裝置。
[0040]請參閱圖3及圖4，本發(fā)明還提供了一種OLED顯示裝置的制造方法，包括:
[0041]步驟1、在第一基板100上形成薄膜晶體101，包括柵極101a、有源層、源極101b、及漏極1lc ；
[0042]具體步驟為:在第一基板100形成多晶硅層，所述多晶體硅層包括:有源層，有源層兩側的源極區(qū)域、漏極區(qū)域，所述多晶硅層上覆蓋有絕緣層，所述絕緣層覆蓋整個有源層和部分源極區(qū)域、漏極區(qū)域，在有源層的絕緣層上形成柵極101a，從源極區(qū)域和漏極區(qū)域露出的部分開始涂布金屬層使得金屬層成型，形成源極金屬層1lb和漏極金屬層101c，所述源極金屬層1lb的厚度小于所述漏極金屬層1lc的厚度。
[0043]步驟2、在所述源極金屬層101b、漏極金屬層1lc和第一基板100上形成鈍化層103，通過成型工藝形成所述鈍化層103的凹槽區(qū)1ld以及與所述凹槽區(qū)1ld相連的凸起區(qū) 1le ；
[0044]所述凹槽區(qū)1ld的底面平齊于漏極金屬層1lc的上表面且高于源極金屬層1lb的上表面，暴露出漏極金屬層1lc的一部分；
[0045]步驟3、在第二基板200上形成透明陽極201 ;
[0046]所述步驟3中透明陽極201的材料為銦錫氧化物。
[0047]步驟4、在透明陽極201上形成間壁202，所述間壁202具有對應于每個像素區(qū)域的多個傳輸孔203 ；
[0048]所述間壁202為有機材料或無機材料，并且可以形成為:所述間壁202與透明陽極201接觸的底部的寬度大于與金屬陰極205接觸的頂部的寬度。
[0049]步驟5、在透明陽極201上形成位于傳輸孔203內的有機層204 ；
[0050]所述步驟5中有機層204包括與透明陽極201接觸的空穴傳輸層、與金屬陰極205接觸的電子傳輸層、及位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)射層。有機層204可以發(fā)光紅、綠、藍三種顏色的光線。所述有機層204的高度低于間壁202的高度。
[0051]步驟6、在間壁202和有機層204上形成金屬陰極205 ；
[0052]所述步驟6中金屬陰極205的材料為鈣、鋁和鎂的其中之一；
[0053]步驟7、將第一基板100和第二基板200粘接在一起，所述位于有機層204上的金屬陰極205對應卡合到所述凹槽區(qū)1ld內并貼合凹槽區(qū)1ld底部，從而所述金屬陰極205通過所述凹槽區(qū)1ld與漏極金屬層1lc相連。
[0054]本發(fā)明在制作第一與第二基板上的各種元件時，設計所述鈍化層103的凹槽區(qū)1ld與所述位于有機層204上的金屬陰極205的位置相對應，并且所述凹槽區(qū)1ld的面積大于或等于位于有機層204上的金屬陰極205的面積，使得當?shù)谝缓偷诙鍖M時，所述位于有機層204上的金屬陰極205能夠完全卡合到所述鈍化層103的凹槽區(qū)1ld內。
[0055]本發(fā)明提供的OLED顯示裝置及其制造方法，通過將薄膜晶體管形成在第一基板上，有機層和透明陽極形成在第二基板上，由于透明陽極設置在金屬陰極上并且是透明的，不影響陰極材料的選擇，因此該OLED顯示裝置是具有高透視率的頂發(fā)射模式，具有高孔徑比。本發(fā)明提供的OLED顯示裝置制造方法可以制造具有高孔徑比和高透視率的OLED顯示裝置并提尚成品率和生廣率。
[0056]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種OLED顯示裝置，其特征在于，包括第一基板(100)、與所述第一基板(100)間隔且正對設置的第二基板(200)、設于第一基板(100)內表面的多個薄膜晶體管(101)、設于第二基板(200)內表面上的透明陽極(201)、設于透明陽極(201)上的多個間壁(202)、形成于所述間壁(202)之間的傳輸孔(203)、設于透明陽極(201)上且位于傳輸孔(203)內的有機層(204)、設于有機層(204)和間壁(202)上的金屬陰極(205)，所述金屬陰極(205)與薄膜晶體管(101)的漏極電性連接。
2.如權利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管(101)包括:柵極(101a)、源極金屬層(1lb)、及漏極金屬層(1lc)，所述源極金屬層(1lb)厚度小于所述漏極金屬層(1lc)的厚度；所述源極金屬層(1lb)以及漏極金屬層(1lc)及第一基板(100)上還設有鈍化層(103)，所述鈍化層(103)包括凹槽區(qū)(1ld)以及與所述凹槽區(qū)(1ld)相鄰的凸起區(qū)(1le)，所述凹槽區(qū)(1ld)的底面平齊于漏極金屬層(1lc)的上表面且高于源極金屬層(1lb)的上表面，暴露出漏極金屬層(1lc)的一部分，所述位于有機層(204)上的金屬陰極(205)對應卡合到所述凹槽區(qū)(1ld)內并貼合凹槽區(qū)(1ld)底部，從而所述金屬陰極(205)通過所述凹槽區(qū)(1ld)與漏極金屬層(1lc)相連。
