厚度為納米級。關(guān)于六角片狀的硫化鎘晶體的制造方式可參考人工晶體學(xué)報(bào)(JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS) 2005年8月第34卷第4期的「六方柱與六角片狀CdS晶體的水熱法生長」而制成。其后將六角片狀的硫化鎘晶體溶于甲苯(Toluene)、己烷(Hexanes)、三氯甲燒(Chloroform)、二氯甲燒(Dichloromethane)、甲醇(Methanol)或水中，制成硫化鎘溶液以利于涂布在硬質(zhì)基板30上。
[0058]或者，離型層110的材料也可選用六方片狀銀粉，關(guān)于六方片狀銀粉的制造方式可參考粉末冶金技術(shù)(Powder Metallurgy Techonology)2003年8月第21卷第4期的「六方片狀銀粉的合成」而制備。制備好的離型層110的溶液或粉末可以涂布或是噴灑的方式形成在硬質(zhì)基板30上。
[0059]當(dāng)然，上述僅舉出部分的離型層110的材料與可實(shí)施的制備方式，離型層110的材料與制備方式并不以上述為限制。在本實(shí)施例中，離型層110為了能夠耐受后續(xù)的高溫制作過程，其玻璃轉(zhuǎn)化溫度需高于600°C，在其他實(shí)施例中，離型層110的材料所需的玻璃轉(zhuǎn)化溫度可視制作過程的溫度需求而異，不以此為限制。
[0060]再來，請參閱圖1B，形成一緩沖層120在離型層110上(步驟13)。在本實(shí)施例中，緩沖層120具有較高的親水性，可讓后續(xù)形成在緩沖層120上方的材料能夠更平整地形成在硬質(zhì)基板30與離型層110上，緩沖層120的材料可為氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或其組合(S1x/SiNx)等，但緩沖層120的材料并不以此為限制。
[0061]接著，請參閱圖1C，形成一電子元件130在緩沖層120上(步驟14)。在本實(shí)施例中，電子元件130包括多個薄膜晶體管或多個觸控元件等，但電子元件130的種類不以此為限制。
[0062]再來，通過離型層110將緩沖層120以及電子元件130自硬質(zhì)基板30上分離(步驟15)。在本實(shí)施例中，離型層110可剝離于硬質(zhì)基板30，以使緩沖層120以及電子元件130自硬質(zhì)基板30上分離。本實(shí)施例的緩沖層120在離形的過程中，可用來當(dāng)作電子元件130的暫時支撐層，以使電子元件130能夠完整地脫離于硬質(zhì)基板30。此外，在圖1D中，剝離硬質(zhì)基板30后，緩沖層120上的離型層110仍相當(dāng)?shù)赝暾?，但在其他?shí)施例中，離型層110也可能會不均勻地分布在緩沖層120上。也就是說，離型層110可以有一部分殘留在硬質(zhì)基板30上而另一部分隨著緩沖層120自硬質(zhì)基板30上分離，甚至還有一部分的離型層110可能會剝落。
[0063]再來，請參閱圖1E，將一第一可撓式基板140形成緩沖層120以及電子元件130上，其中緩沖層120位于電子元件130與第一可撓式基板140之間(步驟16)。第一可撓式基板140可為一超薄玻璃、一塑膠膜或一不銹鋼層等，其中塑膠膜例如是聚亞酰胺(PI)、乙烯對苯二甲酸酯(PET)，聚乙烯(PEN)或聚碳酸酯(P C )等的材料，但第一可撓式基板140的種類不以此為限制。
[0064]在本實(shí)施例中，第一可撓式基板140形成在離型層110、緩沖層120以及電子元件130的下方，離型層110位于第一可撓式基板140與緩沖層120之間。但在其他實(shí)施例中，制造者也可以將離型層I1去除于緩沖層120之后，再將第一可撓式基板140形成緩沖層120以及電子元件130的下方，以使第一可撓式基板140直接與緩沖層120接觸。
[0065]此外，在本實(shí)施例中，通過涂布一塑膠溶液于緩沖層120的遠(yuǎn)離電子元件130的一偵牝并固化塑膠溶液以形成第一可撓式基板140，而完成可撓式元件100的制備。在其他實(shí)施例中，第一可撓式基板140也可以粘合的方式形成緩沖層120以及電子元件130上，第一可撓式基板140的形成方式不以上述為限制。
[0066]如圖1E所示，本實(shí)施例的可撓式元件100包括一第一可撓式基板140、一離型層110、一緩沖層120及一電子元件130。在本實(shí)施例中，緩沖層120配置在第一可撓式基板140上方，且離型層110均勻地分布在第一可撓式基板140與緩沖層120之間，電子元件130配置在緩沖層120上。但在其他實(shí)施例中，由于離型層110與硬質(zhì)基板30分離時，可能會有部分殘留在硬質(zhì)基板30上，因此，離型層110也有可能是不均勻地分布在第一可撓式基板140與緩沖層120之間，甚至制造者也可以事先將離型層110自緩沖層120上去除，而使得后續(xù)形成的第一可撓式基板140直接與緩沖層120接觸。
