200與光吸收層300之間的界面至光吸收層300與緩沖層400之間的界面逐漸減小。具體地，第一緩沖層410相比第二緩沖層420可包含更多ZnS。換言之，ZnS的濃度可從第一緩沖層410至第二緩沖層420逐漸減小。
[0047]此外，緩沖層410相比第二緩沖層420可包含更少的ZnO。換言之，ZnO的濃度可從第一緩沖層410至第二緩沖層420增加。
[0048]此外，ZnS, ZnO和Zn (OH) 2可以在第一緩沖層410和第二緩沖層420之間的界面處混合。
[0049]緩沖層400可以具有30nm至10nm的厚度。具體地，第一緩沖層410或第二緩沖層420可具有50nm或更小的厚度。優(yōu)選地，第一緩沖層410或第二緩沖層420可具有15nm至50nm的厚度。
[0050]換言之，根據(jù)本實(shí)施方案，緩沖層400包括包含ZnS的第一緩沖層410，和形成在第一緩沖層410上并包含ZnO的第二緩沖層420。
[0051]此外，基于ZnS緩沖層的電阻，第一緩沖層410和/或第二緩沖層420可具有50nm或更小的厚度。
[0052]因此，可從緩沖層的上部省略包含ZnO的高電阻緩沖層，并可減少由于緩沖層的薄厚度而導(dǎo)致的對(duì)發(fā)光層的損壞。
[0053]前電極層500設(shè)置在緩沖層400上。前電極層500為透明的且包含導(dǎo)電層。此外，前電極層500的電阻高于背電極層500的電阻。
[0054]前電極層500包括氧化物。例如，構(gòu)成前電極層500的材料可包括鋁摻雜的氧化鋅(AZO)、銦鋅氧化物(IZO)或銦錫氧化物(ITO)。
[0055]前電極層500可具有N型半導(dǎo)體的特性。在此情況下，前電極層500與緩沖層400一起形成N型半導(dǎo)體，以與作為P型半導(dǎo)體層的光吸收層300形成PN結(jié)。前電極層500可具有約10nm至約500nm的厚度。
[0056]前電極層500可具有在約500nm至約1.5 μπι的范圍內(nèi)的厚度。此外，如果前電極層500包括鋁摻雜的氧化鋅，則可以以約2.5?七％至約3.5wt%的含量摻雜Al。
[0057]在緩沖層400和前電極層500中形成有第三通孔TH3。第三通孔TH3可穿過緩沖層400、高電阻緩沖層和前電極層500的部分或全部而形成。換言之，第三通孔TH3可露出背電極層200的頂表面。
[0058]第三通孔TH3相鄰于第二通孔TH2形成。具體地，第三通孔TH3設(shè)置在第二通孔TH2的旁邊。換言之，當(dāng)在平面圖中觀察，第三通孔TH3平行于第二通孔TH2設(shè)置。第三通孔TH3可具有沿第一方向延伸的形狀。
[0059]第三通孔TH3形成為穿過前電極層500。具體地，第三通孔TH3可以穿過光吸收層300和緩沖層400的部分或全部形成。
[0060]前電極層500由第三通孔TH3分割成復(fù)數(shù)個(gè)前電極。換言之，前電極通過第三通孔TH3限定。
[0061]各個(gè)前電極均具有與各個(gè)背電極的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀。換言之，前電極布置成帶的形狀?？商娲兀半姌O可以布置成陣列的形狀。
[0062]此外，復(fù)數(shù)個(gè)太陽能電池C1、C2、…和Cn由第三通孔TH3限定。具體地，太陽能電池C1、C2、…和Cn由第二通孔TH2和第三通孔TH3限定。換言之，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的太陽能電池裝置由第二通孔TH2第三通孔TH3分割成太陽能電池Cl、C2、…和Cn。此外，太陽能電池C1、C2、…和Cn在與第一方向交叉的第二方向上彼此連接。換言之，電流可以沿第二方向流過太陽能電池Cl、C2、…和Cn。
[0063]換言之，太陽能電池板10包括支承基板100和太陽能電池C1、C2、…和Cn。太陽能電池C1、C2、…和Cn設(shè)置在支承基板100上，并彼此間隔開。太陽能電池Cl、C2、…和Cn通過連接部彼此串聯(lián)連接。
[0064]連接部設(shè)置在第二通孔TH2內(nèi)部。連接部從前電極層500向下延伸，使得連接部連接至背電極層200。例如，連接部從第一電池Cl的前電極延伸使得該連接部連接至第二電池C2的背電極。
[0065]因此，連接部將相鄰的太陽能電池彼此連接。更具體地，連接部將構(gòu)成相鄰太陽能電池的前電極與后電極相互連接。
[0066]連接部與前電極層500 —體地形成。換言之，構(gòu)成連接部的材料與構(gòu)成前電極層500的材料相同。
[0067]以下，將參照?qǐng)D3至圖10描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的太陽能電池的制造方法。圖3至圖10是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的太陽能電池的制造方法的截面圖。