3.如權利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述透明陽極(201)的材料為銦錫氧化物。
4.如權利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述金屬陰極(205)的材料為鈣、鋁和鎂的其中之一。
5.如權利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述有機層(204)包括與透明陽極(201)接觸的空穴傳輸層、與金屬陰極(205)接觸的電子傳輸層、及位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)射層。
6.一種OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括: 步驟1、在第一基板(100)上形成薄膜晶體管(101)，包括柵極(101a)、源極金屬層(1lb)、及漏極金屬層(1lc)，其中所述源極金屬層(1lb)厚度小于所述漏極金屬層(1lc)的厚度； 步驟2、在所述源極金屬層(101b)、漏極金屬層(1lc)和第一基板(100)上形成鈍化層(103)，通過成型工藝形成所述鈍化層(103)的凹槽區(qū)(1ld)以及與所述凹槽區(qū)(1ld)相連的凸起區(qū)(1le)； 其中所述凹槽區(qū)(1ld)的底面平齊于漏極金屬層(1lc)的上表面且高于源極金屬層(1lb)的上表面，暴露出漏極金屬層(1lc)的一部分； 步驟3、在第二基板(200)上形成透明陽極(201); 步驟4、在透明陽極(201)上形成間壁(202)，所述間壁(202)具有對應于每個像素區(qū)域的多個傳輸孔(203)； 步驟5、在透明陽極(201)上形成位于傳輸孔(203)內的有機層(204); 步驟6、在間壁(202)和有機層(204)上形成金屬陰極(205)； 步驟7、將第一基板(100)和第二基板(200)粘接在一起，所述位于有機層(204)上的金屬陰極(205)對應卡合到所述凹槽區(qū)(1ld)內并貼合凹槽區(qū)(1ld)底部，從而所述金屬陰極(205)通過所述凹槽區(qū)(1ld)與漏極金屬層(1lc)相連。
7.如權利要求6所述的OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，在制作第一基板(100)與第二基板(200)上的各種元件時，設計所述鈍化層(103)的凹槽區(qū)(1ld)與所述位于有機層(204)上的金屬陰極(205)的位置相對應，并且所述凹槽區(qū)(1ld)的面積大于或等于位于有機層(204)上的金屬陰極(205)的面積，使得當?shù)谝换?100)與第二基板(200)對組時，所述位于有機層(204)上的金屬陰極(205)能夠完全卡合到所述鈍化層(103)的凹槽區(qū)(1ld)內。
8.如權利要求6所述的OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟3中透明陽極(201)的材料為銦錫氧化物。
9.如權利要求6所述的OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟5中金屬陰極(205)的材料為鈣、鋁和鎂的其中之一。
10.如權利要求6所述的OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟6中有機層(204)包括形成與透明陽極(201)接觸的空穴傳輸層、與金屬陰極(205)接觸的電子傳輸層、及位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的發(fā)射層。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置及其制造方法，所述OLED顯示裝置包括第一基板(100)、與所述第一基板(100)間隔且正對設置的第二基板(200)、設于第一基板(100)內表面的多個薄膜晶體管(101)、設于第二基板(200)內表面上的透明陽極(201)、設于透明陽極(201)上的多個間壁(202)、形成于所述間壁(202)之間的傳輸孔(203)、設于透明陽極(201)上且位于傳輸孔(203)內的有機層(204)、設于有機層(204)和間壁(202)上的金屬陰極(205)，所述金屬陰極(205)與薄膜晶體管(101)的漏極電性連接。本發(fā)明的OLED顯示裝置具有高孔徑比和高透視率，本發(fā)明提供的OLED顯示裝置的制造方法可以制造具有高孔徑比和高透視率的OLED顯示裝置，并提高成品率和生產率。
【IPC分類】H01L51-56, H01L27-32
【公開號】CN104576693
【申請?zhí)枴緾N201410742800
【發(fā)明人】石龍強, 王宜凡
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月8日