Oled顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯示(Organic Light Emitting Display，0LED)是一種極具發(fā)展前景的顯示技術(shù)，它不僅具有十分優(yōu)異的顯示性能，還具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特性，被譽(yù)為“夢(mèng)幻顯示器”，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中第三代顯示器件的主力軍。
[0003]OLED顯示裝置通常包括:基板、設(shè)于基板上的陽(yáng)極、設(shè)于陽(yáng)極上的有機(jī)發(fā)光層，設(shè)于有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層、及設(shè)于電子傳輸層上的陰極。工作時(shí)向有機(jī)發(fā)光層發(fā)射來(lái)自陽(yáng)極的空穴和來(lái)自陰極的電子，將這些電子和空穴組合產(chǎn)生激發(fā)性電子-空穴對(duì)，并將激發(fā)性電子-空穴對(duì)從受激態(tài)轉(zhuǎn)換為基態(tài)實(shí)現(xiàn)發(fā)光。
[0004]OLED按照驅(qū)動(dòng)類(lèi)型的不同，可分為無(wú)源矩陣OLED (PMOLED)和有源矩陣OLED(AMOLED)。PMOLED具有高功耗，從而阻礙了在大面積顯示裝置中的應(yīng)用。另外，在PMOLED中，孔徑比根據(jù)電線數(shù)量的增大而減小。因此，PMOLED通常用作小尺寸的顯示裝置。而AMOLED因其高發(fā)光效能，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
[0005]另一方面，根據(jù)從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射方向，AMOLED又可以分為底發(fā)光AMOLED顯示裝置和頂發(fā)光AMOLED顯示裝置。
[0006]請(qǐng)參閱圖1，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種底發(fā)光AMOLED顯示裝置的剖面圖。如圖1所示，該AMOLED顯示裝置包括第一基板10和第二基板20，彼此隔開(kāi)且相互面對(duì)。多個(gè)薄膜晶體管T和多個(gè)第一電極31形成在第一基板10的內(nèi)表面上，其中每一第一電極11與一薄膜晶體管T相連，有機(jī)層32形成在第一電極31和薄膜晶體管T上，第二電極33形成在有機(jī)層32上。有機(jī)層32在一個(gè)像素區(qū)域P中發(fā)出三種顏色的光:紅光R、綠光G、藍(lán)光B。還包括:形成在第二基板20內(nèi)表面上的干燥劑21，用于除去可能穿透到第一、第二基板10、20之間的間隔空間中的水和空氣。密封劑12形成在第一、第二基板10、20之間，包圍第一、二電極層31、33，有機(jī)層32、薄膜晶體管T等元件，用于保護(hù)上述元件遠(yuǎn)離外來(lái)的水和空氣。
[0007]圖1所示的底發(fā)光AMOLED顯示裝置，光經(jīng)過(guò)形成有薄膜晶體管T的底面發(fā)出，與頂發(fā)光型AMOLED顯示裝置相比具有降低的孔徑比。另一方面，雖然頂發(fā)光型AMOLED具有較高的孔徑比，但由于陰極通常鋪設(shè)于有機(jī)層上，用于制造陰極的材料的選擇受到了限制，因而限制了光的透射率，降低了顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示裝置，其具有高透射率的頂發(fā)射模式，且具有尚孔徑比。
[0009]本發(fā)明的另一目的在于提供一種OLED顯示裝置的制造方法，其可以提高成品率與生產(chǎn)率。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供了一種OLED顯示裝置，包括第一基板、與所述第一基板間隔且正對(duì)設(shè)置的第二基板、設(shè)于第一基板內(nèi)表面的多個(gè)薄膜晶體管、設(shè)于第二基板內(nèi)表面上的透明陽(yáng)極、設(shè)于透明陽(yáng)極上的多個(gè)間壁、形成于所述間壁之間的傳輸孔、設(shè)于透明陽(yáng)極上且位于傳輸孔內(nèi)的有機(jī)層、設(shè)于有機(jī)層和間壁上的金屬陰極，所述金屬陰極與薄膜晶體管的漏極電性連接。
[0011]所述薄膜晶體管包括:柵極、源極金屬層、及漏極金屬層，所述源極金屬層厚度小于所述漏極金屬層的厚度；所述源極金屬層、漏極金屬層及第一基板上還設(shè)有鈍化層，所述鈍化層包括凹槽區(qū)以及與所述凹槽區(qū)相鄰的凸起區(qū)，所述凹槽區(qū)的底面平齊于漏極金屬層的上表面且高于源極金屬層的上表面，暴露出漏極金屬層的一部分，所述位于有機(jī)層上的金屬陰極對(duì)應(yīng)卡合到所述凹槽區(qū)內(nèi)并貼合凹槽區(qū)底部，從而所述金屬陰極通過(guò)所述凹槽區(qū)與漏極金屬層相連。
[0012]所述透明陽(yáng)極的材料為銦錫氧化物。
[0013]所述金屬陰極的材料為鈣、鋁和鎂的其中之一。
[0014]所述有機(jī)層包括與透明陽(yáng)極接觸的空穴傳輸層、與金屬陰極接觸的電子傳輸層、及位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)射層。
[0015]本發(fā)明還提供一種OLED顯示裝置的制造方法，包括:
[0016]步驟1、在第一基板上形成薄膜晶體管，包括柵極、源極金屬層、及漏極金屬層，其中所述源極金屬層厚度小于所述漏極金屬層的厚度；
