可撓式元件及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種可撓式元件及其制造方法。
【背景技術】
[0002]目前，可撓式元件的制作方式，通常是在一玻璃基板上涂抹塑膠溶液并將其固化以形成一可撓式基板，或是直接在玻璃基板上粘合一層可撓式基板。接著，在可撓式基板上制作所需要的電子元件，以形成可撓式元件。
[0003]電子元件以薄膜晶體管層為例，一般而言，薄膜晶體管的制作過程溫度可能高達600度。然而，可撓式基板例如是聚亞酰胺(PI)、乙烯對苯二甲酸酯(PET)或聚乙烯(PEN)等的材料，其玻璃轉(zhuǎn)化溫度通常僅在300度至400度上下，較難承受上述的高溫制作過程。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明提供一種可撓式元件及其制造方法，其可避免可撓式基板在制造的過程中發(fā)生變質(zhì)或是熔化的狀況。
[0005]本發(fā)明的一種可撓式元件的制造方法，包括下列步驟，首先，提供一硬質(zhì)基板。接著，形成一離型層在硬質(zhì)基板上。再來，形成一緩沖層在離型層上。接著，形成一電子元件在緩沖層上。再來，通過離型層將緩沖層以及電子元件自硬質(zhì)基板上分離。最后，將一第一可撓式基板形成在緩沖層以及電子元件上，其中緩沖層位于電子元件與第一可撓式基板之間。
[0006]在本發(fā)明的一實施例中，上述形成離型層在硬質(zhì)基板上的方法包括使離型層覆蓋硬質(zhì)基板的一表面。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述形成離型層在硬質(zhì)基板上的方法包括使離型層覆蓋硬質(zhì)基板的一表面的一第一區(qū)。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述形成緩沖層的方法包括使緩沖層覆蓋在位在第一區(qū)的離型層，并且延伸至表面的一第二區(qū)以覆蓋在硬質(zhì)基板。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述通過離型層將緩沖層以及電子元件自硬質(zhì)基板上分離之前，還進一步切除基板的第二區(qū)以及位于第二區(qū)的緩沖層。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述將第一可撓式基板形成緩沖層以及電子元件上的方法包括:涂布一膠層在緩沖層的遠離電子元件的一側(cè)；以及貼附第一可撓式基板至膠層。[0011 ] 在本發(fā)明的一實施例中，上述將第一可撓式基板形成緩沖層以及電子元件上的方法包括:涂布一塑膠溶液在緩沖層的遠離電子元件的一側(cè)；以及固化塑膠溶液以形成第一可撓式基板。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，還包括在將第一可撓式基板形成緩沖層以及電子元件上之后，形成一顯示元件至電子元件上。
[0013]在本發(fā)明的一實施例中，還包括配置一第二可撓式基板在顯示元件的遠離電子元件的一側(cè)。
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述顯示元件包括有機發(fā)光二極管(Organic lightemitting d1de,簡稱 OLED)、電泳顯不器(Eletrophoretic Display,簡稱 EPD)、電濕潤顯不器(Electrowetting Display,簡稱EWD)或液晶顯不器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)。
[0015]在本發(fā)明的一實施例中，上述離型層的材料包括片狀六方結(jié)構(gòu)的無機材料。
[0016]在本發(fā)明的一實施例中，上述離型層的材料包括硫化鎘微納米材料、氫氧化鎂納米材料、片狀六方結(jié)構(gòu)銀、氮化硼、云母或滑石。
[0017]在本發(fā)明的一實施例中，上述離型層以涂布或是噴灑的方式形成在硬質(zhì)基板上。
[0018]在本發(fā)明的一實施例中，上述離型層的材料的玻璃轉(zhuǎn)化溫度高于600°C。
[0019]在本發(fā)明的一實施例中，上述緩沖層包括氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或其組八口 ο
[0020]在本發(fā)明的一實施例中，上述第一可撓式基板包括一超薄玻璃、一塑膠膜或一不銹鋼層。
[0021 ] 在本發(fā)明的一實施例中，上述硬質(zhì)基板為一玻璃基板、一陶瓷基板或一硬質(zhì)塑膠基板。
[0022]本發(fā)明提供一種可撓式元件，包括一第一可撓式基板、一緩沖層及一電子元件。緩沖層配置在第一可撓式基板上。電子元件配置在緩沖層上。
