一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板及其封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示、封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板及其封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，OLED)陣列基板10，包括若干陣列排布的顯示面板11，顯示面板11包括顯示區(qū)12、顯示區(qū)12邊框處的封框膠13和臺(tái)階區(qū)域14，封框膠13的寬度為0.7毫米，臺(tái)階區(qū)域14指顯示面板11中制作集成電路的區(qū)域。每?jī)蓚€(gè)顯示面板11之間均存在切割凈空區(qū)，切割凈空區(qū)中不存在封框膠13，切割凈空區(qū)指將陣列基板10切割為單個(gè)顯示面板11時(shí)，切割位置處沒(méi)有封框膠的區(qū)域。圖中，水平方向上相鄰的兩個(gè)顯示面板11之間的切割凈空區(qū)的寬度為B，垂直方向上相鄰的兩個(gè)顯示面板11之間的切割凈空區(qū)的寬度為A，為了保證切割時(shí)不損壞顯示面板，實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中切割凈空區(qū)的寬度A或B預(yù)設(shè)為600微米-800微米。
[0003]圖1中由于每?jī)蓚€(gè)顯示面板11之間均存在切割凈空區(qū)，封裝時(shí)需要對(duì)每個(gè)顯示面板進(jìn)行獨(dú)立的涂布封框膠，并在涂封框膠后需要進(jìn)行獨(dú)立的激光固化。其中，單個(gè)顯示面板的封裝結(jié)構(gòu)截面圖如圖2所示，封框膠13位于上基板21和下基板20之間，在對(duì)封框膠13進(jìn)行激光固化的過(guò)程中，為了更好的反射激光束，使激光束更均勻，在下基板20上設(shè)置反射層22。
[0004]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)由于切割凈空區(qū)的寬度A或B預(yù)設(shè)為600微米-800微米，這樣導(dǎo)致顯示面板邊框較大，無(wú)法實(shí)現(xiàn)窄邊框化。并且現(xiàn)有技術(shù)封裝工藝較長(zhǎng)，需要獨(dú)立的涂膠工藝，獨(dú)立的激光固化工藝，由于每個(gè)顯示面板都是獨(dú)立的涂膠封裝，獨(dú)立的激光固化，故浪費(fèi)時(shí)間和材料成本，基板使用率不高，另外，激光固化時(shí)間較長(zhǎng)，效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板及其封裝方法。
[0006]一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板，包括若干陣列排布的顯示面板，其中，
[0007]相鄰的至少兩塊顯示面板的至少一側(cè)邊之間通過(guò)封框膠連接，不存在切割凈空區(qū)。
[0008]一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的封裝方法，包括:
[0009]為相鄰的至少兩塊顯示面板涂封框膠，使得相鄰的至少兩塊顯示面板的至少一側(cè)邊之間不存在切割凈空區(qū)；
[0010]采用第一激光束固化所述封框膠；
[0011]在需要切割的位置處采用第二激光束進(jìn)行熔融處理，使切割位置處的封框膠表面產(chǎn)生斷層區(qū)域；其中，所述第一激光束的功率大于所述第二激光束的功率；
[0012]沿切割位置進(jìn)行切割，得到單個(gè)的顯示面板。
[0013]本發(fā)明提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板至少達(dá)到如下的技術(shù)效果之一:
[0014]本發(fā)明提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板，由于相鄰的至少兩塊顯示面板的至少一側(cè)邊之間通過(guò)封框膠連接，不存在切割凈空區(qū)，如此，使得有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的邊框?qū)挾葴p小，至少達(dá)到了窄邊框、提高產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)效果之一。
[0015]本發(fā)明提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的封裝方法至少達(dá)到如下的技術(shù)效果之一:
[0016]本發(fā)明提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的封裝方法，由于該方法同時(shí)為相鄰的至少兩塊顯示面板涂封框膠，不需要分步為單個(gè)的顯示面板涂封框膠，至少達(dá)到了減少工藝時(shí)間和材料成本，提高生產(chǎn)效率的技術(shù)效果之一。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板中的一個(gè)顯示面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的封裝方法流程圖；