[0068]參照?qǐng)D3，在支承基板100上形成背電極層200。背電極層200可通過物理氣相沉積(PVD)或鍍覆方案形成。
[0069]此后，參照?qǐng)D4，通過圖案化背電極層200來形成第一通孔TH1。因此，在支承基板100上形成復(fù)數(shù)個(gè)背電極。通過激光來將背電極層200圖案化。
[0070]各個(gè)第一通孔THl可露出支承基板100的頂表面，并具有約80 μm至約200 μπι的寬度，但本實(shí)施方案不限于此。
[0071]此外，可在支承基板100和背電極層200之間插入附加層，例如防擴(kuò)散層。在此情況下，第一通孔使THl該附加層的頂表面露出。
[0072]此后，參照?qǐng)D5，光吸收層300形成在背電極層500上。光吸收層300可以通過濺射工藝或蒸鍍方案形成。
[0073]例如，為了形成光吸收層300，廣泛實(shí)施了如下方案:通過同時(shí)或分別蒸鍍Cu、In、Ga和Se形成Cu (In，Ga) Se2 (CIGS)基的光吸收層300的方案，以及在形成金屬前體膜之后實(shí)施砸化工藝的方案。
[0074]關(guān)于在形成金屬前體層之后的砸化工藝的細(xì)節(jié)，是采用Cu靶、In靶或者Ga靶通過濺射工藝在背電極上形成金屬前體。
[0075]此后，對(duì)金屬前體層進(jìn)行砸化處理以形成Cu (In，Ga) Se2 (CIGS)基的光吸收層300。
[0076]此外，采用Cu革Ε、In革E和Ga革E的派射工藝和砸化工藝可同時(shí)實(shí)施。
[0077]可替代地，可通過采用僅Cu靶和In靶、或僅Cu靶和Ga靶的濺射工藝，以及砸化工藝，來形成CIS或CGS的光吸收層300。
[0078]接下來，參照?qǐng)D6和圖7，在光吸收層300上形成緩沖層400。緩沖層400的形成步驟包括在光吸收層上形成第一緩沖層的步驟和在第一緩沖層上形成第二緩沖層的步驟。
[0079]包括第一緩沖層410和第二緩沖層420的緩沖層400可通過化學(xué)浴沉積方案來形成。
[0080]化學(xué)浴沉積方案是一種薄膜沉積方案，其為將基板浸入含有期望沉積的材料的溶液中，并通過向基板加熱和加壓將沉積材料沉積在基板上。
[0081]根據(jù)本實(shí)施例制造太陽能電池的方法，使用化學(xué)浴沉積方案，通過調(diào)節(jié)溶液濃度，相繼沉積第一緩沖層410和第二緩沖層420。具體地，可通過調(diào)節(jié)溶液中所含的氫氧化銨(NH4OH)的濃度來沉積第一緩沖層410和第二緩沖層420。
[0082]為了在光吸收層300上形成緩沖層400，具有背電極層200及光吸收層300的支承基板100可被浸入溶解了緩沖層沉積材料的溶液中。
[0083]該溶液可包括pH為9或更高的堿性溶液。溶液可包括各種緩沖層沉積材料。
[0084]具體地，溶液可包含Zn鹽溶液作為Zn的供應(yīng)源。Zn鹽可包括硫酸鋅(ZnSO4)、氯化鋅(ZnCl2)、乙酸鋅(Zn(CH3COO)2)或硝酸鋅(Zn (NO3))。該溶液可能包括硫脲(CH4N2S)作為硫(S)的供應(yīng)源。此外，溶液包括氫氧化銨(NH4OH)溶液，即，氨水作為絡(luò)合劑化合物與pH調(diào)節(jié)劑。
[0085]氨水活化在支承基板100上ZnS的沉積。換言之，氨水活化了在緩沖層400上的ZnS的沉積，所述緩沖層400形成于設(shè)置在支承基板100上的光吸收層300上。也就是說，在光吸收層300上沉積的緩沖層400中包含的硫化鋅的含量可通過氨水的濃度來調(diào)節(jié)。
[0086]在形成第一緩沖層410的步驟中，使用硫酸鋅(ZnSO4)溶液和硫脲(CH4N2S)作為供應(yīng)鋅的源和供應(yīng)硫的源，使用氨水作為絡(luò)合劑與PH調(diào)節(jié)劑。在這種情況下，氨水的濃度可在IM至4M的范圍內(nèi)。
[0087]可向反應(yīng)溶液中加入合適量的水合肼溶液來促進(jìn)鋅離子的產(chǎn)生。換言之，為了生長(zhǎng)ZnS薄膜，將試劑溶液以ZnS溶液、氨水、水合肼溶液和硫脲溶液的順序加入其中有適量去離子水的反應(yīng)容器中。具有光吸收層300的支承基板100的溫度可通過使用安裝在反應(yīng)容器內(nèi)的加熱器在約50°C至約90°C的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。
[0088]通過形成第一緩沖層410的步驟，第一緩沖層410可包括ZnS、ZnO和Zn (OH) 2。特別地，在第一緩沖層410中可含有高含量的ZnS，并且ZnS、ZnO和Zn (OH) 2可以在第一緩沖層410和第二緩沖層420之間的界面處混合。
[0089]以與形成第一緩沖層410的步驟相同的方式實(shí)施形成第一緩沖層410上的第二緩沖層420