約Osccm至約lOOOsccm的氦流率。干式蝕刻移除未受到保護(hù)或暴露出的硅基材602的數(shù) 個(gè)部分。干式蝕刻工藝可使得蝕刻方向獲得較佳控制，以達(dá)成特定的形狀。因此，由于指向 性/非等向性蝕刻的影響，凹陷632為"U"字型，且具有與間隙壁622對(duì)齊的垂直側(cè)壁。凹 陷632可具有范圍從約400A至約700A的深度634。
[0108] 在圖6D中，進(jìn)行蝕刻工藝640,以延伸基材602中的凹陷632。蝕刻工藝640包含 以選擇性調(diào)整之濕式蝕刻工藝。在本實(shí)施例中，濕式蝕刻工藝?yán)脷溲趸募谆@、異丙醇 與水的組合。已觀察到，藉由調(diào)節(jié)濕式蝕刻液，特別是TMAH，的溫度及/或濃度，可改變?cè)诓?同硅結(jié)晶面上的蝕刻速率。舉例而言，根據(jù)所暴露出的結(jié)晶面，TMAH表現(xiàn)出不同的蝕刻速 率。因此，可調(diào)節(jié)濕式蝕刻液的溫度及/或濃度，以對(duì)特定硅結(jié)晶面達(dá)到所需蝕刻速率。舉 例而言，在室溫（例如，約25°C)下，TMAH、異丙醇與水以1 :1 :8的體積比混合。在此狀況 下，蝕刻速率約為6納米/分。對(duì)于650nm深的"U"字型硅凹陷而言，約200秒的濕式蝕刻 可達(dá)成所需的"T"字型。可改變化學(xué)組成與工藝溫度，來(lái)符合工藝需求。此外，可以乙二胺 磷苯二酚或堿-氫氧基來(lái)取代濕式硅蝕刻劑TMAH。
[0109] 應(yīng)該注意的一點(diǎn)是，本實(shí)施例并未如圖2的實(shí)施例所討論般運(yùn)用摻雜區(qū)來(lái)作為蝕 刻終止，或如圖4的實(shí)施例所討論般運(yùn)用額外之間隙壁來(lái)防止輕摻雜區(qū)的移除。如此，通過(guò) 調(diào)整濕式溶液的TMAH與異丙醇的溫度及/或濃度，來(lái)控制濕式蝕刻的最終外型。因此，具有 選擇性調(diào)整的濕式蝕刻工藝形成凹陷644,如此一來(lái)，基材602于柵極結(jié)構(gòu)正下方具有"T" 字型。此"T"字型包含水平部650與垂直部652,垂直部652從水平部650的中央?yún)^(qū)延伸而 出。水平部650的尺寸654的范圍從約lnm至約7nm。根據(jù)柵極長(zhǎng)度，垂直部652的尺寸 656的范圍可從約10nm至約40nm。此外，垂直部652與間隙壁622的外邊緣之間相隔一距 離658,依照虛設(shè)間隙壁寬度，此距離658的范圍從約10nm至約30nm。另外，凹陷644的總 深度659的范圍從約500A至約1200A。
[0110] 在圖6E中，進(jìn)行磊晶工藝，以沉積半導(dǎo)體材料于凹陷644中。半導(dǎo)體材料不同于 基材。因此，通道區(qū)受到應(yīng)變或應(yīng)力，以賦予組件的載子迀移率，并提升組件性能?？蛇M(jìn)行 前清潔工藝，以利用氟化氫或其它合適溶液來(lái)清潔凹陷644。在本實(shí)施例中，利用磊晶工藝 沉積鍺化硅660于基材602的數(shù)個(gè)暴露表面上，以形成數(shù)個(gè)源極與漏極區(qū)。應(yīng)注意的一點(diǎn) 是，通過(guò)增加凹陷644的總體積（例如，位于柵極結(jié)構(gòu)正下方的"T"字型基材），亦可增加鍺 化硅660結(jié)構(gòu)的總體積。因此，更多應(yīng)力與應(yīng)變可施加在基材的通道區(qū)上，而可進(jìn)一步提升 組件性能。此外，沉積鍺化硅660,以使鍺化硅660抬升于基材602的表面上一段距離，此距 離的范圍從約125人至約250A。為促進(jìn)本實(shí)施例，可以P型摻質(zhì)，例如硼或銦，原處摻雜鍺 化硅660,以形成PMOS組件的數(shù)個(gè)源極/漏極區(qū)。
[0111] 半導(dǎo)體組件600可歷經(jīng)進(jìn)一步的處理，而完成NMOS與PMOS組件的制作。舉例而 言，半導(dǎo)體組件600繼續(xù)進(jìn)行處理以完成類(lèi)似于上述參照?qǐng)D2的半導(dǎo)體組件200的制作。
[0112] 半導(dǎo)體組件200、400與600僅作為例子。半導(dǎo)體組件200、400與600可使用 在各種應(yīng)用上，例如數(shù)字電路、影像感測(cè)組件（ImagingSensorDevices)，異質(zhì)半導(dǎo)體 (Hetero-semiconductor)組件、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（DRAM)單元、單電子晶體管（SET)及 /或其它微電子組件（在此共同稱(chēng)為微電子組件）。當(dāng)然，本發(fā)明的數(shù)種實(shí)施方式亦可 應(yīng)用及/或易于適用在其它種類(lèi)的晶體管上，包含單柵極（single-gate)晶體管、雙柵 極（double-gate)晶體管與其它多重柵極（multiple-gate)晶體管，且可運(yùn)用在許多不 同的應(yīng)用上，包含感測(cè)單元（sensorcells)、存儲(chǔ)單元（memorycells)、邏輯單元（logic cells)與其它。