[0020]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖5(a)和圖5(b)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6為本發(fā)明實(shí)施例一和實(shí)施例二提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的部分區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖7為現(xiàn)有技術(shù)切割后形成的單一顯示面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖8為本發(fā)明實(shí)施例一和實(shí)施例二切割后形成的單一顯示面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板及其封裝方法，用以減少有機(jī)發(fā)光—極管廣品邊框，減少封裝工藝時(shí)間，提尚基板使用率，提尚生廣效率。
[0026]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0027]下面給出本發(fā)明具體實(shí)施例提供的技術(shù)方案的詳細(xì)介紹。
[0028]如圖3所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板的封裝方法，該方法包括:
[0029]S301、為相鄰的至少兩塊顯示面板涂封框膠，使得相鄰的至少兩塊顯示面板的至少一側(cè)邊之間不存在切割凈空區(qū)；
[0030]S302、米用第一激光束固化所述封框膠；
[0031]S303、在需要切割的位置處采用第二激光束進(jìn)行熔融處理，使切割位置處的封框膠表面產(chǎn)生斷層區(qū)域；其中，所述第一激光束的功率大于所述第二激光束的功率；
[0032]S304、沿切割位置進(jìn)行切割，得到單個(gè)的顯示面板。
[0033]本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板，包括若干陣列排布的顯示面板，相鄰的至少兩塊顯示面板的至少一側(cè)邊之間通過(guò)封框膠連接，不存在切割凈空區(qū)。
[0034]下面結(jié)合附圖4、附圖5 (a)和附圖5(b)詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板。
[0035]實(shí)施例一:
[0036]如圖4所不，本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板40，包括若干陣列排布的顯示面板41，相鄰的至少兩塊顯示面板41的至少一側(cè)邊之間通過(guò)封框膠13連接，不存在切割凈空區(qū)。本發(fā)明實(shí)施例一中的顯示面板41中不設(shè)置臺(tái)階區(qū)域，可選地，每?jī)蓚€(gè)相鄰的顯示面板41之間均不存在切割凈空區(qū)。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例一中的有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板40的封裝方法包括:一次性為所有的顯示面板41涂封框膠，使所有顯示面板41之間通過(guò)封框膠13連接，顯示面板41之間不存在切割凈空區(qū)?？蛇x地，涂封框膠后，采用第一激光束固化封框膠13，第一激光束為紅外激光束，第一激光束的波長(zhǎng)為788納米-828納米，第一紅外激光束的功率為I瓦-10瓦。具體地，本發(fā)明實(shí)施例一采用的第一激光束的波長(zhǎng)為808納米(nm)，功率為5瓦(W)，速度為5毫米每秒(mm/s)，溫度為350°C，能量穿透距離為1.8毫米(mm)。
[0038]接著在需要切割的位置處采用第二激光束進(jìn)行熔融處理，使切割位置處的封框膠13表面產(chǎn)生斷層區(qū)域，第二激光束為紅外激光束，第二激光束的波長(zhǎng)為788納米-828納米，第二紅外激光束的功率為5瓦-15瓦。具體地，本發(fā)明實(shí)施例一采用的第二激光束的波長(zhǎng)為808nm，功率為10W，速度為20mm/s，溫度為500°C，能量穿透距離為0.2mm。
[0039]最后沿切割位置進(jìn)行切割，得到單個(gè)的顯示面板，圖中的箭頭方向表示切割位置，具體地，本發(fā)明實(shí)施例一沿切割位置進(jìn)行切割包括:分別沿?cái)鄬訁^(qū)域中的切割位置進(jìn)行切害J?？蛇x地，本發(fā)明實(shí)施例一采用圖像控制器中的對(duì)位切割標(biāo)記確定需要切割的位置，具體地，可以采用電荷親合元件(Charge Coupled Device，CO))，即CO)圖像傳感器中的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，本發(fā)明實(shí)施例一中在需要切割的位置處采用第二激光束進(jìn)行熔融處理，第二激光束的激光能量大于第一激光束的激光能量，可以很好的使封框膠13表面產(chǎn)生斷層，利于切割的分離，之后采用機(jī)械刀輪切割的方法沿切割位置