性提高的作用。但是，伴隨藥液 耐受性的提高，蝕刻速率變慢，因此若Sn量變多，則蝕刻加工性降低。
[0062] 化被認(rèn)為有助于非晶結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定化，也有助于提高對于應(yīng)力的穩(wěn)定性。但是，若 化量變多，則氧化物半導(dǎo)體薄膜容易結(jié)晶化，晶界導(dǎo)致半導(dǎo)體特性降低。另外，若化量變 多，則根據(jù)蝕刻時(shí)使用的蝕刻劑的種類，蝕刻時(shí)會發(fā)生殘?jiān)?br>[0063] 具體來說，作為本發(fā)明所用的氧化物半導(dǎo)體層4,例如可列舉W下的物質(zhì)。 Zn-0 狂0)、化-Ga-O 狂GO)、In-Ga-ai-O (IGZO)、In-Ga-ai-Sn-O (IGZTO)、In-Ga-Sn-0 (IGTO)。
[0064] 構(gòu)成氧化物半導(dǎo)體層4的各金屬原子的優(yōu)選的金屬比[各金屬元素相對于除去氧 的全部金屬元素的優(yōu)選的含量（原子％ )]優(yōu)選根據(jù)氧化物半導(dǎo)體層的種類，W能夠獲得良 好的TFT特性等的方式，適宜、恰當(dāng)?shù)乜刂啤?br>[00化]具體來說，構(gòu)成氧化物半導(dǎo)體層4的金屬元素為In、Ga和化（氧化物半導(dǎo)體層= IGZ0)時(shí)，將各金屬元素相對于除去氧的全部金屬元素的含量（原子％ )分別設(shè)為[In]、 [Ga]和[Zn]時(shí)，優(yōu)選滿足W下的關(guān)系。由此，能夠使上述各元素的優(yōu)選的作用有效地發(fā)揮。
[0066] 25《[In]《45
[0067] 25《[Ga]《45
[00側(cè) 15《陸]《35
[0069] 另外，構(gòu)成氧化物半導(dǎo)體層4的金屬元素是In、Ga、化和Sn (氧化物半導(dǎo)體層= IGZT0)時(shí)，將各金屬元素相對于除去氧的全部金屬元素的含量（原子％ )分別設(shè)為[In]、 [Ga]、[Zn]和[Sn]時(shí)，優(yōu)選滿足W下的a)或扣）所示的關(guān)系。由此，能夠使上述各元素 的優(yōu)選的作用有效地發(fā)揮。
[0070] < 關(guān)系（i)>
[0071] 10《[In]《25
[0072] 5《[Ga]《20
[007引 40《陸]《60
[0074] 5《[Sn]《25
[007引 < 關(guān)系扣）〉
[0076] 15《[In]《25
[0077] 10《[Ga]《20
[007引 45《[Zn]《65
[0079] 5 《[Sn]《15
[0080] 另外，構(gòu)成氧化物半導(dǎo)體層4的金屬元素是In、Ga和Sn (氧化物半導(dǎo)體層=IGTO) 時(shí)，將各金屬元素相對于除去氧的全部金屬元素的含量（原子％ )分別設(shè)為[In]、[Ga]和 [Sn]時(shí)，優(yōu)選滿足W下的關(guān)系。由此，能夠使上述的各元素的優(yōu)選的作用有效地發(fā)揮。
[00川 30《[In]《50
[0082] 20《[Ga]《30
[0083] 25《[Sn]《45
[0084] 氧化物半導(dǎo)體層4的優(yōu)選的膜厚大致為10皿W上且200皿W下。
[0085] 還有，化物半導(dǎo)體層可W上單層構(gòu)成，也可W由兩層W上構(gòu)成。無論哪種情況，從 應(yīng)力耐受性（特別是對于光+負(fù)偏壓應(yīng)力的耐受性）的觀點(diǎn)出發(fā)，都期望氧化物半導(dǎo)體層 至少含有Ga，氧化物半導(dǎo)體層為兩層W上時(shí)，優(yōu)選各氧化物半導(dǎo)體層分別含有Ga。特別是 兩層W上的氧化物半導(dǎo)體層之中，優(yōu)選至少在與后述的源-漏電極（S/D電極）直接接觸的 氧化物半導(dǎo)體層中含有Ga。
[0086] 氧化物半導(dǎo)體層4,優(yōu)選通過使用與薄膜同組成的瓣射祀的DC瓣射法或RF瓣射法 成膜?；蛘?，也可W通過使用多種瓣射祀的共瓣射法成膜。
[0087] 對于氧化物半導(dǎo)體層4進(jìn)行濕蝕刻后，進(jìn)行圖案化。緊接圖案化之后，為了改善氧 化物半導(dǎo)體層4的膜質(zhì)，例如，也可W在溫度；250?350°C (優(yōu)選為300?350°C )，時(shí)間； 15?120分鐘（優(yōu)選為60?120分鐘）的條件下進(jìn)行熱處理（預(yù)退火）。由此，晶體管特 性的通態(tài)電流和場效應(yīng)遷移率上升，晶體管性能提高。
[008引接著，為了保護(hù)氧化物半導(dǎo)體層4的表面，形成蝕刻阻擋層9。蝕刻阻擋層9是W 如下為目的而形成的，即防止對于源-漏電極（S/D電極）5進(jìn)行濕蝕刻時(shí)，氧化物半導(dǎo)體層 4被蝕刻而受到損傷，且在氧化物半導(dǎo)體層4的表面產(chǎn)生缺陷而導(dǎo)致晶體管特性降低。蝕刻 阻擋層9的種類未特別限定，例如，可列舉Si化等的絕緣膜。蝕刻阻擋層9通過等離子體 CVD法等而成膜和圖案化，W保護(hù)溝道表面的方式形成。