[0113] 上述已概述數(shù)個(gè)實(shí)施例的特征。因此熟悉此技藝者可更了解本發(fā)明的實(shí)施方式。 熟悉此技藝者應(yīng)了解到，其可輕易地利用本發(fā)明作為基礎(chǔ)，來(lái)設(shè)計(jì)或潤(rùn)飾其它工藝與結(jié)構(gòu)， 以實(shí)現(xiàn)與在此所介紹的實(shí)施例相同的目的及/或達(dá)到相同的優(yōu)點(diǎn)。熟悉此技藝者也應(yīng)了解 到，這類(lèi)對(duì)等架構(gòu)并未脫離本發(fā)明的精神和范圍，且熟悉此技藝者可在不脫離本發(fā)明的精 神和范圍下，進(jìn)行各種的更動(dòng)、取代與潤(rùn)飾。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，包含： 接收一半導(dǎo)體基材； 形成一柵極結(jié)構(gòu)于該半導(dǎo)體基材的一表面上，該柵極結(jié)構(gòu)包含一間隙壁位于該柵極結(jié) 構(gòu)的一側(cè)壁上； 進(jìn)行一干式蝕刻，W在該半導(dǎo)體基材中形成一凹陷，其中該凹陷為一 U字型，且該U字 型具有一側(cè)與該間隙壁對(duì)齊； 形成一虛設(shè)間隙壁于該間隙壁上與該凹陷的該側(cè)上，其中該虛設(shè)間隙壁直接形成于且 直接接觸位于該柵極結(jié)構(gòu)的該側(cè)壁上的該間隙壁； 進(jìn)行另一干式蝕刻，W垂直延伸該凹陷，其中經(jīng)延伸的該凹陷具有一側(cè)對(duì)齊該虛設(shè)間 隙壁； W選擇性調(diào)整進(jìn)行一濕式蝕刻，W修改該凹陷，借W使該柵極結(jié)構(gòu)位于該半導(dǎo)體基材 的一部分上，其中該半導(dǎo)體基材的該部分是一 T字型，且該T字型具有一水平區(qū)與一垂直 區(qū)，該垂直區(qū)自該水平區(qū)W-方向遠(yuǎn)離該半導(dǎo)體基材的該表面； 于進(jìn)行該濕式蝕刻后，移除該虛設(shè)間隙壁；W及 W-半導(dǎo)體材料填充該凹陷，其中該半導(dǎo)體材料不同于該半導(dǎo)體基材。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，還包含于進(jìn)行該濕式 蝕刻前，進(jìn)行一植入工藝，W在該半導(dǎo)體基材中形成數(shù)個(gè)滲雜區(qū)； 其中，該干式蝕刻移除該些滲雜區(qū)的一部分；W及 其中，該些滲雜區(qū)的一留下部分做為該濕式蝕刻的一蝕刻終止。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，W選擇性調(diào)整進(jìn)行的 該濕式蝕刻利用氨氧化四甲基錠、異丙醇與水所構(gòu)成的一濕式溶液。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，其中該氨氧化四甲基 錠、異丙醇與水具有一體積比1 ;1 ;8,且該濕式溶液是處于室溫。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，還包含在W-半導(dǎo)體 材料填充該凹陷之前，進(jìn)行一前清潔工藝來(lái)清潔該凹陷。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，其中該前清潔是W氣 化氨溶液來(lái)清潔該凹陷。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，其中該干式蝕刻工藝 是利用漠化氨、氧與氮的組合來(lái)進(jìn)行。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，其中該另一干式蝕刻 工藝亦是利用漠化氨、氧與氮的組合來(lái)進(jìn)行。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，其中填充該凹陷之該 半導(dǎo)體材料，抬升于該半導(dǎo)體基材的表面上一段距離。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，其中該半導(dǎo)體材料直 接接觸該半導(dǎo)體基材的該T字型的該水平區(qū)的側(cè)面與下方表面，W及直接接觸該垂直區(qū)的 側(cè)面。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體組件及其制造方法，半導(dǎo)體組件包含半導(dǎo)體基材、柵極結(jié)構(gòu)位于部分的基材上、以及數(shù)個(gè)應(yīng)變結(jié)構(gòu)位于此部分基材的任一邊上且由不同于半導(dǎo)體基材的半導(dǎo)體材料所構(gòu)成。此部分的基材為T(mén)字型，而具有一水平區(qū)與一垂直區(qū)，此垂直區(qū)自水平區(qū)而以一方向遠(yuǎn)離基材的表面。
【IPC分類(lèi)】H01L21-336
【公開(kāi)號(hào)】CN104538305
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410665896
【發(fā)明人】許育榮, 余振華, 陳昭成, 蔡明桓, 林憲信, 宋學(xué)昌
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2010年12月22日
【公告號(hào)】CN102208444A, US8765556, US20110147810