[0017]步驟2、在所述源極金屬層、漏極金屬層和第一基板上形成鈍化層，通過(guò)成型工藝形成所述鈍化層的凹槽區(qū)以及與所述凹槽區(qū)相連的凸起區(qū)；
[0018]其中所述凹槽區(qū)的底面平齊于漏極金屬層的上表面且高于源極金屬層的上表面，暴露出漏極金屬層的一部分；
[0019]步驟3、在第二基板上形成透明陽(yáng)極；
[0020]步驟4、在透明陽(yáng)極上形成間壁，所述間壁具有對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素區(qū)域的多個(gè)傳輸孔；
[0021]步驟5、在透明陽(yáng)極上形成位于傳輸孔內(nèi)的有機(jī)層；
[0022]步驟6、在間壁和有機(jī)層上形成金屬陰極；
[0023]步驟7、將第一基板和第二基板粘接在一起，所述位于有機(jī)層上的金屬陰極對(duì)應(yīng)卡合到所述凹槽區(qū)內(nèi)并貼合凹槽區(qū)底部，從而所述金屬陰極通過(guò)所述凹槽區(qū)與漏極金屬層相連。
[0024]在制作第一基板與第二基板上的各種元件時(shí)，設(shè)計(jì)所述鈍化層的凹槽區(qū)與所述位于有機(jī)層上的金屬陰極的位置相對(duì)應(yīng)，并且所述凹槽區(qū)的面積大于或等于位于有機(jī)層上的金屬陰極的面積，使得當(dāng)?shù)谝换迮c第二基板對(duì)組時(shí)，所述位于有機(jī)層上的金屬陰極能夠完全卡合到所述鈍化層的凹槽區(qū)內(nèi)。
[0025]所述步驟3中透明陽(yáng)極的材料為銦錫氧化物。
[0026]所述步驟5中金屬陰極的材料為鈣、鋁和鎂的其中之一。
[0027]所述步驟5、6中有機(jī)層包括形成與透明陽(yáng)極接觸的空穴傳輸層、與金屬陰極接觸的電子傳輸層、及位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)射層。
[0028]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的OLED顯示裝置及其制造方法，通過(guò)將薄膜晶體管形成在第一基板上，有機(jī)層和透明陽(yáng)極形成在第二基板上，由于透明陽(yáng)極設(shè)置在金屬陰極上并且是透明的，不影響陰極材料的選擇，因此該OLED顯示裝置是具有高透射率的頂發(fā)射豐旲式，具有尚孔徑比。本發(fā)明提供的OLED顯不裝置制造方法可以制造具有尚孔徑比和尚透視率的OLED顯不裝置并提尚成品率和生廣率。
[0029]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【附圖說(shuō)明】
[0030]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。
[0031]附圖中，
[0032]圖1現(xiàn)有的底發(fā)光AMOLED顯示裝置的剖面圖；
[0033]圖2為本發(fā)明OLED顯示裝置的剖面圖；
[0034]圖3為本發(fā)明OLED顯示裝置的制造方法流程圖；
[0035]圖4為本發(fā)明OLED顯示裝置的薄膜晶體管與鈍化層部分的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0037]請(qǐng)參閱圖2及圖4，本發(fā)明提供了一種OLED顯示裝置，包括第一基板100、與所述第一基板100間隔且正對(duì)設(shè)置的第二基板200、設(shè)于第一基板100內(nèi)表面的多個(gè)薄膜晶體管101、設(shè)于第二基板200內(nèi)表面上的透明陽(yáng)極201、設(shè)于透明陽(yáng)極201上的多個(gè)間壁202、形成于所述間壁202之間的傳輸孔203、設(shè)于透明陽(yáng)極201上且位于傳輸孔203內(nèi)的有機(jī)層204、設(shè)于有機(jī)層204和間壁202上的金屬陰極205，所述金屬陰極205與薄膜晶體管101的漏極電性連接；
[0038]其中，所述薄膜晶體管101包括:柵極101a、源極金屬層101b、及漏極金屬層101c，所述源極金屬層1lb厚度小于所述漏極金屬層1lc的厚度；所述源極金屬層1lb以及漏極金屬層1lc及第一基板100上還設(shè)有鈍化層103，所述鈍化層103包括:凹槽區(qū)1ld以及與所述凹槽區(qū)1ld相鄰的凸起區(qū)101e，所述凹槽區(qū)1ld的底面平齊于漏極金屬層1lc的上表面且高于源極金屬層1lb的上表面，暴露出漏極金屬層1lc的一部分，所述位于有機(jī)層204上的金屬陰極205對(duì)應(yīng)卡合到所述凹槽區(qū)1ld內(nèi)并貼合凹槽區(qū)1ld底部，從而所述金屬陰極205通過(guò)所述凹槽區(qū)1ld與漏極金屬層1lc暴露出的部分相連。
[0039]具體的，所述間壁202與透明陽(yáng)極201接觸的寬度小于與金屬陰極205接觸的寬度。所述透明陽(yáng)極201的材料為銦錫氧化物。所述金屬陰極205的材料為鈣、鋁和鎂的其中之一。所述有機(jī)層204包括與透明陽(yáng)極201接觸的空穴傳輸層、與金屬陰極205接觸的電子傳輸層、及位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)射層。通過(guò)薄膜晶體管101接收的控制信號(hào)對(duì)透明陽(yáng)極201和金屬陰極205之間的電壓進(jìn)行控制使得有機(jī)層204發(fā)光，發(fā)出的光從透明陽(yáng)極201射出，或經(jīng)過(guò)金屬陰極205反射后經(jīng)過(guò)透明陽(yáng)極201射出，因此本發(fā)明的OLED顯示裝置為一種具體高孔徑比的頂發(fā)射型AMOLED顯示