[0023]在本發(fā)明的一實施例中，還包括一離型層，位于第一可撓式基板與緩沖層之間，離型層的材料包括片狀六方結(jié)構(gòu)的無機材料。
[0024]在本發(fā)明的一實施例中，上述離型層不均勻地分布于第一可撓式基板與緩沖層之間。
[0025]在本發(fā)明的一實施例中，上述離型層的材料包括硫化鎘微納米材料、氫氧化鎂納米材料、片狀六方結(jié)構(gòu)銀、氮化硼、云母或滑石。
[0026]在本發(fā)明的一實施例中，上述離型層的材料的玻璃轉(zhuǎn)化溫度高于600°C。
[0027]在本發(fā)明的一實施例中，上述緩沖層包括氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或其組八口 ο
[0028]在本發(fā)明的一實施例中，還包括一顯示元件,配置在電子元件上。
[0029]在本發(fā)明的一實施例中，還包括一第二可撓式基板，配置在顯示元件上。
[0030]在本發(fā)明的一實施例中，還包括一膠層，配置在第一可撓式基板與緩沖層之間。
[0031]在本發(fā)明的一實施例中，上述電子元件包括多個薄膜晶體管層或是多個觸控元件。
[0032]在本發(fā)明的一實施例中，上述顯示元件包括有機發(fā)光二極管(Organic lightemitting d1de,簡稱 0LED)、電泳顯不器(Eletrophoretic Display,簡稱 EPD)、電濕潤顯不器(Electrowetting Display,簡稱EWD)或液晶顯不器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)。
[0033]在本發(fā)明的一實施例中，上述第一可撓式基板包括一超薄玻璃、一塑膠膜或一不銹鋼層。
[0034]基于上述，本發(fā)明的可撓式元件及其制造方法，利用可耐高溫的硬質(zhì)基板作為支撐的基板，先在硬質(zhì)基板上形成離型層，接著在離型層上形成緩沖層。在緩沖層上完成高溫的電子元件的制備之后，通過離型層可輕易地將緩沖層與電子元件脫離于硬質(zhì)基板，其后將可撓式基板配置在緩沖層與電子元件上，以制作出可撓式元件。由于可撓式基板在電子元件之后才形成在緩沖層與電子元件上，可避免不耐高溫的可撓式基板在電子元件的高溫制作過程時發(fā)生熔化的狀況。
[0035]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0036]圖1A至圖1F是依照本發(fā)明的一實施例的一種可撓式元件的制造方法的流程示意圖；
[0037]圖1G是圖1A至圖1F的可撓式元件的制造方法的步驟示意圖；
[0038]圖2A至圖21是依照本發(fā)明的另一實施例的一種可撓式元件的制造方法的流程示意圖；
[0039]圖2J是圖2A至圖21的可撓式元件的制造方法的步驟示意圖。
[0040]附圖標記說明:
[0041]11 ?17、21 ?29:步驟;
[0042]30:硬質(zhì)基板；
[0043]32:表面；
[0044]34:第一區(qū)；
[0045]36:第二區(qū)；
[0046]100,200:可撓式元件；
[0047]100’:可撓式顯示面板；
[0048]110、210:離型層；
[0049]120、220:緩沖層；
[0050]130、230:電子元件；
[0051]235、255:膠層；
[0052]140:第一可撓式基板；
[0053]150>250:顯示元件；
[0054]240、260:可撓式基板。
【具體實施方式】
[0055]圖1A至圖1F是依照本發(fā)明的一實施例的一種可撓式元件的制造方法的流程示意圖。圖1G是圖1A至圖1F的可撓式元件的制造方法的步驟示意圖。本實施例的可撓式元件的制造方法10，包括下列步驟，首先，請參閱圖1A，提供一硬質(zhì)基板30 (步驟11)。在本實施例中，硬質(zhì)基板30為一玻璃基板，在其他實施例中，硬質(zhì)基板30也可為一陶瓷基板或一不銹鋼鋼板等可耐高溫材料。在本實施例中，由于在之后的步驟中會在硬質(zhì)基板30上制作薄膜晶體管，因此，硬質(zhì)基板30需要可以耐受薄膜晶體管制作過程的高溫，例如硬質(zhì)基板30可承受高于600°C的溫度。當然，隨著制作過程的不同，硬質(zhì)基板30的材質(zhì)以及耐溫上限也可隨之調(diào)整，并不以上述為限制，只要硬質(zhì)基板30可以耐受后續(xù)的制作過程溫度即可。
[0056]接著，形成一離型層110在硬質(zhì)基板30上(步驟12)，在本實施例中，離型層110覆蓋硬質(zhì)基板30的整個表面32。離型層110的材料包括片狀六方結(jié)構(gòu)的無機材料，例如是硫化鎘微納米材料、氫氧化鎂納米材料、片狀六方結(jié)構(gòu)銀、氮化硼、云母或滑石。
[0057]舉例而言，離型層110的材料可選用六角片狀的硫化鎘的微納米材料，其粒徑為微米級，