[0089] 接著，為了連接氧化物半導(dǎo)體層4與之后形成的源-漏電極5,實(shí)施光刻和干蝕刻 而進(jìn)行電極形成用的圖案化。
[0090] 接著，形成源-漏電極5。本發(fā)明所用的源-漏電極5的種類未特別限定，可W使 用通用的電極。例如與柵電極一樣，可W使用A1、Mo或化等金屬或合金，也可W如后述的 實(shí)施例那樣使用純Mo。
[0091] 作為源-漏電極5的形成方法，例如能夠通過磁控瓣射法將金屬薄膜成膜后，再通 過光刻進(jìn)行圖案化，進(jìn)行濕蝕刻而形成電極。
[0092] 作為源-漏電極5的其他的形成方法，可列舉例如通過磁控瓣射法將金屬薄膜成 膜后，通過提離（lift off)法形成的方法。根據(jù)該一方法，不進(jìn)行濕蝕刻也可W加工電極。
[0093] 接著，在氧化物半導(dǎo)體層4之上形成保護(hù)膜（絕緣膜）6。保護(hù)膜6,能夠通過例如 CVD法成膜。還有，氧化物半導(dǎo)體層4的表面由于CVD等造成的離子體損傷而容易導(dǎo)體化 (推測大概是因?yàn)樵谘趸锇雽?dǎo)體表面生成的氧缺損成為電子供體。），因此也可W在保護(hù) 膜6的成膜前進(jìn)行馬0等離子體照射。馬0等離子體的照射條件，能夠采用下述文獻(xiàn)所述的 條件。
[0094] J. Park 等，Appl. Phys. Lett.，93,053505 (2008)。
[009引接著，通過光刻和干蝕刻，在保護(hù)膜6中形成接觸孔7后，形成透明導(dǎo)電膜8。透明 導(dǎo)電膜8的種類未特別限定，可W使用口0等通常所使用的透明導(dǎo)電膜。
[0096] 在本發(fā)明中，也包括具備上述TFT的顯示裝置。作為顯示裝置，例如，可列舉液晶 顯不器、有機(jī)化顯不器等。
[0097] 本申請基于2012年8月31日申請的日本國專利申請第2012-192667號和2013 年4月26日申請的日本國專利申請第2013-094088號主張優(yōu)先權(quán)的利益。2012年8月31 日申請的日本國專利申請第2012-192667號和2013年4月26日申請日本國專利申請第 2013-094088號的說明書的全部內(nèi)容，在本申請中用于參考而援引。
[009引 實(shí)施例
[0099] W下，列舉實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受下述實(shí)施例限制，在能夠符 合前、后述的主旨的范圍內(nèi)也可W適當(dāng)變更來實(shí)施，該些均包含在本發(fā)明的技術(shù)的范圍內(nèi)。
[0100] 實(shí)施例1
[0101] 按W下方式制作圖1所示的TFT (氧化物半導(dǎo)體層4為兩層），評價(jià)應(yīng)力耐受性等。 但是，在本實(shí)施例中，圖1的透明導(dǎo)電膜8沒有成膜。
[0102] 首先，在玻璃基板1 (康寧公司制EAGLE 2000,直徑lOOmmX厚度0. 7mm)上，依次 作為柵電極2成膜lOOnm的Mo薄膜，W及作為柵極絕緣膜3成膜250nm的Si化膜。
[0103] 柵電極2使用純Mo的瓣射祀，通過DC瓣射法形成。瓣射條件為，成膜溫度；室溫、 成膜功率密度；3. 8W/cm2、載氣；Ar、成膜時(shí)的氣壓；2mTorr、Ar氣流量；20sccm。
[0104] 柵極絕緣膜3使用等離子體CVD法，使用載氣；Si&和N 2〇的混合氣體成膜。詳細(xì) 地說，在本實(shí)施例中，使用8英寸的圓形電極（面積314cm2)作為CVD裝置的電極，按表1? 表4所示改變成膜時(shí)的溫度、功率密度、上述氣體的流量比（體積比）而將單層的柵極絕緣 膜3成膜。氣壓為133Pa(-定）（表中未顯示）。
[01化]接著，使用W能夠形成該氧化物薄膜的方式進(jìn)行了調(diào)整的瓣射祀，根據(jù)下述條件 的瓣射法，成膜表1?表4所示的各種組成的氧化物半導(dǎo)體層（膜厚40nm)。
[0106] 瓣射裝置：株式會社ULVAC制"CS-200"
[0107] 基板溫度；室溫
[0108] 氣壓；ImTorr
[0109] 氧分壓；100 X 化/ (Ar+〇2) = 4 體積 ％
[0110] 成膜功率密度；2. 55W/cm2
[0111] 如此得到的氧化物半導(dǎo)體層的金屬元素的各含量通過XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)法進(jìn)行分析。詳細(xì)地說，對于從最表面至5皿左右的深度的范圍W Ar離子 瓣射后，W下述條件進(jìn)行分析。還有，由XI^S法測量的氧化物薄膜，使用在S