[0067]若要制作顯示面板，在將第一可撓式基板140上形成緩沖層120以及電子元件130之后，請參閱圖1F，可以進(jìn)一步地形成一顯示元件150至電子元件130上(步驟17)以形成一可撓式顯示面板100’。顯示元件150可包括有機(jī)發(fā)光二極管(Organic light emittingd1de,簡稱OLED)、電泳顯不器(Eletrophoretic Display,簡稱EPD)、電濕潤顯不器(Electrowetting Display,簡稱EWD)或液晶顯不器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)等，但顯示元件150的種類不以此為限制。
[0068]整體而言，本實(shí)施例的可撓式元件的制造方法包括至少以下步驟。利用可耐高溫的硬質(zhì)基板30作為支撐的基板，先在硬質(zhì)基板30上形成離型層110，在離型層110上形成緩沖層120，且在緩沖層120上完成高溫的電子元件130的制備之后，通過離型層110輕易地將緩沖層120與電子元件130脫離于硬質(zhì)基板30，其后將第一可撓式基板140配置在緩沖層120與電子元件130上，以制作出可撓式元件100。由于第一可撓式基板140的玻璃轉(zhuǎn)化溫度低于電子元件130的制作過程溫度，在本實(shí)施例中，第一可撓式基板140在電子元件130之后才形成在緩沖層120與電子元件130上，可避免不耐高溫的第一可撓式基板140在進(jìn)行電子元件130的高溫制作過程時發(fā)生熔化的狀況。
[0069]圖2A至圖21是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種可撓式元件的制造方法的流程示意圖。圖2J是圖2A至圖21的可撓式元件的制造方法的步驟示意圖。本實(shí)施例的可撓式元件的制造方法20包括下列步驟。請參閱圖2A，提供一硬質(zhì)基板30 (步驟21)，且形成一離型層210在硬質(zhì)基板30上(步驟22)。在本實(shí)施例中，硬質(zhì)基板30的表面32包括一第一區(qū)34及一第二區(qū)36。離型層210覆蓋硬質(zhì)基板30的第一區(qū)34，也就是指硬質(zhì)基板30的表面32的中央?yún)^(qū)域。
[0070]接著，請參閱圖2B，形成一緩沖層220在離型層210上(步驟23)。在本實(shí)施例中，緩沖層220覆蓋在位于第一區(qū)34上的離型層210，并且延伸至表面32的第二區(qū)36以覆蓋在硬質(zhì)基板30。在本實(shí)施例中，第二區(qū)36為在表面32上的第一區(qū)34以外的部位。如圖2B所示，第二區(qū)36位于第一區(qū)34的周圍。緩沖層220在第二區(qū)36的厚度可選擇性地接近于第一區(qū)34中緩沖層220的厚度加上離型層210的厚度，以使緩沖層220在遠(yuǎn)離硬質(zhì)基板30的表面能夠齊平。
[0071]再來，請參閱圖2C，形成電子元件230于緩沖層220上(步驟24)。接著，請參閱圖2D，切除硬質(zhì)基板30的第二區(qū)36、位于第二區(qū)36的部分緩沖層220以及部分電子元件230(步驟25)。在本實(shí)施例中，由于電子元件230形成在整個緩沖層220上，因此在進(jìn)行切除的動作的時候，會切除到電子元件230落在第二區(qū)36的一部分。但在其他實(shí)施例中，電子元件230也可只形成在第一區(qū)34內(nèi)，如此一來，此在進(jìn)行切除的動作的時候，便只會切除到硬質(zhì)基板30的第二區(qū)36以及位于第二區(qū)36的部分緩沖層220。
[0072]在進(jìn)行上述的切除動作之后，如圖2E所示，硬質(zhì)基板30將只剩下第一區(qū)34并且緩沖層220與硬質(zhì)基板30之間會存在有離型層210。若要制作顯示面板，則接著，請參閱圖2F，將顯示元件250形成在電子元件230上(步驟26)。再來，如圖2G所示，配置一可撓式基板260在顯示元件250的遠(yuǎn)離電子元件230的一側(cè)(步驟27)，以保護(hù)顯示元件250，其中可撓式基板260可為一超薄玻璃或一透明塑膠膜，但可撓式基板260的種類不以此為限制。在本實(shí)施例中，可撓式基板260配置在顯不兀件250的方式是通過先涂布一膠層255在顯示元件250的遠(yuǎn)離電子元件230的一側(cè)，再將可撓式基板260通過膠層255貼附至顯示元件250。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可直接在顯示元件250上涂布塑膠溶液并且對其進(jìn)行固化的動作，而形成可撓式基板260。
[0073]接著，如圖2H所示，通過離型層210將緩沖層220以及電子元件230自硬質(zhì)基板30上分離(步驟28)。最后，如圖21所示，將另一可撓式基板240形成在緩沖層220以及電子元件230上，以完成可撓式元件200 (步驟29)，本實(shí)施例的可撓式元件